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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
EKI04027	-	RFQ	8634	桑肯	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		EKI04027 DK	Ear99	8541.29.0095	50	n通道					40 V	85A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 82.5a，10V	2.5V @ 1.5mA	93.7 NC @ 10 V	±20V	6200 PF @ 25 V	-	135W（TC）
EKI06075	-	RFQ	7084	桑肯	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		EKI06075 DK	Ear99	8541.29.0095	50	n通道					60 V	78A（TC）	4.5V，10V	6.3mohm @ 39a，10v	2.5V @ 1mA	53.6 NC @ 10 V	±20V	3810 PF @ 25 V	-	116W（TC）
EKI07076	-	RFQ	1937年	桑肯	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		EKI07076 DK	Ear99	8541.29.0095	50	n通道					75 v	85A（TC）	4.5V，10V	6.6mohm @ 44a，10v	2.5V @ 1.5mA	91 NC @ 10 V	±20V	6340 pf @ 25 V	-	135W（TC）
EKI07174	-	RFQ	3893	桑肯	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		EKI07174 DK	Ear99	8541.29.0095	50	n通道					75 v	46A（TC）	4.5V，10V	13.6mohm @ 22.8a，10v	2.5V @ 650µA	36.2 NC @ 10 V	±20V	2520 PF @ 25 V	-	90W（TC）
EKI10126	-	RFQ	4561	桑肯	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		EKI10126 DK	Ear99	8541.29.0095	50	n通道					100 v	66A（TC）	4.5V，10V	11.6mohm @ 33a，10v	2.5V @ 1.5mA	88.8 NC @ 10 V	±20V	6420 PF @ 25 V	-	135W（TC）
EKI10198	-	RFQ	6809	桑肯	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		EKI10198 DK	Ear99	8541.29.0095	50	n通道					100 v	47A（TC）	4.5V，10V	17.8mohm @ 23.4a，10v	2.5V @ 1mA	55.8 NC @ 10 V	±20V	3990 pf @ 25 V	-	116W（TC）
FKI06269	-	RFQ	3525	Sanken Electric USA Inc.	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		FKI06269 DK	Ear99	8541.29.0095	50	n通道					60 V	24A（TC）	4.5V，10V	21.8mohm @ 15.8A，10V	2.5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	29W（TC）
FKI07174	-	RFQ	4513	桑肯	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		FKI07174 DK	Ear99	8541.29.0095	50	n通道					75 v	31a（TC）	4.5V，10V	13.6mohm @ 22.8a，10v	2.5V @ 650µA	36.2 NC @ 10 V	±20V	2520 PF @ 25 V	-	38W（TC）
FKI10126	-	RFQ	9174	桑肯	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		FKI10126 DK	Ear99	8541.29.0095	50	n通道					100 v	41A（TC）	4.5V，10V	11.6mohm @ 33a，10v	2.5V @ 1.5mA	88.8 NC @ 10 V	±20V	6420 PF @ 25 V	-	42W（TC）
TK14A65W，S5X	2.8200	RFQ	21	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK14A65		MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道					650 v	13.7A（TA）	10V	250mohm @ 6.9a，10v	3.5V @ 690µA	35 NC @ 10 V	±30V	1300 PF @ 300 V	-	40W（TC）
TK14A65W5，S5X	2.8900	RFQ	4496	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK14A65		MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道					650 v	13.7A（TA）	10V	300mohm @ 6.9a，10v	4.5V @ 690µA	40 NC @ 10 V	±30V	1300 PF @ 300 V	-	40W（TC）
TK14C65W5，S1Q	-	RFQ	2691	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	TK14C65		MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道					650 v	13.7A（TA）	10V	300mohm @ 6.9a，10v	4.5V @ 690µA	40 NC @ 10 V	±30V	1300 PF @ 300 V	-	130W（TC）
TK30A06N1，S4X	0.9300	RFQ	4866	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK30A06		MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道					60 V	30A（TC）	10V	15mohm @ 15a，10v	4V @ 200µA	16 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 30 V	-	25W（TC）
TK32A12N1，S4X	1.4000	RFQ	5	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK32A12		MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道					120 v	32A（TC）	10V	13.8mohm @ 16a，10v	4V @ 500µA	34 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 60 V	-	30W（TC）
TK35N65W5，S1F	9.0900	RFQ	7466	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TK35N65		MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30	n通道					650 v	35A（TA）	10V	95MOHM @ 17.5A，10V	4.5V @ 2.1mA	115 NC @ 10 V	±30V	4100 PF @ 300 V	-	270W（TC）
TK46A08N1，S4X	1.0700	RFQ	7780	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK46A08		MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道					80 V	46A（TC）	10V	8.4mohm @ 23A，10V	4V @ 500µA	37 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 40 V	-	35W（TC）
TK72A12N1，S4X	3.0100	RFQ	20	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK72A12		MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道					120 v	72A（TC）	10V	4.5mohm @ 36a，10v	4V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±20V	8100 PF @ 60 V	-	45W（TC）
TPH1110FNH，L1Q	1.8400	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH1110		MOSFET （金属 o化物）	8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道					250 v	10a（10a）	10V	112MOHM @ 5A，10V	4V @ 300µA	11 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	1.6W（TA），57W（tc）
TPH1R403NL，L1Q	1.5500	RFQ	5	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH1R403		MOSFET （金属 o化物）	8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道					30 V	60a（ta）	4.5V，10V	1.4mohm @ 30a，10v	2.3V @ 500µA	46 NC @ 10 V	±20V	4400 pf @ 15 V	-	1.6W（TA），64W（tc）
TPH3R203NL，L1Q	1.2500	RFQ	18	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH3R203		MOSFET （金属 o化物）	8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道					30 V	47A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 23.5A，10V	2.3V @ 300µA	21 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	1.6W（TA），44W（tc）
TPH6400ENH，L1Q	1.7300	RFQ	19	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH6400		MOSFET （金属 o化物）	8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道					200 v	13A（TA）	10V	64mohm @ 6.5a，10v	4V @ 300µA	11.2 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	1.6W（TA），57W（tc）
TPN2R203NC，L1Q	1.2200	RFQ	19	东芝半导体和存储	U-Mosviii	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN2R203		MOSFET （金属 o化物）	8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道					30 V	45A（TC）	10V	2.2MOHM @ 22.5A，10V	2.3V @ 500µA	34 NC @ 10 V	±20V	2230 pf @ 15 V	-	700MW（TA），42W（TC）
CSD19503KC	1.7300	RFQ	1377	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19503		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道					80 V	100A（TA）	6V，10V	9.2MOHM @ 60a，10V	3.4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	2730 PF @ 40 V	-	188W（TC）
SI4403CDY-T1-GE3	0.7900	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4403		MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道					20 v	13.4A（TC）	1.8V，4.5V	15.5MOHM @ 9A，4.5V	1V @ 250µA	90 NC @ 8 V	±8V	2380 pf @ 10 V	-	5W（TC）
SUD50P10-43L-GE3	2.6500	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50		MOSFET （金属 o化物）	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道					100 v	37.1A（TC）	4.5V，10V	43mohm @ 9.2a，10V	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 50 V	-	8.3W（ta），136W（tc）
FDB070AN06A0-F085	2.2676	RFQ	8331	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB070		MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道					60 V	15A（TA）	10V	7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	175W（TC）
FDD10AN06A0-F085	-	RFQ	1182	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD10		MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道					60 V	11a（11a）	10V	10.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1840 pf @ 25 V	-	135W（TC）
FDN5632N-F085	0.6700	RFQ	50	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDN5632		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道					60 V	1.7A（TA）	4.5V，10V	82MOHM @ 1.7A，10V	3V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	475 PF @ 15 V	-	1.1W（TA）
C2M0160120D	13.2600	RFQ	2	Wolfspeed，Inc。	Z-FET™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	C2M0160120		sicfet （碳化硅）	TO-247-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30	n通道					1200 v	19a（tc）	20V	196mohm @ 10a，20v	2.5V @ 500µA	32.6 NC @ 20 V	+25V，-10V	527 PF @ 800 V	-	125W（TC）
AFT09MP055GNR1	20.8845	RFQ	1853年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40 V		表面安装	TO-270BB	AFT09	870MHz	ldmos	TO-270 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935317959528	Ear99	8541.29.0075	500		-	550 MA	1W	15.7dB											-	12.5 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²