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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
SQC40016E_DFFR	2.1000	RFQ	9527	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-	-	-	SQC40016		-			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQC40016E_DFFR	Ear99	8541.29.0095	1		-			-	-	-	-		-		-	-
SIGC14T60NCX7SA1	-	RFQ	7154	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC14	标准				死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1			300V，15a，18ohm，15V												npt	600 v	15 a	45 a	2.5V @ 15V，15a	-		21NS/110NS
FDMS86152	2.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	114		n通道		100 v	（14A）（TA），45A （TC）	6V，10V	6mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3370 pf @ 50 V	-	2.7W（ta），125W（tc）
IKW50N60TA	-	RFQ	7410	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		333 w		pg-to247-3-41	下载					Ear99	8542.39.0001	1			400V，50a，7ohm，15V											143 ns	沟渠场停止	600 v	80 a	150 a	2V @ 15V，50a	1.2MJ（在）上，1.4MJ off）	310 NC	26NS/299NS
FQP16N25C-F105	-	RFQ	9768	Onmi	*	大部分	积极的										-						0000.00.0000	1
FDMA1025P	0.2900	RFQ	92	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	FDMA1025		MOSFET （金属 o化物）	700MW		6-microfet（2x2）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2（p 通道（双）			20V	3.1a		155mohm @ 3.1a，4.5V	1.5V @ 250µA	4.8NC @ 4.5V		450pf @ 10V	逻辑级别门
STW68N65DM6-4AG	12.3100	RFQ	9273	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STW68		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-STW68N65DM6-4AG	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	72A（TC）		39mohm @ 36a，10v	4.75V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±25V	5900 PF @ 100 V	-	480W（TC）
NVMYS6D2N06CLTWG	1.6500	RFQ	3	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NVMYS6		MOSFET （金属 o化物）			LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	（17a）（ta），71a（tc）		6.1MOHM @ 35A，10V	2V @ 53µA	20 nc @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.6W（61W），61W（tc）
SIHB24N80AE-GE3	3.5600	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB24		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		742-SIHB24N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	21a（TC）		184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±30V	1836 PF @ 100 V	-	208W（TC）
G30N04D3	0.6900	RFQ	9	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）			8-DFN（3.15x3.05）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	30A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1780 pf @ 20 V	标准	19.8W（TC）
IAUC100N04S6L025ATMA1	1.2000	RFQ	38	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUC100		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.56mohm @ 50a，10v	2V @ 24µA	34 NC @ 10 V	±16V	2019 PF @ 25 V	-	62W（TC）
TSM2N7002KCU	0.3700	RFQ	2256	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）			SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM2N7002KCUTR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	240mA（ta）	4.5V，10V	2.5OHM @ 240mA，10V	2.5V @ 250µA	0.91 NC @ 4.5 V	±20V	30 pf @ 30 V	-	298MW（TA）
BSC005N03LS5ATMA1	2.6400	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8 FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	42a（ta），433a （TC）	4.5V，10V	0.55MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 15 V	-	3W（3W），188w（tc）
AOTF7N60FD_001	-	RFQ	2990	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF7		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOTF7N60FD_001	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	7A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.5A，10V	4.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±30V	1035 PF @ 25 V	-	38.5W（TC）
SIR186LDP-T1-RE3	1.0000	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIR186LDP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	23.8A（TA），80.3a tc）	4.5V，10V	4.4mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	1980 pf @ 30 V	-	5W（5W），57W（57W）（TC）
AOI296A	0.6703	RFQ	9654	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	AOI296		MOSFET （金属 o化物）			TO-251A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		100 v	70A（TC）	4.5V，10V	8.3mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 50 V	-	89W（TC）
AON7232	0.4484	RFQ	7031	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	aon72		MOSFET （金属 o化物）			8-DFN-EP（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		100 v	37A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 12A，10V	2.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 50 V	-	39W（TC）
AON7422G	0.6000	RFQ	1604	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	AON742		MOSFET （金属 o化物）			8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	32A（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2300 pf @ 15 V	-	28W（TC）
IPSA70R2K0P7SAKMA1	0.6800	RFQ	96	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	IPSA70		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-347	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		700 v	3A（TC）	10V	2ohm @ 500mA，10v	3.5V @ 30µA	3.8 NC @ 400 V	±16V	130 pf @ 400 V	-	17.6W（TC）
IPC60R600P7X7SA1	-	RFQ	8513	Infineon技术	-	大部分	积极的				IPC60R						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001681344		0000.00.0000	1					-
IPB60R099P7ATMA1	5.0500	RFQ	1589年	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB60R099		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	31a（TC）	10V	99mohm @ 10.5a，10v	4V @ 530µA	45 NC @ 10 V	±20V	1952 PF @ 400 V	-	117W（TC）
FP35R12W2T4PB11BPSA1	73.8100	RFQ	18	Infineon技术	EasyPim™2B	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FP35R12			20兆	三相桥梁整流器	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	18	三相逆变器														沟渠场停止	1200 v	70 a		2.2V @ 15V，35a				1 MA	是的	2 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²