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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI7270DP-T1-GE3	-	RFQ	2475	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7270	MOSFET （金属 o化物）	17.8W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	8a		21mohm @ 8a，10v	2.8V @ 250µA	21NC @ 10V		900pf @ 15V	逻辑级别门
SI8469DB-T2-E1	-	RFQ	6714	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga	SI8469	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	4.6a（ta）	4.5V	64mohm @ 1.5A，4.5V	800MV @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±5V	900 pf @ 4 V	-	（780MW）（TA），1.8W（tc）
SIA441DJ-T1-GE3	0.6900	RFQ	103	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA441	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	12A（TC）	4.5V，10V	47MOHM @ 4.4A，10V	2.2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	890 pf @ 20 V	-	19w（tc）
SIA444DJT-T1-GE3	-	RFQ	6755	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA444	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 7.4a，10v	2.2V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	560 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
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SIA907EDJT-T1-GE3	0.5500	RFQ	785	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA907	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5A（TC）		57MOHM @ 3.6A，4.5V	1.4V @ 250µA	23nc @ 10V		-	逻辑级别门
SIA929DJ-T1-GE3	0.6400	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA929	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	4.5A（TC）		64mohm @ 3a，10v	1.1V @ 250µA	21NC @ 10V		575pf @ 15V	逻辑级别门
SIB404DK-T1-GE3	-	RFQ	3348	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB404	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	9A（TC）	4.5V	19mohm @ 3a，4.5V	800MV @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±5V		-	2.5W（TA），13W（tc）
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SIR864DP-T1-GE3	-	RFQ	8959	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir864	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	2460 pf @ 15 V	-	5W（5W），54W（tc）（TC）
SIS334DN-T1-GE3	-	RFQ	4068	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS334	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	11.3mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	640 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），50W（TC）
SISA12ADN-T1-GE3	0.8700	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA12	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	45 NC @ 10 V	+20V，-16V	2070 pf @ 15 V	-	3.5W（ta），28W（28W）TC）
SQ3410EV-T1_GE3	0.7600	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3410	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	8A（TC）	4.5V，10V	17.5MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	1005 pf @ 15 V	-	5W（TC）
SQ4920EY-T1_GE3	1.6600	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4920	MOSFET （金属 o化物）	4.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8a		14.5MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	30nc @ 10V		1465pf @ 15V	逻辑级别门
SQJ422EP-T1_GE3	1.6900	RFQ	1755年	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ422	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	74A（TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 18a，10v	2.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	4660 pf @ 20 V	-	83W（TC）
SQJ962EP-T1-GE3	-	RFQ	1684年	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ962	MOSFET （金属 o化物）	25W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	8a		60mohm @ 4.3a，10v	2.5V @ 250µA	14NC @ 10V		475pf @ 25V	逻辑级别门
SQM120N03-1M5L_GE3	3.8200	RFQ	9647	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	30 V	120A（TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	15605 PF @ 15 V	-	375W（TC）
SQM200N04-1M7L_GE3	3.3700	RFQ	3819	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	SQM200	MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	200a（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 30a，10V	2.5V @ 250µA	291 NC @ 10 V	±20V	11168 PF @ 20 V	-	375W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²