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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
FS50R06W1E3B11BOMA1	44.7500	RFQ	24	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS50R06			205 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器														沟渠场停止	600 v	70 a		1.9V @ 15V，50a				1 MA	是的	3.1 NF @ 25 V
FS50R12W2T4BOMA1	70.2800	RFQ	27	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FS50R12			335 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	完整的桥梁逆变器														沟渠场停止	1200 v	83 a		2.15V @ 15V，50a				1 MA	是的	2.8 nf @ 25 V
FS75R06KE3BOSA1	-	RFQ	6472	Infineon技术	Econopack™	托盘	在sic中停产	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS75R06			250 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥														沟渠场停止	600 v	75 a		1.9V @ 15V，75a				1 MA	是的	4.6 NF @ 25 V
FZ500R65KE3NOSA1	1.0000	RFQ	4008	Infineon技术	-	托盘	积极的	-50°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ500R65			2000000 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	半桥														-	6500 v	500 a		3.4V @ 15V，500A				5 ma	不	135 NF @ 25 V
FCB260N65S3	3.4100	RFQ	6528	Onmi	SuperFet®III	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FCB260		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		650 v	12A（TC）	10V	260MOHM @ 6A，10V	4.5V @ 1.2mA	24 NC @ 10 V	±30V	1010 PF @ 400 V	-	90W（TC）
AOD5T40P_101	-	RFQ	5063	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD5		MOSFET （金属 o化物）			TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		400 v	3.9a（TC）	10V	1.45OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±30V	273 PF @ 100 V	-	52W（TC）
AON6756_101	-	RFQ	1298	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	aon67		MOSFET （金属 o化物）			8-DFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	36a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	2796 pf @ 15 V	（（（）	7.3W（ta），83W（tc）
AOI4TL60	-	RFQ	7336	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的				AOI4						-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	70					-
IXFN300N20X3	48.6800	RFQ	2044	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN300		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		200 v	300A（TC）	10V	3.5MOHM @ 150A，10V	4.5V @ 8mA	375 NC @ 10 V	±20V	23800 PF @ 25 V	-	695W（TC）
SPD50P03LGXT	-	RFQ	2208	Infineon技术	Optimos®-P	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD	SPD50P		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-5	-		3（168））	到达不受影响	SP000086729	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		30 V	50A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 50a，10v	2V @ 250µA	126 NC @ 10 V	±20V	6880 pf @ 25 V	-	150W（TC）
DMT8012LPS-13	0.4116	RFQ	5305	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT8012		MOSFET （金属 o化物）			PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		80 V	（9A）（65A）（65A）（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1949 PF @ 40 V	-	2.1W（ta），113W（tc）
IXFA72N30x3	10.3300	RFQ	227	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA72		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	72A（TC）	10V	19mohm @ 36a，10v	4.5V @ 1.5mA	82 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXGM40N60	-	RFQ	9699	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	IXGM40	标准		250 w		TO-204AE	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20			480V，40a，22ohm，15V											200 ns	-	600 v	75 a	150 a	2.5V @ 15V，40a	-	250 NC	100NS/600NS
AO3407	-	RFQ	1666年	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	4.1a（ta）	4.5V，10V	52MOHM @ 4.1A，10V	2.4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	520 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
AO3404	-	RFQ	3326	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	5A（5A）	4.5V，10V	31MOHM @ 5A，10V	2.4V @ 250µA	6.3 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
AO3422L	-	RFQ	7011	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		55 v	2.1a（ta）	2.5V，4.5V	160MOHM @ 2.1a，4.5V	2V @ 250µA	3.3 NC @ 4.5 V	±12V	300 pf @ 25 V	-	1.25W（TA）
AO7400L	-	RFQ	4128	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	-	AO740		-			-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		-			-	-	-	-		-		-	-
IPW60R018CFD7XKSA1	25.0400	RFQ	210	Infineon技术	CoolMos™CFD7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R018		MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	101A（TC）	10V	18mohm @ 58.2a，10v	4.5V @ 2.91ma	251 NC @ 10 V	±20V	9901 PF @ 400 V	-	416W（TC）
PMT200EPEX	0.5300	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PMT200		MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000		P通道		70 v	2.4A（TA）	4.5V，10V	167mohm @ 2.4a，10v	3V @ 250µA	15.9 NC @ 10 V	±20V	822 PF @ 35 V	-	800MW（TA）
FCP125N65S3R0	4.6400	RFQ	200	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP125		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	24A（TC）	10V	125mohm @ 12a，10v	4.5V @ 2.4mA	46 NC @ 10 V	±30V	1940 pf @ 400 V	-	181W（TC）
NVMFS5C677NLT1G	1.4200	RFQ	2441	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		60 V	11a（11a），36a （TC）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	2V @ 25µA	9.7 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	3.5W（37W），37W（tc）
IAUT300N08S5N014ATMA1	6.2900	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IAUT300		MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		80 V	300A（DC）	6V，10V	1.4MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 230µA	187 NC @ 10 V	±20V	13178 PF @ 40 V	-	300W（TC）
FDC642P-F085P	-	RFQ	4891	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC642		MOSFET （金属 o化物）			TSOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	65MOHM @ 4A，4.5V	1.5V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±8V	630 pf @ 10 V	-	1.2W（TA）
IXTH140N075L2	18.2938	RFQ	9647	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH140		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		75 v	140a（TC）	10V	11mohm @ 70a，10v	4.5V @ 250µA	275 NC @ 10 V	±20V	9300 PF @ 25 V	-	540W（TC）
higfed1bosa1	-	RFQ	6279	Infineon技术	-	托盘	过时的	-	-	-	higfed1				-	-	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000713564	过时的	0000.00.0000	1	-														-				-
YJD60P04A	0.3070	RFQ	250	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJD60P04ATR	Ear99		2,500
PJQ5474A_R2_00001	0.3206	RFQ	6410	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ5474		MOSFET （金属 o化物）			DFN5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ5474A_R2_00001TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		100 v	18A（18A）	4.5V，10V	50mohm @ 18a，10v	2.5V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	3555 pf @ 15 V	-	52W（TC）
IRFR18N15DTRLP-INF	-	RFQ	9284	Infineon技术	Hexfet®	大部分	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000		n通道		150 v	18A（TC）		125mohm @ 11a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V		900 pf @ 25 V	-
TSM6N50CH C5G	-	RFQ	7205	台湾半导体公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		500 v	5.6a（ta）	10V	1.4OHM @ 2.8a，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	900 pf @ 25 V	-	90W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²