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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRF7769L2TRPBF	-	RFQ	7954	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距l8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					100 v	375a（TC）	10V	3.5mohm @ 74a，10v	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	11560 pf @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
IRF9310pbf	-	RFQ	8118	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566550	Ear99	8541.29.0095	95		P通道					30 V	20A（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	2.4V @ 100µA	165 NC @ 10 V	±20V	5250 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
PSMN013-100P，127	2.3300	RFQ	10	Nexperia USA Inc.	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN013		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	68A（TC）	10V	13.9mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	59 NC @ 10 V	±20V	3195 PF @ 50 V	-	170W（TC）
PSMN5R5-60YS，115	1.9600	RFQ	30	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN5R5		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					60 V	100A（TC）	10V	5.2MOHM @ 15A，10V	4V @ 1mA	56 NC @ 10 V	±20V	3501 PF @ 30 V	-	130W（TC）
PSMN012-100YS，115	1.5200	RFQ	8984	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN012		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					100 v	60a（TC）	10V	12mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	64 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 50 V	-	130W（TC）
PSMN020-100YS，115	1.1300	RFQ	2706	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN020		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					100 v	43A（TC）	10V	20.5Mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	41 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 50 V	-	106W（TC）
SD2933-03	-	RFQ	6460	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	125 v			M177	SD2933	30MHz	MOSFET		M177	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		40a	250 MA	300W	23.5db											-			50 V
STB5NK50Z-1	-	RFQ	9829	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STB5N		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					500 v	4.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4.5V @ 50µA	28 NC @ 10 V	±30V	535 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STD25NF10LA	2.0800	RFQ	1870年	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD25		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	25A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 12.5a，10v	2.5V @ 250µA	52 NC @ 5 V	±16V	1710 PF @ 25 V	-	100W（TC）
STF26NM60N	7.4000	RFQ	9430	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF26		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	20A（TC）	10V	165mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	1800 PF @ 50 V	-	35W（TC）
STF5N52U	-	RFQ	2060	Stmicroelectronics	UltrafastMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF5N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					525 v	4.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4.5V @ 50µA	16.9 NC @ 10 V	±30V	529 pf @ 25 V	-	25W（TC）
STF826	-	RFQ	5634	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	STF826			1.4 w	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																		30 V	3 a		100µA	PNP	1.1V @ 150mA，3a	100 @ 100mA，2V	100MHz
Stu95n3llh6	-	RFQ	2982	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu95		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					30 V	80A（TC）	4.5V，10V	4.7MOHM @ 40a，10V	2.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±25V	2200 PF @ 25 V	-	70W（TC）
STW35N65M5	-	RFQ	4495	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW35N		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	27a（TC）	10V	98mohm @ 13.5A，10V	5V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±25V	3750 PF @ 100 V	-	160W（TC）
STW77N65M5	17.7300	RFQ	565	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW77		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	69A（TC）	10V	38mohm @ 34.5a，10v	5V @ 250µA	200 NC @ 10 V	25V	9800 PF @ 100 V	-	400W（TC）
VMMK-1218-blkg	-	RFQ	8656	Broadcom Limited	-	条	过时的	5 v			0402（（1005公制）	VMMK-1218	10GHz	e-phemt		0402	-		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	100			100mA	20 ma	12DBM	9DB											0.81dB			3 V
VMMK-1225-blkg	-	RFQ	3242	Broadcom Limited	-	条	过时的	5 v			0402（（1005公制）		12GHz	e-phemt		0402	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	100			50mA	20 ma	8DBM	11DB											1dB			2 v
VMMK-1225-TR1G	-	RFQ	4182	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	5 v			0402（（1005公制）		12GHz	e-phemt		0402	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	5,000			50mA	20 ma	8DBM	11DB											1dB			2 v
CSD17301Q5A	1.6400	RFQ	13	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17301		MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	28a（28a），100a（tc）	3V，8V	2.6mohm @ 25a，8v	1.55V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	3480 pf @ 15 V	-	3.2W（TA）
DMG6968UDM-7	0.4600	RFQ	70	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	DMG6968		MOSFET （金属 o化物）	850MW	SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水						20V	6.5a		24mohm @ 6.5a，4.5V	900mv @ 250µA	8.8nc @ 4.5V		143pf @ 10V	逻辑级别门
DSS4140U-7	0.4300	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	DSS4140			400兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		40 V	1 a		100NA	NPN	500mv @ 100mA，1a	300 @ 500mA，5V	150MHz
DJT4031N-13	0.4800	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	DJT4031			1.2 w	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																		40 V	3 a		100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 300mA，3a	200 @ 1A，1V	105MHz
MRF544	-	RFQ	6748	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	通过洞	到39				3.5W	到39	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	1						13.5dB												70V	400mA			NPN		15 @ 50mA，6v	1.5GHz	-
MRF555	-	RFQ	3320	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	表面安装	电源宏	MRF555			3W	电源宏	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500						11db〜13dB												16V	500mA			NPN		30 @ 250mA，5V	-	-
MRF559G	-	RFQ	8209	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	表面安装	Micro-X（84C）				2W	Micro-X（84C）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500						9.5db												16V	150mA			NPN		30 @ 50mA，10v	870MHz	-
MRF5812GR1	-	RFQ	5472	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MRF5812			1.25W	8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500						13db〜15.5dB												15V	200mA			NPN		50 @ 50mA，5V	5GHz	2DB〜3DB @ 500MHz
MRF581G	-	RFQ	1701	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	Micro-X（84C）	MRF581			1.25W	Micro-X（84C）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500						13db〜15.5dB												18V	200mA			NPN		50 @ 50mA，5V	5GHz	3db〜3.5dB @ 500MHz
SPA11N60CFDXKSA1	2.5347	RFQ	6513	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA11N60		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					600 v	11A（TC）	10V	440MOHM @ 7A，10V	5V @ 1.9mA	64 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	33W（TC）
SPA15N65C3XKSA1	-	RFQ	2200	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA15N65		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					650 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 9.4a，10V	3.9V @ 675µA	63 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	34W（TC）
SPA20N60CFDXKSA1	3.9983	RFQ	3369	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA20N60		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					600 v	20.7A（TC）	10V	220MOHM @ 13.1A，10V	5V @ 1mA	124 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	35W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²