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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	电压 -输出	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	电压	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试	电压 -偏移（ vt）	电流 -阳极泄漏的门（ -igao）	电流-iv（iv）	电流 -峰值
TK100S04N1L，LXHQ	1.7200	RFQ	8020	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK100S04		MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						40 V	100A（TA）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 50a，10v	2.5V @ 500µA	76 NC @ 10 V	±20V	5490 pf @ 10 V	-	180W（TC）
IRF530NSPBF	-	RFQ	8799	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道						100 v	17a（TC）	10V	90mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	920 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），70W（70W）TC）
BUK6228-55C，118	0.2400	RFQ	2	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1,268			n通道						55 v	31a（TC）	10V	29mohm @ 10a，10v	2.8V @ 1mA	20.2 NC @ 10 V	±16V	1340 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IRF7739L2TRPBF	1.0000	RFQ	7657	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet L8	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	246			n通道						40 V	46A（TA），375A （TC）	10V	1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	11880 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），125W（tc）
IRFB4115GPBF	-	RFQ	3297	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道						150 v	104a（TC）	10V	11mohm @ 62a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	380W（TC）
IRF710	0.4100	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF710		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			n通道						400 v	2A（TC）	10V	3.6ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	36W（TC）
MRF5S19060MBR1	50.3500	RFQ	393	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v			TO-272BB	MRF5	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		TO-272 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1				-	750 MA	12W	14dB												-	28 V
IRF8113PBF	-	RFQ	5677	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道						30 V	17.2a（ta）	4.5V，10V	5.6MOHM @ 17.2A，10V	2.2V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±20V	2910 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRLZ44ZSPBF	-	RFQ	7338	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道						55 v	51A（TC）		13.5MOHM @ 31a，10v	3V @ 250µA	36 NC @ 5 V	±16V	1620 PF @ 25 V	-	80W（TC）
BUK6218-40C，118-Nex	-	RFQ	1233	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道						40 V	42A（TC）	10V	16mohm @ 10a，10v	2.8V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±16V	1170 pf @ 25 V	-	60W（TC）
SIHA186N60EF-GE3	2.8600	RFQ	1	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHA186		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA186N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						600 v	8.4A（TC）	10V	193MOHM @ 9.5A，10V	5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	1081 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SIR826LDP-T1-RE3	1.6400	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir826		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIR826LDP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						80 V	21.3a（TA），86A （TC）	10V	5mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±20V	3840 pf @ 40 V	-	（5W（ta），83W（tc）
IPB65R099CFD7AATMA1	7.4200	RFQ	18	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™CFD7A	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R099		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						650 v	24A（TC）	10V	99mohm @ 12.5a，10v	4.5V @ 630µA	53 NC @ 10 V	±20V	2513 PF @ 400 V	-	127W（TC）
IST006N04NM6AUMA1	3.8800	RFQ	1241	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn	IST006		MOSFET （金属 o化物）		PG-HSOF-5-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						40 V	（58A）（TA），475a （TC）	6V，10V	0.6MOHM @ 100A，10V	3.3V @ 250µA	178 NC @ 10 V	±20V	8800 PF @ 20 V	-	3.8W（TA），250W（TC）
SIHB35N60EF-GE3	6.4600	RFQ	12	Vishay Siliconix	EF	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB35		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50			n通道						600 v	32A（TC）	10V	97mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	134 NC @ 10 V	±30V	2568 PF @ 100 V	-	250W（TC）
AONR21321	0.4600	RFQ	332	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	AONR213		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			P通道						30 V	24A（TC）	4.5V，10V	16.5MOHM @ 12A，10V	2.3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1180 pf @ 15 V	-	4.1W（TA），24W（24W）TC）
AONS21321	0.5300	RFQ	47	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AONS213		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道						30 V	14a（TA），24A （TC）	4.5V，10V	16.5MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1180 pf @ 15 V	-	5W（5W），24.5W（TC）
AOL1454_001	-	RFQ	7012	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	3-PowersMD，平坦的铅	AOL14		MOSFET （金属 o化物）		Ultraso-8™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						40 V	（12A）（ta），50a（tc）	4.5V，10V	9mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1920 PF @ 20 V	-	2.1W（ta），60W（60W）TC）
FDMS007N08LC	2.3400	RFQ	3	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS007		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						80 V	14a（14A），84A （TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 21a，10v	2.5V @ 120µA	46 NC @ 10 V	±20V	3100 PF @ 40 V	-	2.5W（TA），92.6W（TC）
DMTH10H010SCT	1.2202	RFQ	8984	二极管合并	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	DMTH10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						100 v	100A（TA）	10V	9.5MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	56.4 NC @ 10 V	±20V	4468 PF @ 50 V	-	2.5W（ta），187W（tc）
AO4413_101	-	RFQ	1873年	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO44		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道						30 V	15A（TA）	10V，20V	7mohm @ 15a，20v	3.5V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±25V	3500 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）
AON6514_102	-	RFQ	1965年	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AON651		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						30 V	23A（23A），30A （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±20V	951 PF @ 15 V	-	4.1W（TA），25W（TC）
BSC021N08NS5ATMA1	4.0900	RFQ	5214	Infineon技术	Optimos™，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC021		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSON-8-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						80 V	100A（TC）	6V，10V	2.1MOHM @ 50a，10v	3.8V @ 146µA	29 NC @ 10 V	±20V	8600 PF @ 40 V	标准	214W（TC）
BSC027N10NS5ATMA1	5.1500	RFQ	7365	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC027		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSON-8-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						100 v	（23A）（TA），100A （TC）	6V，10V	2.7MOHM @ 50A，10V	3.8V @ 146µA	111 NC @ 10 V	±20V	8200 PF @ 50 V	-	（3W（ta），214w（tc）
IPA65R420CFDXKSA2	1.4606	RFQ	8877	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA65R420		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						650 v	8.7A（TC）	10V	420MOHM @ 3.4A，10V	4.5V @ 300µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 100 V	-	31.2W（TC）
IPD06P005NATMA1	-	RFQ	7630	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD06P		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001727872	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道						60 V	6.5A（TC）	10V	250mohm @ 6.5a，10v	4V @ 270µA	10.6 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 30 V	-	28W（TC）
CMPP6027R BK	-	RFQ	5831	中央半导体公司	-	大部分	过时的				TO-236-3，SC-59，SOT-23-3						下载		（1 （无限）		CMPP6027RBK	Ear99	8541.21.0095	1		6V						40V										167兆			1.6 v	10 na	50 µA	2 µA
HAT2210RWS-E	-	RFQ	7505	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HAT2210		MOSFET （金属 o化物）	1.5W（TA）	8-sop	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双），肖特基								30V	7.5a（ta），8a ta）		24mohm @ 3.75a，10v，22mohm @ 4a，10v	2.5V @ 1mA	4.6NC @ 4.5V，11NC @ 4.5V		630pf @ 10V，1330pf @ 10V	逻辑级别门，4.5V驱动器
RJK5030DPD-02＃j2	-	RFQ	8060	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		MP-3A	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						500 v	5A（5A）	10V	1.6OHM @ 2A，10V	4.5V @ 1mA		±30V	550 pf @ 25 V	-	41.7W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²