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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MRF6S21190HR3	-	RFQ	6484	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	SOT-957A	MRF6	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	1.6 a	54W	16dB											-			28 V
MRF6V122550HR3	-	RFQ	1994	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	100 v		底盘安装	SOT-957A	MRF6	1.03GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	100 ma	275W	20.3db											-			50 V
MRF6V122550HR5	434.5000	RFQ	7021	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	100 v		底盘安装	SOT-957A	MRF6V12250	1.03GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	100 ma	275W	20.3db											-			50 V
MRF6V122550HSR5	284.8516	RFQ	9126	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	100 v		底盘安装	NI-780	MRF6V12250	1.03GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935317106178	Ear99	8541.29.0075	50			-	100 ma	275W	20.3db											-			50 V
MRF6V2300NR5	-	RFQ	4065	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		表面安装	TO-270AB	MRF6	220MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935309909578	Ear99	8541.29.0075	50			-	900 MA	300W	25.5db											-			50 V
MRF6V4300NR5	-	RFQ	9285	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		表面安装	TO-270AB	MRF6	450MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310007578	Ear99	8541.29.0075	50			-	900 MA	300W	22DB											-			50 V
MRF6VP2600HR6	-	RFQ	4651	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		底盘安装	NI-1230	MRF6	225MHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	2.6 a	125W	25DB											-			50 V
MRF6VP41KHR6	-	RFQ	5850	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	110 v		底盘安装	NI-1230	MRF6	450MHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	150 ma	1000W	20dB											-			50 V
MRF7S15100HSR3	-	RFQ	5839	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF7	1.51GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935317045128	Ear99	8541.29.0075	250			-	600 MA	23W	19.5db											-			28 V
ULQ2003D1013	1.0200	RFQ	45	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	ULQ2003			-	16件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																		50V	500mA		-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
DSA2001R0L	-	RFQ	9334	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DSA2001			200兆	mini3-g3-b	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	100 ma		100µA	PNP	500mv @ 10mA，100mA	210 @ 2mA，10v	150MHz
DSC2001R0L	-	RFQ	6548	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DSC2001			200兆	mini3-g3-b	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	100 ma		100µA	NPN	300mv @ 10mA，100mA	210 @ 2mA，10v	150MHz
DSC2001S0L	-	RFQ	6975	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DSC2001			200兆	mini3-g3-b	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	100 ma		100µA	NPN	300mv @ 10mA，100mA	290 @ 2mA，10v	150MHz
DRA2113Z0L	-	RFQ	1902年	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DRA2113			200兆	mini3-g3-b	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，10v		1 kohms	10 kohms
NTD4863NA-35G	-	RFQ	1839年	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD48		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					25 v	9.2A（ta），49a （TC）		9.3mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	17.8 NC @ 10 V		990 pf @ 12 V	-	1.27W（ta），36.6w（tc）
NTD4909N-1G	-	RFQ	3295	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD49		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					30 V	8.8A（ta），41A（tc）	4.5V，10V	8mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	17.5 NC @ 10 V	±20V	1314 PF @ 15 V	-	1.37W（TA），29.4W（tc）
NTD4906NA-35G	-	RFQ	8886	Onmi	-	管子	过时的		-	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD49		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					30 V	10.3a（ta），54a（tc）		5.5MOHM @ 30a，10V	2.2V @ 250µA	24 NC @ 10 V		1932 PF @ 15 V	-	-
NTD4905N-1G	-	RFQ	2236	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD49		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					30 V	12a（12A），67a（tc）	4.5V，10V	4.5mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 15 V	-	1.4W（TA），44W（tc）
NTD4904N-35G	-	RFQ	9831	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD49		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					30 V	13a（TA），79A （TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	3052 PF @ 15 V	-	1.4W（ta），52W（tc）
NDF04N60ZG	-	RFQ	8436	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	NDF04		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	4.8A（TC）	10V	2ohm @ 2a，10v	4.5V @ 50µA	29 NC @ 10 V	±30V	640 pf @ 25 V	-	30W（TC）
NDF10N60ZG	-	RFQ	6542	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	NDF10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	10A（TC）	10V	750MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 100µA	68 NC @ 10 V	±30V	1645 PF @ 25 V	-	39W（TC）
NDF06N60ZG	-	RFQ	1326	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	NDF06		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	7.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 3A，10V	4.5V @ 100µA	47 NC @ 10 V	±30V	1107 PF @ 25 V	-	35W（TC）
NTR4170NT3G	-	RFQ	2813	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTR417		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道					30 V	2.4A（TA）	2.5V，10V	55mohm @ 3.2a，10v	1.4V @ 250µA	4.76 NC @ 4.5 V	±12V	432 PF @ 15 V	-	480MW（TA）
NTR4171PT3G	-	RFQ	7164	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTR417		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道					30 V	2.2A（ta）	2.5V，10V	75mohm @ 2.2a，10v	1.4V @ 250µA	15.6 NC @ 10 V	±12V	720 PF @ 15 V	-	480MW（TA）
NTMFS4937NT3G	-	RFQ	6155	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4937		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					30 V	10.2A（ta），70a tc）	4.5V，10V	4mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	2516 pf @ 15 V	-	920MW（TA），43W（tc）
ntluf4189nztbg	-	RFQ	2361	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	ntluf41		MOSFET （金属 o化物）		6-udfn（1.6x1.6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	1.2A（TA）	2.5V，4.5V	200mohm @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	3 NC @ 4.5 V	±8V	95 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	500MW（TA）
NSBA115TDP6T5G	0.0672	RFQ	2058	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-963	NSBA115			408MW	SOT-963	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																		50V	100mA		500NA	2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 5mA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	100kohms	-
NSBC143ZPDP6T5G	0.4000	RFQ	16	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-963	NSBC143			339MW	SOT-963	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																		50V	100mA		500NA	2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	47kohms
NSBC114TF3T5G	0.1061	RFQ	1123	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-1123	NSBC114			254兆	SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																		50 V	100 ma		500NA	npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v		10 kohms
NSBC115TF3T5G	0.0598	RFQ	5829	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-1123	NSBC115			254兆	SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																		50 V	100 ma		500NA	npn-预先偏见	250mv @ 5mA，10mA	160 @ 5mA，10v		100 kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²