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晶体管（（100539）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
NSBA144WDP6T5G onsemi NSBA144WDP6T5G 0.0672
RFQ
 ECAD 7407 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-963 NSBA144 408MW SOT-963 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 250mv @ 300µA，10mA 80 @ 5mA，10v - 47kohms 22KOHMS
NSBC143ZF3T5G onsemi NSBC143ZF3T5G 0.4000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-1123 NSBC143 254兆 SOT-1123 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 1mA，10mA 80 @ 5mA，10v 4.7科姆斯 47科姆斯
NSBC123JF3T5G onsemi NSBC123JF3T5G 0.1061
RFQ
 ECAD 7868 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-1123 NSBC123 254兆 SOT-1123 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 1mA，10mA 80 @ 5mA，10v 2.2 kohms 47科姆斯
NSBA143EF3T5G onsemi NSBA143EF3T5G 0.0598
RFQ
 ECAD 8877 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-1123 NSBA143 254兆 SOT-1123 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 1mA，10mA 15 @ 5mA，10v 4.7科姆斯 4.7科姆斯
NSBA115TF3T5G onsemi NSBA115TF3T5G 0.0598
RFQ
 ECAD 7235 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-1123 NSBA115 254兆 SOT-1123 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 300µA，10mA 160 @ 5mA，10v 100 kohms
NTLUS4195PZTBG onsemi NTLUS4195PZTBG -
RFQ
 ECAD 2478 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-Powerufdfn NTLUS41 MOSFET （金属 o化物） 6-udfn（1.6x1.6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 2A（TA） 4.5V，10V 90MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 5 NC @ 4.5 V ±20V 250 pf @ 15 V - 600MW（TA）
NTMS4937NR2G onsemi NTMS4937NR2G 1.5600
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NTMS4937 MOSFET （金属 o化物） 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n通道 30 V 8.6a（ta） 4.5V，10V 6.5MOHM @ 7.5A，10V 2.5V @ 250µA 38.5 NC @ 10 V ±20V 2563 PF @ 25 V - 810MW（TA）
NTD4906NT4G onsemi NTD4906NT4G -
RFQ
 ECAD 6671 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 NTD49 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 10.3a（ta），54a（tc） 4.5V，10V 5.5MOHM @ 30a，10V 2.2V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±20V 1932 PF @ 15 V - 1.38W（TA），37.5W（tc）
NTD4906NAT4G onsemi NTD4906NAT4G -
RFQ
 ECAD 9960 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 NTD49 MOSFET （金属 o化物） DPAK - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 10.3a（ta），54a（tc） 5.5MOHM @ 30a，10V 2.2V @ 250µA 24 NC @ 10 V 1932 PF @ 15 V - -
NTMFS4943NT1G onsemi NTMFS4943NT1G -
RFQ
 ECAD 4737 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powertdfn，5个线索 NTMFS4 MOSFET （金属 o化物） 5-DFN （5x6）（8-SOFL） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 8.3a（ta），41a（tc） 4.5V，10V 7.2MOHM @ 30a，10v 2.2V @ 250µA 20.9 NC @ 10 V ±20V 1401 PF @ 15 V - 910MW（TA），22.3W（tc）
NTMFS4937NT1G onsemi NTMFS4937NT1G -
RFQ
 ECAD 7423 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powertdfn，5个线索 NTMFS4937 MOSFET （金属 o化物） 5-DFN （5x6）（8-SOFL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 10.2A（ta），70a tc） 4.5V，10V 4mohm @ 30a，10v 2.2V @ 250µA 31 NC @ 10 V ±20V 2516 pf @ 15 V - 920MW（TA），43W（tc）
DRC2144W0L Panasonic Electronic Components DRC2144W0L -
RFQ
 ECAD 2617 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DRC2144 200兆 mini3-g3-b - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 500µA，10mA 60 @ 5mA，10v 47科姆斯 22 KOHMS
DRA9113Z0L Panasonic Electronic Components DRA9113Z0L -
RFQ
 ECAD 8377 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 表面安装 SC-89，SOT-490 DRA9113 125 MW ssmini3-f3-b - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 500µA，10mA 30 @ 5mA，10v 1 kohms 10 kohms
DRC5114Y0L Panasonic Electronic Components DRC5114Y0L -
RFQ
 ECAD 5783 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 表面安装 SC-85 DRC5114 150兆 smini3-f2-b - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 500µA，10mA 80 @ 5mA，10v 10 kohms 47科姆斯
DRC5143Z0L Panasonic Electronic Components DRC5143Z0L -
RFQ
 ECAD 7899 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 表面安装 SC-85 DRC5143 150兆 smini3-f2-b - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 500µA，10mA 80 @ 5mA，10v 4.7科姆斯 47科姆斯
DRC5144V0L Panasonic Electronic Components DRC5144V0L -
RFQ
 ECAD 1784年 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 表面安装 SC-85 DRC5144 150兆 smini3-f2-b - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 500µA，10mA 30 @ 5mA，10v 47科姆斯 10 kohms
DSA5001R0L Panasonic Electronic Components DSA5001R0L -
RFQ
 ECAD 3133 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 150°C（TJ） 表面安装 SC-85 DSA5001 150兆 smini3-f2-b - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100µA PNP 500mv @ 10mA，100mA 210 @ 2mA，10v 150MHz
DSA700300L Panasonic Electronic Components DSA700300L -
RFQ
 ECAD 1265 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA DSA7003 1 w Minip3-F2-B - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1,000 50 V 1 a 100NA（ICBO） PNP 400mv @ 50mA，500mA 120 @ 500mA，10V 120MHz
DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated DMG4800LK3-13 0.5800
RFQ
 ECAD 9337 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DMG4800 MOSFET （金属 o化物） TO-252-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 10a（10a） 4.5V，10V 17mohm @ 9a，10v 1.6V @ 250µA 8.7 NC @ 5 V ±25V 798 pf @ 10 V - 1.71W（TA）
DMN26D0UFB4-7 Diodes Incorporated DMN26D0UFB4-7 -
RFQ
 ECAD 2494 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 3-XFDFN DMN26 MOSFET （金属 o化物） X2-DFN1006-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 230ma（ta） 1.5V，4.5V 3ohm @ 100mA，4.5V 1.1V @ 250µA ±10V 14.1 pf @ 15 V - 350MW（TA）
ST13003-K STMicroelectronics ST13003-K 0.8600
RFQ
 ECAD 882 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-225AA，TO-126-3 ST13003 40 W SOT-32-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 400 v 1.5 a 1ma NPN 1.5V @ 500mA，1.5a 5 @ 1A，2V -
STB18NF25 STMicroelectronics STB18NF25 1.8300
RFQ
 ECAD 9031 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车，AEC-Q101，StripFet™II 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB STB18 MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 250 v 17a（TC） 10V 165mohm @ 8.5a，10v 4V @ 250µA 29.5 NC @ 10 V ±20V 1000 pf @ 25 V - 110W（TC）
STB18NM60N STMicroelectronics STB18NM60N -
RFQ
 ECAD 3908 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB STB18N MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 13A（TC） 10V 285mohm @ 6.5a，10v 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±25V 1000 pf @ 50 V - 110W（TC）
STF18NM60N STMicroelectronics STF18NM60N 2.9100
RFQ
 ECAD 977 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 STF18 MOSFET （金属 o化物） TO-220FP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 13A（TC） 10V 285mohm @ 6.5a，10v 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±25V 1000 pf @ 50 V - 30W（TC）
STK30N2LLH5 STMicroelectronics STK30N2LLH5 -
RFQ
 ECAD 2526 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™v 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 Polarpak® STK30 MOSFET （金属 o化物） Polarpak® 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 25 v 30A（TC） 4.5V，10V 2.9MOHM @ 15A，10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 4.5 V ±20V 2290 pf @ 25 V - 5.2W（TC）
STS11N3LLH5 STMicroelectronics STS11N3LLH5 -
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™v 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） STS11 MOSFET （金属 o化物） 8-SOIC - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 11A（TC） 4.5V，10V 14mohm @ 5.5A，10V 1V @ 250µA 5 NC @ 4.5 V +22V，-20V 724 PF @ 25 V - 2.7W（TC）
CSD16321Q5C Texas Instruments CSD16321Q5C 1.9800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN CSD1632 MOSFET （金属 o化物） 8-VSON-CLIP（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 25 v （31a）（TA），100A （TC） 3V，8V 2.4mohm @ 25a，8v 1.4V @ 250µA 19 nc @ 4.5 V +10V，-8V 3100 PF @ 12.5 V - 3.1W（TA）
CSD16340Q3 Texas Instruments CSD16340Q3 1.2000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN CSD16340 MOSFET （金属 o化物） 8-VSON-CLIP 3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 25 v 21a（21a），60a （TC） 2.5V，8V 4.5mohm @ 20a，8v 1.1V @ 250µA 9.2 NC @ 4.5 V +10V，-8V 1350 pf @ 12.5 V - （3W）（TA）
IRF7749L2TR1PBF Infineon Technologies IRF7749L2TR1PBF -
RFQ
 ECAD 5676 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 DirectFet™等距l8 MOSFET （金属 o化物） DirectFet™等距l8 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 33A（33A），375a（tc） 10V 1.5MOHM @ 120A，10V 4V @ 250µA 300 NC @ 10 V ±20V 12320 PF @ 25 V - 3.3W（TA），125W（tc）
IRLML2030TRPBF Infineon Technologies IRLML2030TRPBF 0.3900
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IRLML2030 MOSFET （金属 o化物） Micro3™/SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 2.7a（ta） 4.5V，10V 100mohm @ 2.7a，10v 2.3V @ 25µA 1 NC @ 4.5 V ±20V 110 pf @ 15 V - 1.3W（TA）
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    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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