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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
FQP19N20C	0.6300	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	200 v	19a（tc）	10V	170MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	139W（TC）
PH5030AL	0.2000	RFQ	6	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的							-						0000.00.0000	1
FDS6676AS-G	0.5600	RFQ	24	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-FDS6676AS-GTR	Ear99	8541.29.0095	893	n通道	30 V	14.5A（TA）	4.5V，10V	6mohm @ 14.5a，10v	3V @ 1mA	63 NC @ 10 V	±20V	2510 pf @ 15 V	-	1W（ta）
FS70SM-2＃201	5.9200	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SI2324DS-T1-BE3	0.6500	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2324	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI2324DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	1.6A（ta），2.3a（tc）	4.5V，10V	234mohm @ 1.5A，10V	2.8V @ 250µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	190 pf @ 50 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
APT106N60LC6	20.9500	RFQ	63	微芯片技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT106	MOSFET （金属 o化物）	TO-264（L）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT106N60LC6	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	106a（TC）	10V	35MOHM @ 53A，10V	3.5V @ 3.4mA	308 NC @ 10 V	±20V	8390 pf @ 25 V	-	833W（TC）
IMT65R107M1HXTMA1	-	RFQ	8797	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产				IMT65R			-	rohs3符合条件		到达不受影响				2,000
SI2304DDS-T1-BE3	0.4300	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2304	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI2304DDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	3.3a（ta），3.6a（3.6a）TC）	4.5V，10V	60mohm @ 3.2a，10v	2.2V @ 250µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	235 pf @ 15 V	-	1.1W（1.1W），1.7W（TC）
SI2319CDS-T1-BE3	0.5700	RFQ	216	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2319	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	40 V	3.1A（ta），4.4a（tc）	4.5V，10V	77MOHM @ 3.1A，10V	2.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	595 pf @ 20 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
IRF7821pbf	1.0000	RFQ	9751	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	30 V	13.6a（ta）	4.5V，10V	9.1MOHM @ 13A，10V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1010 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IXFH170N25X3	21.3100	RFQ	70	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH170	MOSFET （金属 o化物）	TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	250 v	170a（TC）	10V	7.4mohm @ 85a，10v	4.5V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	13500 PF @ 25 V	-	960W（TC）
FQB8N90CTM	1.0000	RFQ	2139	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	900 v	6.3a（TC）	10V	1.9OHM @ 3.15a，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	2080 pf @ 25 V	-	171W（TC）
BUK7Y153-100E115	-	RFQ	1495	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500
NTTFSS1D1N02P1E	1.0303	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Powerwdfn	NTTFSS1	MOSFET （金属 o化物）	9-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTTFSS1D1N02P1ETR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	25 v	39A（TA），264A（tc）	4.5V，10V	0.85MOHM @ 27A，10V	2V @ 934µA	60 NC @ 10 V	±16V	4360 pf @ 13 V	-	2W（ta），89w（tc）
R6524enjtl	6.6500	RFQ	94	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	R6524	MOSFET （金属 o化物）	LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	24A（TC）	10V	185mohm @ 11.3a，10v	4V @ 750µA	70 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	245W（TC）
YJG85G06AK	0.5770	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJG85G06AKTR	Ear99		5,000
DMN2710UFBQ-7B	-	RFQ	8738	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-UFDFN		MOSFET （金属 o化物）	X1-DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		31-DMN2710UFBQ-7BTR	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	20 v	1.3a（ta）	1.8V，4.5V	450MOHM @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±6V	42 pf @ 16 V	-	720MW（TA）
PSMN5R3-25MLDX	1.0000	RFQ	5003	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK33	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	25 v	70A（TC）	4.5V，10V	5.9MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 1mA	12.7 NC @ 10 V	±20V	858 pf @ 12 V	（（（）	51W（TC）
FDD850N10L	-	RFQ	6698	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	100 v	15.7A（TC）	5V，10V	75mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	28.9 NC @ 10 V	±20V	1465 PF @ 25 V	-	50W（TC）
NVMFS5C442NWFET1G	1.0181	RFQ	1941年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS5C442NWFET1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	29A（ta），140a（tc）	10V	2.3MOHM @ 50a，10v	4V @ 90µA	32 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），83W（tc）
IRL2203NPBF	-	RFQ	2624	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	30 V	116a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	1V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±16V	3290 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IPT65R080CFD7XTMA1	3.3605	RFQ	6407	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-Powersfn		-	PG-HSOF-8-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	-	650 v	-	-	-	-		-		-	-
RM4N650TI	0.4200	RFQ	7671	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM4N650TI		8541.10.0080	5,000	n通道	650 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	280 pf @ 50 V	-	28.5W（TC）
NVD5890NLT4G-VF01	-	RFQ	6667	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVD5890NLT4G-VF01TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	24A（24A），123A （TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 50a，10v	2.5V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±20V	4760 pf @ 25 V	-	（4W）（107W（ta）（TC）
SQ3426AEEV-T1_BE3	0.7100	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3426	MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	7A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 30 V	-	5W（TC）
ISC030N12NM6ATMA1	5.5400	RFQ	1581年	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC030N	MOSFET （金属 o化物）	PG-TSON-8-3	-		（1 （无限）					5,000	n通道	120 v	21a（21a），194a （TC）	8V，10V	3.04mohm @ 50a，10v	3.6V @ 141µA	74 NC @ 10 V	±20V	5500 pf @ 60 V	-	（3W（ta），250W（tc）
SQS460CENW-T1_GE3	0.8000	RFQ	50	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQS460	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQS460CENW-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	8A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 5.3a，10v	2.5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	580 pf @ 25 V	-	27W（TC）
IXFT74N20Q	-	RFQ	4283	ixys	-	管子	过时的				ixft74			下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30			-
TN5325K1-G	0.6800	RFQ	4	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C（TA）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TN5325	MOSFET （金属 o化物）	TO-236AB（SOT23）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	250 v	150mA（ta）	4.5V，10V	7ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	110 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
PH6325L，115	-	RFQ	7306	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PH63			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²