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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IPQC65R040CFD7XTMA1	7.4950	RFQ	3363	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	22-Powerbsop模块	IPDQ65		MOSFET （金属 o化物）			PG-HDSOP-22	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	750		n通道		650 v	64A（TC）	10V	40mohm @ 24.8a，10v	4.5V @ 1.24mA	97 NC @ 10 V	±20V	4975 PF @ 400 V	-	357W（TC）
6703	0.0777	RFQ	7826	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）	1.1W（TA）		SOT-23-6L	-	Rohs符合条件		到达不受影响	3141-6703Tr	Ear99	8541.29.0000	3,000	-			20V	2.9a（ta），3a（ta）		59MOHM @ 2.5a，2.5V，110MOHM @ 3A，4.5V	1.2V @ 250µA，1V @ 250µA	-		300pf @ 10V，405pf @ 10V	标准
GSFK0501E	0.4200	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			MOSFET （金属 o化物）	300MW（TA）		SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000	2个p通道			50V	180mA（TA）		4ohm @ 150mA，10v	3V @ 250µA	530pc @ 10V		25.2pf @ 25V	标准
GS2N7002KW	0.2400	RFQ	5	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）			SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000		n通道		60 V	340ma（ta）	4.5V，10V	2.5Ohm @ 300mA，10v	2.5V @ 250µA	2.4 NC @ 10 V	±20V	18 pf @ 30 V	-	350MW（TA）
TSM600P03C	0.3994	RFQ	2567	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM600		MOSFET （金属 o化物）			8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM600P03CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道		30 V	4.7A（TC）	4.5V，10V	60mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	5.1 NC @ 4.5 V	±20V	560 pf @ 15 V	-	2.1W（TC）
DI280N10TL	-	RFQ	5338	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）			收费	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2796-DI280N10TLTR		8541.29.0000	1		n通道		100 v	280a（TC）	10V	2mohm @ 50a，10v	4.2V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±20V	8150 PF @ 50 V	-	425MW（TC）
DI5A7N65D1K	-	RFQ	3548	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA（DPAK）	下载	不适用	不适用	供应商不确定	2796-DI5A7N65D1KTR	Ear99	8541.29.0000	1		n通道		650 v	5.7A（TC）	10V	430MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	18.4 NC @ 10 V	±30V	722 PF @ 325 V	-	36W（TC）
C3M0350120J-Tr	4.3834	RFQ	5969	Wolfspeed，Inc。	C3M™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	C3M0350120		SIC （硅碳化物交界晶体管）			TO-263-7	-				1697-C3M0350120J-Tr			800		n通道		1200 v	7.2A（TC）	15V	455MOHM @ 3.6A，15V	3.6V @ 1mA	13 NC @ 15 V	+15V，-4V	345 PF @ 1000 V		40.8W（TC）
HUF759453	1.0000	RFQ	3993	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	38A（TC）	10V	71MOHM @ 38A，10V	4V @ 250µA	280 NC @ 20 V	±20V	4023 PF @ 25 V	-	310W（TC）
MIXA10WB1200TMH	-	RFQ	8483	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	mita10w			63 W	三相桥梁整流器	Minipack2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	20	三期逆变器														pt	1200 v	17 a		2.1V @ 15V，9A				100 µA	是的
RJK0392DPA-WS＃j53	1.3900	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
AOTF66919L	0.9678	RFQ	4178	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF66919		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOTF66919LTR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	25A（25A），50A （TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 20A，10V	2.6V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	3420 PF @ 50 V	-	8.3W（32W），32W（tc）
FF100R12YT3B60BOMA1	52.0000	RFQ	13	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块				1650 w	标准	-	-				2156-FF100R12YT3B60BOMA1			6	半桥														沟	1200 v	140 a		2.15V @ 15V，100A				3 ma	是的	18.5 nf @ 25 V
IXDP20N60BD1	-	RFQ	7775	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXDP20	标准		140 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			300V，20A，22OHM，15V											40 ns	npt	600 v	32 a	40 a	2.8V @ 15V，20A	900µJ（在）上，400µJ（400µJ）	70 NC	-
KSC3265OMTF	0.0400	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				200兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																25 v	800 MA						100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 20mA，500mA	100 @ 100mA，1V	120MHz
SSM3J325F，LF	0.4100	RFQ	17	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J325		MOSFET （金属 o化物）			S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	2A（TA）	1.5V，4.5V	150MOHM @ 1A，4.5V	-	4.6 NC @ 4.5 V	±8V	270 pf @ 10 V	-	600MW（TA）
KSD1413TU	-	RFQ	9860	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSD1413			2 w		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																40 V	3 a						20µA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 4mA，2a	2000 @ 1A，2V	-
UPA2201UT1M-T1-AT	0.6500	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
APT15GP60BDLG	-	RFQ	1687年	Microsemi Corporation	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT15GP60	标准		250 w		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，15A，5OHM，15V												pt	600 v	56 a	65 a	2.7V @ 15V，15a	130µJ（在）上，121µJ（121µJ）	55 NC	8NS/29NS
IPP80N04S2-H4	-	RFQ	5591	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	80A（TC）	10V	4mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	148 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
AOTS21313C	0.1921	RFQ	4302	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	AOTS21313		MOSFET （金属 o化物）			6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOTS21313CTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	7.3a（ta）	4.5V，10V	32MOHM @ 7.3A，10V	2.2V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 15 V	-	2.7W（TA）
IPD122N10N3GATMA1	1.6300	RFQ	22	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD122		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	59A（TC）	6V，10V	12.2MOHM @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	94W（TC）
UPA2709GR-E1-A	0.9800	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
NTE2389	7.6700	RFQ	282	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件			2368-NTE2389	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	35A（TA）	10V	45mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA		30V	2000 pf @ 25 V	-	125W（TA）
IRFPS3815pbf	-	RFQ	6082	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-274AA			MOSFET （金属 o化物）			SUPER-247™to-274AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		150 v	105A（TC）	10V	15mohm @ 63a，10v	5V @ 250µA	390 NC @ 10 V	±30V	6810 PF @ 25 V	-	441W（TC）
FDS2070N7	2.0100	RFQ	15	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		150 v	4.1a（ta）	6V，10V	78MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	1884 PF @ 75 V	-	（3W）（TA）
IRFR4104PBF	-	RFQ	8776	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	42A（TC）	10V	5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
FDS6673BZ-G	0.6600	RFQ	126	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-FDS6673BZ-GTR	Ear99	8541.29.0095	758		P通道		30 V	14.5A（TA）	4.5V，10V	7.8mohm @ 14.5A，10V	3V @ 250µA	65 NC @ 5 V	±25V	4700 PF @ 15 V	-	1W（ta）
FDBL9401-F085T6	8.7500	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	FDBL9401		MOSFET （金属 o化物）			8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDBL9401-F085T6TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		40 V	58.4A（TA），240A （TC）		0.67MOHM @ 50a，10V	4V @ 290µA	148 NC @ 10 V	+20V，-16V	10000 PF @ 25 V	-	4.3W（TA），180.7W（tc）
AIGW50N65H5XKSA1	7.7800	RFQ	3081	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AIGW50	标准		270 w		pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，25a，12ohm，15V												沟	650 v		150 a	2.1V @ 15V，50a	（490µJ）（在140µJ上）	1018 NC	21NS/156NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²