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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
irfiz24g	-	RFQ	9931	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIZ24			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irfiz24g	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	37W（TC）
CPH3223-TL-E	0.4800	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-96	CPH3223				900兆	3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	3 a							1µA（ICBO）	NPN	240mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	380MHz
SMSD1001T3	0.0200	RFQ	300	Onmi	*	大部分	积极的											-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	10,000
2SA1020-O，CKF（j	-	RFQ	2405	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020				900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	1																					50 V	2 a							1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
2SD0602ARL	-	RFQ	1286	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SD0602				200兆	Mini3-G1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	500 MA							100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 30mA，300mA	120 @ 150mA，10V	200MHz
BLF278	159.9900	RFQ	6	Rochester Electronics，LLC	-	大部分	过时的	125 v			SOT-262A1			-	MOSFET		CDFM4	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-BLF278-2156	Ear99	8541.29.0075	2	2 n 通道（双）公共来源		2.5mA		200 ma	300W	18db											-										50 V
IRFR9120NTRL	-	RFQ	8990	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						100 v	6.6A（TC）	10V	480MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
MAGX-000035-015000	-	RFQ	4825	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	65 v			-			0Hz〜3GHz	hemt		-	下载		（1 （无限）	到达不受影响	1465-1497	Ear99	8541.29.0095	25			800mA		15 ma	500MW	15.5db											-										50 V
IPF031N13NM6ATMA1	2.7242	RFQ	3613	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IPF031N1N1NM6ATMA1TR			1,000
2N7002W-7	-	RFQ	6154	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2N7002			MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						60 V	115ma（ta）	5V，10V	7.5OHM @ 50mA，5V	2V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	200mw（ta）
BSC016N06NSATMA1	2.7600	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC016			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8 FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						60 V	（30a）（100a ta）（TC）	6V，10V	1.6mohm @ 50a，10v	2.8V @ 95µA	71 NC @ 10 V	±20V	5200 PF @ 30 V	-	2.5W（ta），139w（tc）
DU28200M	416.1000	RFQ	9570	MACOM技术解决方案	-	大部分	积极的	65 v		底盘安装	4L-FLG	DU28200		2MHz〜175MHz	n通道		-	-				1465-DU28200M			1	n通道		5mA		1 a	200W	13DB											-										28 V
IKW40N60H3FKSA1	6.8000	RFQ	1	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW40N60	标准			306 w	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，40a，7.9Ohm，15V															124 ns	沟渠场停止	600 v	80 a	160 a	2.4V @ 15V，40a	1.68mj	223 NC	19NS/197NS
MFT6P9A0S223	-	RFQ	6633	Meritek	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								MOSFET （金属 o化物）			-	Rohs符合条件	（1 （无限）		2997-MFT6P9A0S223TR	Ear99	8532.25.0020	10		P通道						60 V	9a（9a）				7 NC @ 30 V		405 pf @ 30 V
2SCR523UBTL	0.2100	RFQ	11	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-85	2SCR523				200兆	UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma							100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	350MHz
2SC50260RL	-	RFQ	1626年	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SC5026				1 w	Minip3-F1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	1,000																					80 V	1 a							100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，2V	120MHz
SNST3904DXV6T1G	-	RFQ	3388	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	ST3904				357MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SNST3904DXV6T1GTR	Ear99	8541.21.0095	1																					40V	200mA							50NA	2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BC817K25E6327HTSA1	0.3700	RFQ	89	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817				500兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					45 v	500 MA							100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	170MHz
SISC624P06X3MA1	-	RFQ	5239	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					SISC624						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000013956		0000.00.0000	3,000
IRFR9020TRLPBF	0.8803	RFQ	1998	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9020			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						50 V	9.9a（TC）	10V	280MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SIZ720DT-T1-GE3	0.6395	RFQ	1017	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZ720			MOSFET （金属 o化物）	27W，48W	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）							20V	16a		8.7MOHM @ 16.8A，10V	2V @ 250µA	23nc @ 10V		825pf @ 10V	逻辑级别门
IPG20N10S436AATMA1	1.2700	RFQ	9	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	IPG20N			MOSFET （金属 o化物）	43W	PG-TDSON-8-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）							100V	20a		36mohm @ 17a，10v	3.5V @ 16µA	15nc @ 10V		990pf @ 25V	-
ZVN4310A	1.5800	RFQ	1243	二极管合并	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	ZVN4310			MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	ZVN4310A-NDR	Ear99	8541.21.0095	4,000		n通道						100 v	900mA（ta）	5V，10V	500mohm @ 3a，10v	3V @ 1mA		±20V	350 pf @ 25 V	-	850MW（TA）
BCR129E6327	0.0400	RFQ	3185	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR129				200兆	PG-SOT23-3-11	下载					Ear99	8541.29.0075	6,000																					50 V	100 ma							100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	150 MHz	10 kohms
2SK1733-az	0.1800	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
ksp222222abu	0.0500	RFQ	110	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	6,483																					40 V	600 MA							10NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
AIKW30N60CTXKSA1	7.5000	RFQ	1122	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	aikw30	标准			187 W	pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，30a，10.6Ohm，15V																沟渠场停止	600 v	60 a	90 a	2.05V @ 15V，30a	（690µJ）（在），770µJ（OFF）上）	167 NC	23ns/254ns
IRF7855pbf	-	RFQ	3996	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		n通道						60 V	12a（12a）	10V	9.4mohm @ 12a，10v	4.9V @ 100µA	39 NC @ 10 V	±20V	1560 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
PJS6407_S1_00001	0.4700	RFQ	3	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	PJS6407			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						30 V	4.9a（ta）	4.5V，10V	64mohm @ 4.9A，10V	2.1V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	528 pf @ 15 V	-	2W（TA）
UNUR521E00L	0.2000	RFQ	3	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323	UNUR521				150兆	smini3-g1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma							500NA	npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v	150 MHz	47科姆斯	22 KOHMS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²