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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BC847B	0.0334	RFQ	1440	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC847BTR	Ear99	8541.21.0075	9,000														45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
2SA1797T100P	0.6500	RFQ	24	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SA1797		2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000														50 V	2 a	100NA（ICBO）	PNP	350mv @ 50mA，1a	82 @ 500mA，2V	200MHz
D44H8G	1.1400	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	D44H8		2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50														60 V	10 a	10µA	NPN	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	50MHz
2SA1052MDTR-E	0.1100	RFQ	8	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			150兆	3-mpak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000														30 V	100 ma	500NA（ICBO）	PNP	200mv @ 1mA，10mA	250 @ 2mA，12v	-
2SCR514RHZGTL	0.7900	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96			500兆	TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-2SCR514RHZGTLTR	Ear99	8541.21.0075	3,000														80 V	700 MA	1µA（ICBO）	NPN	300mv @ 15mA，300mA	120 @ 100mA，3v	320MHz
NE85630-T1	-	RFQ	1082	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	NE85630		150MW	SOT-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000			6DB〜12DB											12V	100mA		NPN		40 @ 7mA，3v	4.5GHz			1.3db〜2.2db @ 1GHz〜2GHz
MMBTA14LT1	-	RFQ	1490	Onmi	-	（CT）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA14		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														30 V	300 MA	-	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 10mA，5V	125MHz
BC857AW，115	0.0200	RFQ	279	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC857		200兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC857AW，115-954		0000.00.0000	1														45 v	100 ma	15NA（icbo）	PNP	600mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
2n2916a	9.0000	RFQ	50	固态公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-78-6金属罐	2N2916		500MW	到78	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2383-2N2916A	Ear99	8541.10.0080	10														45V	30mA	2NA	2 NPN （双）	350mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
MJE181	-	RFQ	1567年	Onmi	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE181		12.5 w	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJE181OS	Ear99	8541.29.0075	500														60 V	3 a	100NA（ICBO）	NPN	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
BC337-040G	-	RFQ	9355	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC337		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000														45 v	800 MA	100NA	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	210MHz
IRFI520N	-	RFQ	7202	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI520N	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	7.6A（TC）	10V	200mohm @ 4.3a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	30W（TC）
STP5NK52ZD	2.2300	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP5NK52	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		520 v	4.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4.5V @ 50µA	16.9 NC @ 10 V	±30V	529 pf @ 25 V	-	25W（TC）
BC847B/DG/B3,215	-	RFQ	4327	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	TO-236AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934066598215	Ear99	8541.21.0075	3,000														45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
SIHP28N65EF-GE3	3.4119	RFQ	1126	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP28	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	28a（TC）	10V	117MOHM @ 14A，10V	4V @ 250µA	146 NC @ 10 V	±30V	3249 PF @ 100 V	-	250W（TC）
BF392ZL1	0.0200	RFQ	24	Onmi	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
IXTT16N10D2	14.7600	RFQ	4473	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT16	MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtt16n10d2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	16A（TC）	0V	64mohm @ 8a，0v	-	225 NC @ 5 V	±20V	5700 PF @ 25 V	耗尽模式	830W（TC）
IPP019N06NF2SAKMA1	2.1800	RFQ	926	Infineon技术	strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-U05	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	33A（TA），185a （TC）	6V，10V	1.9MOHM @ 100A，10V	3.3V @ 129µA	162 NC @ 10 V	±20V	7300 PF @ 30 V	-	3.8W（188W），188W（tc）
SUD15N15-95-E3	2.2000	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD15	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		150 v	15A（TC）	6V，10V	95mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA（）	25 NC @ 10 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	2.7W（TA），62W（tc）
SI8802DB-T2-E1	0.5400	RFQ	175	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA	SI8802	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		8 V	3A（3A）	1.2V，4.5V	54mohm @ 1A，4.5V	700MV @ 250µA	6.5 NC @ 4.5 V	±5V		-	500MW（TA）
PDTC123ES，126	-	RFQ	1267	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTC123		500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000														50 V	100 ma	1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5v		2.2 kohms	2.2 kohms
PMPB07R0UNX	0.4900	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB07	MOSFET （金属 o化物）		DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	11.6a（ta）		9mohm @ 11.6a，4.5V	900mv @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±12V	1696 pf @ 10 V	-	1.9W（ta），12.5W（tc）
KFC4B22690L	0.1620	RFQ	1345	Nuvoton Technology Corporation	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	4-XFLGA，CSP	KFC4	MOSFET （金属 o化物）	420MW（TA）	4-CSP （1.1x1.1）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	816-KFC4B22690LTR	Ear99	8541.29.0095	20,000	-			20V	3.4a（ta）		32MOHM @ 1.7A，4.5V	1.4V @ 160µA	4.5NC @ 4V		426pf @ 10V	标准
KSC3503ESTU	-	RFQ	1900	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSC3503		7 W	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60														300 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 2mA，20mA	100 @ 10mA，10v	150MHz
IPD60R600E6ATMA1	0.7269	RFQ	9260	Infineon技术	Coolmos™E6	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	3.5V @ 200µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	63W（TC）
SI5435BDC-T1-E3	-	RFQ	3502	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5435	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	4.3a（ta）	4.5V，10V	45MOHM @ 4.3A，10V	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V		-	1.3W（TA）
FJV3113RMTF	0.0200	RFQ	60	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV311		200兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000														50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
FMMT625QTA	0.2193	RFQ	6471	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			625兆	SOT-23-3	-			到达不受影响	31-FMMT625QTATR	Ear99	8541.21.0075	3,000														150 v	1 a	100NA	NPN	300mv @ 50mA，1a	300 @ 200mA，10v	135MHz
PDTA114EK115	0.0300	RFQ	707	飞利浦	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BF720T1	-	RFQ	1601	Onmi	*	（CT）	过时的				BF720				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²