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晶体管（（102018）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
AT-32011-TR1G Broadcom Limited AT-32011-TR1G -
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 ECAD 9909 0.00000000 Broadcom Limited - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-253-4，TO-253AA AT-32011 200MW SOT-143 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 12.5db〜14dB 5.5V 32ma NPN 70 @ 2mA，2.7V - 1db〜1.3db @ 900MHz
NESG2101M05-A CEL NESG2101M05-A -
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 ECAD 5656 0.00000000 cel - 大部分 在sic中停产 150°C（TJ） 表面安装 SOT-343F NESG2101 500MW M05 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 NESG2101M05A Ear99 8541.21.0075 1 11db〜19dB 5V 100mA NPN 130 @ 15mA，2V 17GHz 0.6db〜1.2db @ 1GHz〜2GHz
RFM12N10 Harris Corporation RFM12N10 1.0000
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 ECAD 5559 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 MOSFET （金属 o化物） TO-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 21 n通道 100 v 12A（TC） 10V 200mohm @ 12a，10v 4V @ 250µA ±20V 850 pf @ 25 V - 75W（TC）
DMN1150UFL3-7 Diodes Incorporated DMN1150UFL3-7 0.0860
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 ECAD 4796 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 DMN1150 MOSFET （金属 o化物） 390MW x2-dfn1310-6（b型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 12V 2a 150MOHM @ 1A，4.5V 1V @ 250µA 1.4NC @ 4.5V 115pf @ 6V -
BD246B-S Bourns Inc. BD246B-S -
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 ECAD 9090 0.00000000 Bourns Inc. - 管子 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-218-3 BD246 3 W SOT-93 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 300 80 V 10 a 700µA PNP 4V @ 2.5a，10a 20 @ 3a，4v -
STW74NF30 STMicroelectronics STW74NF30 3.4335
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 ECAD 9069 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 STW74 MOSFET （金属 o化物） TO-247-3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 600 n通道 300 v 60a（TC） 10V 45mohm @ 30a，10v 4V @ 250µA 164 NC @ 10 V ±20V 5930 PF @ 25 V - 320W（TC）
ZXT10P12DE6TC Diodes Incorporated ZXT10P12DE6TC -
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 ECAD 1515年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 ZXT10P12D 1.1 w SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 10,000 12 v 3 a 100NA PNP 300mv @ 50mA，3a 300 @ 100mA，2V 110MHz
MJH11021G onsemi MJH11021G 5.3900
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 ECAD 114 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 MJH11021 150 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 MJH11021GOS Ear99 8541.29.0095 30 250 v 15 a 1ma pnp-达灵顿 4V @ 150mA，15a 400 @ 10a，5v 3MHz
2N5741 Microchip Technology 2N5741 77.3850
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 ECAD 6570 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 113 W TO-204AD（TO-3） - 到达不受影响 150-2N5741 Ear99 8541.29.0095 1 60 V 20 a - PNP 1.5V @ 1mA，10mA - -
BC559 onsemi BC559 -
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 ECAD 3230 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） BC559 500兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 100 ma 15NA（icbo） PNP 650mv @ 5mA，100mA 110 @ 2mA，5V 150MHz
SN75468N Texas Instruments SN75468N 1.0100
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 ECAD 820 0.00000000 Texas Instruments 汽车，AEC-Q100 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） 75468 - 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 100V 500mA - 7 NPN达灵顿 1.6V @ 500µA，350mA - -
HUF75945G3 Fairchild Semiconductor HUF75945G3 2.3100
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 ECAD 3 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 200 v 38A（TC） 10V 71MOHM @ 38A，10V 4V @ 250µA 280 NC @ 20 V ±20V 4023 PF @ 25 V - 310W（TC）
FDFMA2P853T Fairchild Semiconductor FDFMA2P853T 0.2700
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 ECAD 23 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 MOSFET （金属 o化物） 6-microfet（2x2） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 3A（3A） 1.8V，4.5V 120MOHM @ 3A，4.5V 1.3V @ 250µA 6 NC @ 4.5 V ±8V 435 pf @ 10 V Schottky 二极管（孤立） 1.4W（TA）
FGA25N120ANDTU onsemi FGA25N120ANDTU -
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 ECAD 1654年 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 FGA25N120 标准 310 w to-3p 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 600V，25a，10ohm，15V 350 ns npt 1200 v 40 a 75 a 3.2V @ 15V，25a 4.8mj（在）上，1MJ（1MJ） 200 NC 60NS/170NS
RFB18N10CSVM Harris Corporation RFB18N10CSVM 1.0000
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 ECAD 1540年 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-5 MOSFET （金属 o化物） TO-220-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 18A（TC） 10V 100mohm @ 9a，10v 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V - 79W（TC）
IRF7752GTRPBF Infineon Technologies IRF7752GTRPBF -
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 ECAD 2665 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF775 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 4.6a 30mohm @ 4.6A，10V 2V @ 250µA 9NC @ 4.5V 861pf @ 25V 逻辑级别门
IXFH150N15P IXYS IXFH150N15P 12.5700
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 ECAD 168 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 盒子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH150 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfh150n15p Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 150a（TC） 10V 13mohm @ 500mA，10v 5V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 5800 pf @ 25 V - 714W（TC）
FDS6898AZ-F085 Fairchild Semiconductor FDS6898AZ-F085 1.0000
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 ECAD 9659 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 下载 供应商不确定 到达不受影响 2156-FDS6898AZ-F085-600039 1
UNR211500L Panasonic Electronic Components UNUR211500L -
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 ECAD 6134 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 UNUR211 200兆 Mini3-G1 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 300µA，10mA 160 @ 5mA，10v 80 MHz 10 kohms
NTE2648 NTE Electronics, Inc NTE2648 1.9600
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 ECAD 537 0.00000000 NTE Electronics，Inc - 包 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2 w TO-220完整包 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2368-NTE2648 Ear99 8541.29.0095 1 230 v 1 a 1µA（ICBO） NPN 1.5V @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，5V 100MHz
SD1224-02 Microsemi Corporation SD1224-02 -
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 ECAD 6463 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 200°C（TJ） 底盘安装 M113 SD122 60W M113 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1 7.6dB 35V 5a NPN 20 @ 500mA，5V 175MHz -
TDTA114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA114Y，LM 0.1800
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 ECAD 8079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TDTA114 320兆W SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 90 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
DTA143EKAT146 Rohm Semiconductor DTA143EKAT146 0.2700
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 ECAD 40 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DTA143 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
2N7053_D26Z onsemi 2N7053_D26Z -
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 ECAD 4606 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） 2N7053 1 w TO-226-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,000 100 v 1.5 a 200NA npn-达灵顿 1.5V @ 100µA，100mA 1000 @ 1A，5V 200MHz
2SC563200L Panasonic Electronic Components 2SC563200L -
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 ECAD 8414 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC5632 150MW smini3-g1 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 - 8V 50mA NPN 100 @ 2mA，4V 1.1GHz -
BC548TFR onsemi BC548TFR -
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 ECAD 9238 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） BC548 500兆 TO-92-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 100 ma 15NA（icbo） NPN 600mv @ 5mA，100mA 110 @ 2mA，5V 300MHz
BSR30-QX Nexperia USA Inc. BSR30-QX 0.2765
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 ECAD 5302 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA BSR30 1.35 w SOT-89 - rohs3符合条件 到达不受影响 1727-BSR30-QXTR Ear99 8541.29.0075 1,000 60 V 1 a 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，500mA 40 @ 100mA，5V 100MHz
BCV46E6327HTSA1 Infineon Technologies BCV46E6327HTSA1 0.0820
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 ECAD 6347 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BCV46 360兆w PG-SOT23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 60 V 500 MA 100NA（ICBO） pnp-达灵顿 1V @ 100µA，100mA 10000 @ 100mA，5V 200MHz
FZT753TC Diodes Incorporated FZT753TC 0.8300
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 ECAD 4 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA FZT753 2 w SOT-223-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0075 4,000 100 v 2 a 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 200mA，2a 100 @ 500mA，2V 140MHz
MSD601-ST1 onsemi MSD601-ST1 -
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 ECAD 9569 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MSD60 200兆 SC-59 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 100NA NPN 500mv @ 10mA，100mA 290 @ 2mA，10v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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