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晶体管（（102018）

参考图片	产品编号	（（（）	数量	ECAD	可用数量	（kg）	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
	ARF466AG	65.5000	RFQ		2871	0.00000000	微芯片技术	-	管子	积极的	1000 v			TO-264-3，TO-264AA	ARF466	40.68MHz	MOSFET			TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		13a		300W	16dB											-					150 v
	AOD240	1.5600	RFQ		14	0.00000000	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD24		MOSFET （金属 o化物）			TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	23A（23A），70A （TC）	4.5V，10V	3mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 20 V	-	2.7W（ta），150W（TC）
	G110N06T	1.6000	RFQ		92	0.00000000	戈福德半导体	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道					60 V	110A（TC）	4.5V，10V	6.4mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±20V	5538 pf @ 25 V	-	120W（TC）
	IPD250N06N3GBTMA1	-	RFQ		8402	0.00000000	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD250N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					60 V	28a（TC）	10V	25mohm @ 28a，10v	4V @ 11µA	15 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 30 V	-	36W（TC）
	GKI07301	1.1600	RFQ		388	0.00000000	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			8-DFN（5x6）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					75 v	6a（6a）	4.5V，10V	23.2MOHM @ 12.4a，10V	2.5V @ 350µA	24 NC @ 10 V	±20V	1580 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），46W（tc）
	NPT2019	-	RFQ		7877	0.00000000	MACOM技术解决方案	-	托盘	积极的	160 v		表面安装	14-TDFN暴露垫		0Hz〜6GHz	hemt			14-DFN （3x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	25			3.5a	150 ma	25W	16dB											-					48 v
	TSM4N60ECP ROG	1.1500	RFQ		7	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM4N60		MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	545 pf @ 25 V	-	86.2W（TC）
	2N7002BKM315	-	RFQ		9258	0.00000000	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	2N7002		MOSFET （金属 o化物）			SOT-883	下载					Ear99	8541.21.0095	1		n通道					60 V	450mA（ta）	10V	1.6ohm @ 500mA，10v	2.1V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V	50 pf @ 10 V	-	360MW（TA）
	IRL3714ZSTRR	-	RFQ		6280	0.00000000	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					20 v	36a（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	7.2 NC @ 4.5 V	±20V	550 pf @ 10 V	-	35W（TC）
	G400P06T	-	RFQ		2550	0.00000000	戈福德半导体	g	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道					60 V	32A（TC）	10V	40mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	2598 PF @ 30 V	-	110W（TC）
	IGT8292M50	637.7400	RFQ		10	0.00000000	Integra Technologies Inc.	*	托盘	积极的					IGT8292						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2251-IGT8292M50	光盘3A001B3	8541.29.0075	5
	MRF6S24140HSR5	136.5600	RFQ		47	0.00000000	自由度半导体	-	大部分	过时的	68 v		表面安装	NI-880S		2.39GHz	ldmos			NI-880S	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	50			-	1.3 a	28W	15.2db											-					28 V
	PSMN1R4-30YLD/1X	-	RFQ		4063	0.00000000	Nexperia USA Inc.	-	大部分	过时的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1727-PSMN1R4-30YLD/1X	Ear99	8541.29.0095	1
	IPP60R600P6	-	RFQ		2466	0.00000000	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载						0000.00.0000	1		n通道					600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	4.5V @ 200µA	12 nc @ 10 V	±20V	557 PF @ 100 V	-	63W（TC）
	IRLR8726TRPBF	0.6800	RFQ		1	0.00000000	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR8726		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					30 V	86A（TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 25a，10v	2.35V @ 50µA	23 NC @ 4.5 V	±20V	2150 pf @ 15 V	-	75W（TC）
	2N7228U	-	RFQ		5727	0.00000000	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	12A（TC）	10V	415MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
	IPU09N03LA g	-	RFQ		1988	0.00000000	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU09N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					25 v	50A（TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 30a，10v	2V @ 20µA	13 NC @ 5 V	±20V	1642 PF @ 15 V	-	63W（TC）
	FF300R17ME3BOSA1	289.6780	RFQ		9620	0.00000000	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	不适合新设计		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FF300R17			1650 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																	沟渠场停止	1700 v	375 a	2.45V @ 15V，300A		3 ma	是的	27 NF @ 25 V

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