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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BC238ABU	-	RFQ	3358	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC238			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																25 v	100 ma						15NA	NPN	600mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	250MHz
SS9012GBU	0.0200	RFQ	318	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																20 v	500 MA						100NA（ICBO）	PNP	600mv @ 50mA，500mA	64 @ 50mA，1V	-
RN1903，LF（ct	0.2700	RFQ	55	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1903			200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																50V	100mA						100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz	22KOHMS	22KOHMS
2N5077	277.2100	RFQ	32	一般半导体	-	大部分	积极的	-	螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-3，螺柱				40 W	TO-59	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	2																250 v	3 a						250NA（ICBO）	-	2V @ 300mA，3a	90 @ 500mA，5V	40MHz
SQJQ160E-T1_GE3	3.5600	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		60 V	602a（TC）	10V	0.85MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	275 NC @ 10 V	±20V	16070 pf @ 25 V	-	600W（TC）
FDZ493P	0.2900	RFQ	47	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-WFBGA			MOSFET （金属 o化物）		9-BGA（1.55x1.55）	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	4.6a（ta）	2.5V，4.5V	46MOHM @ 4.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V	754 pf @ 10 V	-	1.7W（TA）
RN4910FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4910			100MW	ES6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	4,000																50V	100mA						100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200MHz，250MHz	4.7kohms	-
SMSD602-RT1G	0.4000	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMSD602			200兆	SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																50 V	500 MA						100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 30mA，300mA	120 @ 150mA，10V	-
HGT1S14N36G3VLT	1.5400	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		逻辑		100 W	i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			300V，7a，25ohm，5V												-	390 v	18 a		2.2V @ 5V，14a	-	24 NC	- /7µs
STW70N60DM6-4	13.9900	RFQ	166	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STW70		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	62A（TC）	10V	42MOHM @ 31a，10v	4.75V @ 250µA	99 NC @ 10 V	±25V	4360 pf @ 100 V	-	390W（TC）
IPB80N06S3L-06	-	RFQ	9231	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		55 v	80A（TC）	5V，10V	5.6mohm @ 56A，10V	2.2V @ 80µA	196 NC @ 10 V	±16V	9417 PF @ 25 V	-	136W（TC）
PBSS3540MB，315	0.0300	RFQ	49	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883				250兆	DFN1006B-3	下载					Ear99	8541.21.0075	9,947																40 V	500 MA						100NA（ICBO）	PNP	50MV @ 500µA，10mA	200 @ 10mA，2V	300MHz
IKZA40N120CS7XKSA1	11.4000	RFQ	240	Infineon技术	-	管子	积极的				ikza40					-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30
STB76NF80	-	RFQ	2268	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB76N		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		80 V	80A（TC）	10V	11mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	3700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
auirfs3107-7trl	4.5158	RFQ	6491	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		75 v	240a（TC）		2.6mohm @ 160a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V		9200 PF @ 50 V	-	370W（TC）
SSF6007	0.2100	RFQ	5	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000		P通道		50 V	130mA（TC）	10V	7ohm @ 130mA，10v	2V @ 1mA		±20V	45 pf @ 5 V	-	230MW（TC）
PCFA3612D	-	RFQ	6354	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-		（1 （无限）	到达不受影响	488-PCFA3612DTR	过时的		3,000
RM60N40LD	0.3300	RFQ	5995	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM60N40LDTR		8541.10.0080	25,000		n通道		40 V	60a（TC）	10V	13mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	1800 pf @ 20 V	-	65W（TC）
STP6N65M2	1.1900	RFQ	957	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP6N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	4A（TC）	10V	1.35ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	9.8 NC @ 10 V	±25V	226 pf @ 100 V	-	60W（TC）
irlr014ntrl	-	RFQ	1507	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		55 v	10A（TC）	4.5V，10V	140MOHM @ 6A，10V	1V @ 250µA	7.9 NC @ 5 V	±16V	265 pf @ 25 V	-	28W（TC）
FGH40N60SMDF	-	RFQ	4332	Onmi	-	管子	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH40N60	标准		349 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，6ohm，15V											90 ns	现场停止	600 v	80 a	120 a	2.5V @ 15V，40a	1.3mj（在）上，260µJ off）	119 NC	12NS/92NS
DRA9152Z0L	-	RFQ	9719	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-89，SOT-490	DRA9152			125 MW	ssmini3-f3-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																50 V	100 ma						500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，10v		510欧姆	5.1科姆斯
2SC594600L	-	RFQ	9603	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	SOT-723	2SC5946			100兆	SSSMINI3-F1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	10,000																20 v	50 mA						-	NPN	-	25 @ 2mA，10v	1.6GHz
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1	359.1000	RFQ	2746	Infineon技术	COOLSIC™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF08MR12		（SIC）	20MW（TC）	Ag-Easy1bm-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	2 n 通道（双）			1200V（1.2kV）	150a（TJ）		9.8mohm @ 150a，15v	5.55V @ 90mA	450NC @ 15V		16000pf @ 600V	-
FMMT411TD	2.6800	RFQ	2774	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				730兆	SOT-23（DN）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	500																15 v	600 MA						100NA（ICBO）	NPN	100mv @ 1mA，10mA	100 @ 10mA，10v	40MHz
bud42dt4g	-	RFQ	4620	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	芽42			25 w	DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																350 v	4 a						100µA	NPN	1V @ 500mA，2a	10 @ 2a，5v	-
MJE5742	-	RFQ	3328	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MJE57			2 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJE5742OS	Ear99	8541.29.0095	50																400 v	8 a						-	npn-达灵顿	3V @ 400mA，8a	200 @ 2a，5v	-
DTA114EKA-TP	-	RFQ	8605	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA114			200兆	SOT-23-3L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
FZT493ATC	-	RFQ	6944	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				2 w	SOT-223-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																100 v	1 a						100NA	NPN	600mv @ 100mA，1a	100 @ 250mA，10V	150MHz
2SD10300RL	-	RFQ	1865年	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SD1030			200兆	Mini3-G1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																40 V	50 mA						1µA	NPN	200mv @ 1mA，10mA	400 @ 2mA，10v	200MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²