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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
XP151A13A0MR	0.2284	RFQ	7043	托雷克斯半导体有限公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	XP151A		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道			20 v	1A（1A）	1.5V，4.5V	100mohm @ 500mA，4.5V	-		±8V	220 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
FP75R12N2T4BOSA1	188.0800	RFQ	9	Infineon技术	Econopim™2	托盘	在sic中停产	-	-	-	FP75R12				-	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	-															-				-
FF450R12KE4PHOSA1	264.3550	RFQ	2866	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF450R12				标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8	半桥逆变器															沟渠场停止	1200 v	450 a		2.15V @ 15V，450a				5 ma	不	28 NF @ 25 V
MCT04N10-TP	0.2650	RFQ	8240	微商业公司	-	大部分	上次购买	-55°C〜150°C	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	MCT04		MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载				353-MCT04N10-TP	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			100 v	3.7a	10V	140MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	690 pf @ 25 V	-	-
IPI100N06S3-03	-	RFQ	7246	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI100N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			55 v	100A（TC）	10V	3.3mohm @ 80a，10v	4V @ 230µA	480 NC @ 10 V	±20V	21620 PF @ 25 V	-	300W（TC）
MSC100SM70JCU3	58.4100	RFQ	6	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	MSC100SM70JCU3		sicfet （碳化硅）			SOT-227（ISOTOP®）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSC100SM70JCU3	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			700 v	124A（TC）	20V	19mohm @ 40a，20v	2.4V @ 4mA	215 NC @ 20 V	+25V，-10V	4500 PF @ 700 V	-	365W（TC）
JANTX2N6689	-	RFQ	3730	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/537	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TA）	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱				3 W		TO-61	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																	300 v	100 µA						100µA			NPN	5V @ 5a，15a	15 @ 1a，3v	-
IRFR9310TRL	-	RFQ	4144	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9310		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
FDS6612A	0.9000	RFQ	11	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS6612		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	8.4a（ta）	4.5V，10V	22mohm @ 8.4a，10v	3V @ 250µA	7.6 NC @ 5 V	±20V	560 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
APTGF165A60D1G	-	RFQ	4615	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	D1				781 w	标准	D1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥															npt	600 v	230 a		2.45V @ 15V，200a				250 µA	不	9 nf @ 25 V
ZXMN6A07FTC	-	RFQ	3188	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ZXMN6		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道			60 V	1.2A（TA）	4.5V，10V	250MOHM @ 1.8A，10V	3V @ 250µA	3.2 NC @ 10 V	±20V	166 pf @ 40 V	-	625MW（TA）
SSM3J356R，LF	0.4100	RFQ	318	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3J356		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			60 V	2A（TA）	4V，10V	300MOHM @ 1A，10V	2V @ 1mA	8.3 NC @ 10 V	+10V，-20V	330 pf @ 10 V	-	1W（ta）
2SC5753-T2-A	-	RFQ	4933	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-343F				205MW		SOT-343F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000				13.5dB													6V	100mA									NPN		75 @ 30mA，3v	12GHz			1.7dB @ 2GHz
SQ4080EY-T1_GE3	1.3300	RFQ	23	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4080		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			150 v	18A（TC）	10V	85mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1590 pf @ 75 V	-	7.1W（TC）
SI7308DN-T1-E3	1.1800	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7308		MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			60 V	6A（TC）	4.5V，10V	58MOHM @ 5.4A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	665 pf @ 15 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
BC237B-AP	-	RFQ	7178	微商业公司	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC237			350兆		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	2,000																	45 v	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	200MHz
IPP065N03LG	0.3500	RFQ	2	Infineon技术	coolmos™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			30 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	2400 pf @ 15 V	-	56W（TC）
IPN70R600P7SATMA1	0.8700	RFQ	393	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN70R600		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			700 v	8.5A（TC）	10V	600MOHM @ 1.8A，10V	3.5V @ 90µA	10.5 NC @ 10 V	±16V	364 PF @ 400 V	-	6.9W（TC）
IKW25N120T2XK	-	RFQ	9251	Infineon技术	Trechstop®	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		349 w		PG-TO247-3-21	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			600V，25a，16.4Ohm，15V												195 ns	沟渠场停止	1200 v	50 a	100 a	2.2V @ 15V，25a	1.55MJ（在）上，1.35MJ OFF）	120 NC	27NS/265NS
SSTA28T116	0.4800	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSTA28			200兆		SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	80 V	300 MA						500NA			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	200MHz
BC32725TA	0.3800	RFQ	6	Onmi	-	（CT）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC32725			625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																	45 v	800 MA						100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
BCR22PN-AQ	0.0707	RFQ	3195	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR22			250MW		SOT-363	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	2796-BCR22PN-AQTR		8541.21.0000	3,000																	60V	100mA						100NA（ICBO）			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170MHz	22KOHMS	22KOHMS
FQP2N40-F080	-	RFQ	7600	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP2		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			400 v	1.8A（TC）	10V	5.8OHM @ 900mA，10V	5V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	40W（TA）
DRC5114E0L	-	RFQ	6714	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-85	DRC5114			150兆		smini3-f2-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																	50 V	100 ma						500NA			npn-预先偏见	250mv @ 500µA，10mA	35 @ 5mA，10v		10 kohms	10 kohms
PN200RM	-	RFQ	9582	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN200			625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																	45 v	500 MA						50NA			PNP	400mv @ 20mA，200mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
NE46134-T1	-	RFQ	2153	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	NE46134			2W		SOT-89	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000				-													15V	250mA									NPN		40 @ 50mA，10v	5.5GHz			1.5db〜2dB @ 500MHz〜1GHz
PBRN123ET，215	0.3700	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PBRN123			250兆		TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																	40 V	600 MA						500NA			npn-预先偏见	1.15V @ 8mA，800mA	280 @ 300mA，5V		2.2 kohms	2.2 kohms
2SA1774EBTLP	0.0683	RFQ	3769	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	2SA1774			150兆		EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	150 ma						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	140MHz
BD239A-S	-	RFQ	8262	Bourns Inc.	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD239			2 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	15,000																	60 V	2 a						300µA			NPN	700mv @ 200mA，1a	15 @ 1A，4V	-
PBR941,215	-	RFQ	1630	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PBR94			360MW		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000				-													10V	50mA									NPN		50 @ 5mA，6v	8GHz			1.4db〜2dB @ 1GHz〜2GHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²