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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
2SJ606-zk-e1-ay	2.8300	RFQ	800	nec公司	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-220SMD	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	800		P通道					60 V	83a	10V	15mohm @ 42a，10v	2.5V @ 1mA	120 NC @ 10 V	±20V	4800 pf @ 10 V	-	120W
UNUR411E00A	-	RFQ	1752年	松下电子组件	-	（CT）	过时的			通过洞	3-SIP	UNR411			300兆		NS-B1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	5,000																			50 V	100 ma			500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v	80 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
IPD60R600CPATMA1	-	RFQ	1174	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000680642	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					600 v	6.1A（TC）	10V	600mohm @ 3.3a，10v	3.5V @ 220µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 100 V	-	60W（TC）
RD3L01BATTL1	1.1600	RFQ	12	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3L01		MOSFET （金属 o化物）			TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					60 V	10a（10a）	4.5V，10V	84mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	15.2 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 30 V	-	26W（TA）
BFP640FESDH6327XTSA1	0.7200	RFQ	9874	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP640			200MW		4-TSFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						8b〜30.5dB													4.7V	50mA						NPN		110 @ 30mA，3v	46GHz			0.55db〜1.7dB @ 150MHz〜10GHz
76020H	-	RFQ	2640	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的											-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1
NTE2634	1.9400	RFQ	1	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				3W		TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2368-NTE2634	Ear99	8541.29.0095	1						-													95V	300mA						PNP		20 @ 50mA，10v	1.2GHz			-
CP616-2N5160-CT	-	RFQ	9165	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死				-		死	-				1514-CP616-2N5160-CT	过时的		500						-													40V	400mA						PNP		10 @ 50mA，5V	500MHz			-
BFG505/X，235	-	RFQ	5935	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFG50			150MW		SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934018770235	Ear99	8541.21.0075	10,000						-													15V	18mA						NPN		60 @ 5mA，6v	9GHz			1.2db〜1.9dB @ 900MHz〜2GHz
KSC1674COTA	-	RFQ	2853	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSC1674			250MW		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000						-													20V	20mA						NPN		70 @ 1mA，6v	600MHz			3DB〜5DB @ 100MHz
JAN2N3762U4	-	RFQ	2222	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅						U4	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																			40 V	1.5 a			-			PNP	-	-	-
MCH4009-TL-H	0.5800	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-343F	MCH4009			120MW		4-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000						13.5dB													3.5V	40mA						NPN		50 @ 5mA，1V	25GHz			1.1db @ 2GHz
LM3046M	-	RFQ	5963	Texas Instruments	-	管子	过时的		-40°C〜85°C（TA）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	LM3046			750MW		14-Soic	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	55						-													15V	50mA						5 NPN		40 @ 1mA，3v	-			3.25db @ 1kHz
mpsh17rlrag	-	RFQ	2397	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSH17			350MW		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000						24dB													15V	-						NPN		25 @ 5mA，10v	800MHz			6DB @ 200MHz
BF959ZL1	-	RFQ	8136	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BF959			625MW		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000						-													20V	100mA						NPN		40 @ 20mA，10v	700MHz			3DB @ 200MHz
BC846AQ	0.0190	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-BC846AQTR	Ear99		3,000
2N2605	15.6142	RFQ	8472	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N2605			400兆		TO-46-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2266-2N2605	Ear99	8541.21.0095	1																			60 V	30 ma			10NA			PNP	300mv @ 500µA，10mA	100 @ 10mA，5v	-
NE68139R-T1	-	RFQ	6768	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-143R	NE68139			200MW		SOT-143R	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						13.5dB													10V	65mA						NPN		50 @ 7mA，3v	9GHz			1.2db〜2dB @ 1GHz
DDTA144WE-7	0.3500	RFQ	5	二极管合并	*	（CT）	积极的					DDTA144						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1034-DDTA144WE-7DKR	Ear99	8541.21.0075	3,000
2n3906rlrag	-	RFQ	1477	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2N3906			625兆		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																			40 V	200 ma			-			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
2SC4626JCl	-	RFQ	1271	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	2SC4626			125MW		SSMINI3-F1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000						-													20V	30mA						NPN		110 @ 1mA，10v	250MHz			2.8db〜4dB @ 5MHz
BC817-40WHE3-TP	0.2400	RFQ	5	微商业公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817			200兆		SOT-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																			45 v	500 MA			100NA（ICBO）				700mv @ 50mA，500mA	250 @ 500mA，1V	100MHz
DPLS160V-7	0.3500	RFQ	4463	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DPLS160			300兆		SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			60 V	1 a			100NA			PNP	330mv @ 100mA，1a	150 @ 500mA，5V	220MHz
mpsh10rlra	-	RFQ	6650	Onmi	*	（CT）	过时的					MPSH10						下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000
BLC9G20LS-1220VY	-	RFQ	9849	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-1275-3	BLC9	1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos			SOT-1275-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100			-	700 MA	120W	19.2db											-					28 V
SPP100N03S203	-	RFQ	5634	Infineon技术	Optimos™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP100N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					30 V	100A（TC）	10V	3.3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	7020 PF @ 25 V	-	300W（TC）
CMSBN6601-HF	0.5241	RFQ	7242	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	6-SMD，没有铅	CMSBN6601		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）		CSPB2718-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	13A（TA）		11.5MOHM @ 3A，4.5V	1.3V @ 1mA	25.4NC @ 10V		-	-
XP151A13A0MR	0.2284	RFQ	7043	托雷克斯半导体有限公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	XP151A		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	1A（1A）	1.5V，4.5V	100mohm @ 500mA，4.5V	-		±8V	220 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
FP75R12N2T4BOSA1	188.0800	RFQ	9	Infineon技术	Econopim™2	托盘	在sic中停产		-	-	-	FP75R12				-	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	-																	-			-
FF450R12KE4PHOSA1	264.3550	RFQ	2866	Infineon技术	c	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF450R12				标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8	半桥逆变器																	沟渠场停止	1200 v	450 a	2.15V @ 15V，450a		5 ma	不	28 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²