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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	噪声图（ db typ @ f）
BF720T1	-	RFQ	1601	Onmi	*	（CT）	过时的				BF720					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
2SB12210QA	-	RFQ	1791年	松下电子组件	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SB1221		1 w		TO-92NL-A1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	3,000															200 v	70 MA					-				PNP	1.5V @ 5mA，50mA	60 @ 5mA，10v	80MHz
BC547A	-	RFQ	2129	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC547		500兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															45 v	100 ma					15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
DTC144GUAT106	0.0536	RFQ	1775年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC144		200兆		UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma					500NA				npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯
KSA1013YBU	0.5100	RFQ	4	Onmi	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSA1013		900兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	6,000															160 v	1 a					1µA（ICBO）				PNP	1.5V @ 50mA，500mA	60 @ 200ma，5V	50MHz
IPP80R360P7XKSA1	2.8400	RFQ	21	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP80R360	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	13A（TC）	10V	360MOHM @ 5.6A，10V	3.5V @ 280µA	30 NC @ 10 V	±20V	930 PF @ 500 V	-	84W（TC）
IRF8304MTR1PBF	-	RFQ	2593	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX	IRF8304	MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		30 V	28a（28a），170a （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 28A，10V	2.35V @ 100µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	4700 PF @ 15 V	-	2.8W（TA），100W（TC）
IRF3704ZC	-	RFQ	8299	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3704ZC	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		20 v	67A（TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 21a，10V	2.55V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1220 pf @ 10 V	-	57W（TC）
U291	-	RFQ	7340	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-206AC，TO-52-3	U291		500兆		TO-206AC（to-52）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200		n通道									160pf @ 0v							30 V	200 ma @ 10 V	1.5 V @ 3 na				7欧姆
SI3467DV-T1-E3	-	RFQ	3502	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3467	MOSFET （金属 o化物）			6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	3.8A（TA）	4.5V，10V	54mohm @ 5A，10V	3V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
IRF7901D1TR	-	RFQ	5097	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7901	MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）			30V	6.2a		38mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	10.5NC @ 5V		780pf @ 16V	逻辑级别门
IPB14N03LA g	-	RFQ	6208	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB14N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		25 v	30A（TC）	4.5V，10V	13.6mohm @ 30a，10v	2V @ 20µA	8.3 NC @ 5 V	±20V	1043 PF @ 15 V	-	46W（TC）
VS-GT250SA60S	35.5788	RFQ	5342	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			750 w	标准	SOT-227	下载			到达不受影响	112-VS-GT250SA60S	Ear99	8541.29.0095	160	单身的													沟渠场停止	600 v	359 a	1.16V @ 15V，100a				100 µA	不	24.2 NF @ 25 V
RJL5013DPP-00 ＃T2	3.5200	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
BCX52-16,135	0.4700	RFQ	41	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX52		1.3 w		SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000															60 V	1 a					100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	145MHz
MCH3477-TL-E	-	RFQ	2744	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	MCH34	MOSFET （金属 o化物）			SC-70FL/MCPH3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	38mohm @ 2A，4.5V	-	5.1 NC @ 4.5 V	±12V	410 pf @ 10 V	-	1W（ta）
NE97833-T1B-A	2.4000	RFQ	7691	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200MW		SOT23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0000	3,000			10dB												12V	50mA									PNP		20 @ 15mA，10v	5.5GHz		2DB @ 1GHz
IPW65R190E6FKSA1	-	RFQ	5902	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R	MOSFET （金属 o化物）			PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道		650 v	20.2A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	3.5V @ 730µA	73 NC @ 10 V	±20V	1620 PF @ 100 V	-	151W（TC）
IPZA65R018CFD7XKSA1	21.2600	RFQ	9406	Infineon技术	CoolMos™CFD7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IPZA65R	MOSFET （金属 o化物）			PG-TO247-4-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	106a（TC）	10V	18mohm @ 58.2a，10v	4.5V @ 2.91ma	234 NC @ 10 V	±20V	11660 PF @ 400 V	-	446W（TC）
JANTX2N2432AUB	226.4724	RFQ	4014	微芯片技术	-	大部分	积极的	200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅					UB	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1															30 V	100 ma					-				NPN	-	-	-
JANS2N2906AUA	103.9706	RFQ	7595	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2906		500兆		UA	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															60 V	600 MA					50NA				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
BFP540E6327BTSA1	-	RFQ	9855	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP540		250MW		PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000			21.5db												5V	80mA									NPN		50 @ 20mA，3.5V	30GHz		0.9db〜1.4dB @ 1.8GHz
BC239BTA	-	RFQ	6932	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC239		500兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															25 v	100 ma					15NA				NPN	600mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	250MHz
ULQ2004D1013TR	0.9100	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	ULQ2004		-		16件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500															50V	500mA					-				7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
FZT704TA	-	RFQ	4568	二极管合并	-	Digi-Reel®	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FZT704		2 w		SOT-223-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000															100 v	1.5 a					10µA				pnp-达灵顿	2.5V @ 2mA，2a	3000 @ 1A，5V	160MHz
MMDT3904-TP	0.3800	RFQ	7	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MMDT3904		200MW		SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															40V	200mA					50NA				2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
JASP2N3440UA	-	RFQ	7512	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			800兆		UA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSP2N3440UA	Ear99	8541.21.0095	1															250 v	1 a					2µA				NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
2N3773G	7.4800	RFQ	59	Onmi	-	托盘	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N3773		150 w		TO-204（TO-3）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100															140 v	16 a					10mA				NPN	1.4V @ 800mA，8a	15 @ 8a，4v	-
ZTX10470ASTOA	-	RFQ	3572	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	通过洞	e-line-3，形成的铅			1 w		to-92兼容）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000															10 v	4 a					10NA				NPN	185MV @ 10mA，3a	300 @ 1A，2V	150MHz
ZDT717TC	-	RFQ	2631	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-223-8	ZDT717		2.5W		SM8	下载		（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000															12V	2.5a					100NA				2 PNP （双）	220mv @ 50mA，2.5a	300 @ 100mA，2V	110MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²