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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SI5441BDC-T1-GE3	1.1800	RFQ	6324	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5441		MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	4.4a（ta）	2.5V，4.5V	45MOHM @ 4.4A，4.5V	1.4V @ 250µA	22 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
NP180N04TUK-E1-AY	5.1700	RFQ	790	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	NP180N04		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	180a（TC）	10V	1.05MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	297 NC @ 10 V	±20V	15750 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），348W（tc）
2SD667-C-AP	-	RFQ	2798	微商业公司	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2SD667			900兆	to-92mod	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	1,000																		80 V	1 a		10µA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，5V	140MHz
DTC123TM3T5G	-	RFQ	9646	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-723	DTC123			260兆	SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																		50 V	100 ma		500NA	npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v		2.2 kohms
PJA3440_R1_00001	0.4000	RFQ	26	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PJA3440		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					40 V	4.3a（ta）	4.5V，10V	42MOHM @ 4.3A，10V	2.5V @ 250µA	4.8 NC @ 4.5 V	±20V	410 pf @ 20 V	-	1.25W（TA）
2SD880-Q-BP	-	RFQ	4659	微商业公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2SD880			1.5 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000																		60 V	3 a		100µA（ICBO）	NPN	1V @ 300mA，3a	60 @ 500mA，5V	3MHz
TM-10	-	RFQ	7632	Rochester Electronics，LLC	-	大部分	过时的										-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-TM-10-2156	Ear99	8541.29.0095	1
SSM6K211FE，LF	0.5400	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6K211		MOSFET （金属 o化物）		ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	4,000		n通道					20 v	3.2A（ta）	1.5V，4.5V	47MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 1mA	10.8 NC @ 4.5 V	±10V	510 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
JAN2N336T2	-	RFQ	3108	微芯片技术	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																		45 v	10 MA		-	NPN	-	-	-
IRFB16N50KPBF	-	RFQ	5772	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB16		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB16N50KPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	17a（TC）	10V	350MOHM @ 10A，10V	5V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±30V	2210 PF @ 25 V	-	280W（TC）
CAB530M12BM3	945.9100	RFQ	7	Wolfspeed，Inc。	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	CAB530		（SIC）	-	模块	下载	Rohs不合规	不适用			Ear99	8541.29.0095	1	2 n通道						1200V（1.2kV）	530a		3.55MOHM @ 530a，15v	3.6V @ 140mA	1362NC @ 4V		39600pf @ 800V	-
IPTG054N15NM5ATMA1	6.5100	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼			MOSFET （金属 o化物）		PG-HSOG-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IPTG054N15NM5ATMA1CT	Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道					150 v	17.5A（TA），143a （TC）	8V，10V	5.4mohm @ 50a，10v	4.6V @ 191µA	73 NC @ 10 V	±20V	5700 PF @ 75 V	-	3.8W（TA），250W（TC）
DMTH6005LK3-13	1.1200	RFQ	3913	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMTH6005		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					60 V	90A（TC）	4.5V，10V	5.6mohm @ 50a，10v	3V @ 250µA	47.1 NC @ 10 V	±20V	2962 PF @ 30 V	-	2.1W（TA），100W（TC）
MHT1005HSR3	-	RFQ	8839	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的						-	-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-MHT1005HSR3	过时的		50	-		-		-	-											-
RCJ120N20TL	1.3000	RFQ	33	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RCJ120		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					200 v	12A（TC）	10V	325MOHM @ 6A，10V	5.25V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±30V	740 pf @ 25 V	-	1.56W（ta），40W（TC）
2SC4420	-	RFQ	9862	松下电子组件	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	前3f	2SC442			3 W	TOP-3F-A1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	40																		800 v	3 a		50µA（ICBO）	NPN	1.5V @ 160mA，800mA	6 @ 800mA，5V	10MHz
BUK9Y40-55B/C3,115	-	RFQ	6309	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的										-						0000.00.0000	1
BF2040WH6814XTSA1	-	RFQ	1018	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF2040	800MHz	MOSFET		PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		40mA	15 ma	-	23dB											1.6dB			5 v
RFD16N05	-	RFQ	1243	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	RFD16		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	RFD16N05-NDR	Ear99	8541.29.0095	75		n通道					50 V	16A（TC）	10V	47mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 20 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	72W（TC）
DMG564010R	-	RFQ	7202	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	6-SMD，平坦的铅	DMG56401			150MW	smini6-f3-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																		50V	100mA		500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 500µA，10mA	35 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	10KOHMS
JANSF2N2369AUBC	305.8602	RFQ	8516	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2n2369a			360兆w	3-SMD	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																		15 v	400 NA		400NA	NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
5LP01S-TL-E	-	RFQ	6464	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	5LP01		MOSFET （金属 o化物）		SMCP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					50 V	70mA（ta）	1.5V，4V	23ohm @ 40mA，4V	-	1.4 NC @ 10 V	±10V	7.4 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
JANTXV2N3507L	17.7023	RFQ	3710	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3507			1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		50 V	3 a		-	NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	30 @ 1.5A，2V	-
APTC60DAM24T3G	129.7000	RFQ	1094	微芯片技术	coolmos™	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTC60		MOSFET （金属 o化物）	462W	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 频道（双重斩波器）						600V	95a		24mohm @ 47.5A，10V	3.9V @ 5mA	300NC @ 10V		14400pf @ 25V	超交界处
IRF2807ZSPBF	-	RFQ	5895	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					75 v	75A（TC）	10V	9.4mohm @ 53a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	170W（TC）
IRF6794MTR1PBF	2.2500	RFQ	624	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					25 v	32A（TA），200a （TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 32A，10V	2.35V @ 100µA	47 NC @ 4.5 V	±20V	4420 PF @ 13 V	（（（）	2.8W（TA），100W（TC）
FQI5N40TU	-	RFQ	9499	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI5		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					400 v	4.5A（TC）	10V	1.6OHM @ 2.25a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），70W（tc）
IRLR024NPBF	-	RFQ	4239	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					55 v	17a（TC）	4V，10V	65mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRLI2203N	-	RFQ	1202	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLI2203N	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	61A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 37a，10v	1V @ 250µA	110 NC @ 4.5 V	±16V	3500 PF @ 25 V	-	47W（TC）
SCT4013DRC15	42.4300	RFQ	881	Rohm半导体	-	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT4013		sicfet （碳化硅）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT4013DRC15	Ear99	8541.29.0095	450		n通道					750 v	105A（TC）	18V	16.9mohm @ 58a，18v	4.8V @ 30.8mA	170 NC @ 18 V	+21V，-4V	4580 pf @ 500 V	-	312W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²