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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
IRFP3077pbf	6.2100	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP3077			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道						75 v	120A（TC）	10V	3.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 50 V	-	340W（TC）
R6004PND3FRATL	2.9200	RFQ	4	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6004			MOSFET （金属 o化物）			TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6004PND3FRATLTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	4A（TC）	10V	1.8Ohm @ 2a，10v	4.5V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±25V	280 pf @ 25 V	-	65W（TC）
MIXA150Q1200VA	34.0754	RFQ	4507	ixys	-	盒子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	v1a-pak	Mixa150				695 w	标准	v1a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	单身的																		pt	1200 v	220 a		2.1V @ 15V，150a								100 µA	不
SIL3439KA-TP	0.0435	RFQ	9405	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	SIL3439			MOSFET （金属 o化物）	1.25W		SOT-23-6L	下载				353-SIL3439KA-TP	Ear99	8541.29.0095	1	n和p通道							20V	1.2a，1a		300MOHM @ 650mA，4.5V，850MOHM @ 1A，4.5V	1.1V @ 250µA	0.8NC @ 4.5V，0.86NC @ 4.5V		33pf @ 16V，40pf @ 16V	逻辑级别门
SPD07N60C3T	-	RFQ	5432	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD07N			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
UF3SC065040D8S	-	RFQ	5835	Qorvo	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	UF3SC065040			sicfet（cascode sicjfet）			4-DFN（8x8）	下载		3（168））			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						650 v	18A（TC）	12V	58mohm @ 20a，12v	6V @ 10mA	43 NC @ 12 V	±25V	1500 pf @ 100 V	-	125W（TC）
IPP260N06N3GXKSA1	-	RFQ	7463	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP260N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						60 V	27a（TC）	10V	26mohm @ 27a，10v	4V @ 11µA	15 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 30 V	-	36W（TC）
irfr010pbf	1.4700	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR010			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfr010pbf	Ear99	8541.29.0095	75		n通道						50 V	8.2A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	25W（TC）
STS8C5H30L	-	RFQ	2847	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS8C5			MOSFET （金属 o化物）	2W		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道							30V	8a，5.4a		22mohm @ 4a，10v	1V @ 250µA	10NC @ 5V		857pf @ 25V	逻辑级别门
NDS9933A	-	RFQ	1819年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS993			MOSFET （金属 o化物）	900MW		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）							20V	2.8a		140MOHM @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	8.5nc @ 4.5V		405pf @ 10V	逻辑级别门
MPSA20	0.1700	RFQ	460	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3					625兆		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规			2368-MPSA20	Ear99	8541.21.0095	1																				40 V	100 ma										100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 1mA，10mA	40 @ 5mA，10v	125MHz
SI7456CDP-T1-GE3	1.6700	RFQ	3200	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7456			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						100 v	27.5A（TC）	4.5V，10V	23.5mohm @ 10a，10v	2.8V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	730 PF @ 50 V	-	5W（5W），35.7W（TC）
SI7956DP-T1-GE3	3.1700	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7956			MOSFET （金属 o化物）	1.4W		POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							150V	2.6a		105MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	26NC @ 10V		-	逻辑级别门
SST202 SOT-23 3L ROHS	4.1300	RFQ	5	线性集成系统公司	SST202	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道													4.5pf @ 15V													40 V	900 µA @ 15 V	800 mv @ 10 na
NSBC124EPDXV6T5	0.0700	RFQ	624	Onmi	*	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000
MMBT2222A	-	RFQ	8163	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2222				350兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																				40 V	500 MA										10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
IRFI624G	-	RFQ	8475	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI624			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI624G	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						250 v	3.4A（TC）	10V	1.1OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	30W（TC）
FP75R12N2T4BPSA1	217.6653	RFQ	7773	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FP75R12				20兆	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																		沟渠场停止	1200 v	75 a		2.15V @ 15V，75a								1 MA	是的	4.3 NF @ 25 V
IHW30N90R	-	RFQ	1409	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			454 w		PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000209140	Ear99	8541.29.0095	240				600V，30a，15ohm，15V															沟渠场停止	900 v	60 a	90 a	1.7V @ 15V，30a	1.46mj	200 NC	- /511NS
SIHG25N50E-GE3	3.8600	RFQ	4359	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG25			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道						500 v	26a（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1980 pf @ 100 V	-	250W（TC）
IPB80R290C3AATMA1	-	RFQ	9854	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					IPB80R							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
FP50R12N2T7PB11BPSA1	145.8300	RFQ	3919	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块					20兆	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器																		沟渠场停止	1200 v	50 a		1.8V @ 15V，50a								10 µA	是的	11.1 NF @ 25 V
PTFA080551E-V4-R0	54.9642	RFQ	5872	Wolfspeed，Inc。	-	条	不适合新设计	65 v		底盘安装	H-36265-2	PTFA080551		869MHz〜960MHz	ldmos			H-36265-2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50			10µA		450 MA	55W	18.5db											-									28 V
IPS65R650Ceakma1	-	RFQ	4275	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPS65R650			MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						700 v	10.1A（TC）	10V	650MOHM @ 2.1A，10V	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	86W（TC）
DMP2165UW-7	0.3800	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	DMP2165			MOSFET （金属 o化物）			SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						20 v	2.5a（ta）	1.8V，4.5V	90MOHM @ 1.5A，4.5V	1V @ 250µA	3.5 NC @ 4.5 V	±12V	335 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
DTA015TUBTL	0.0536	RFQ	5225	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-85	DTA015				200兆		UMT3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma										500NA（ICBO）			pnp-预先偏见	250mv @ 250µA，5mA	100 @ 5mA，10v	250 MHz	100 kohms
SQJ974EP-T1_BE3	1.2800	RFQ	6570	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ974			MOSFET （金属 o化物）	48W（TC）		POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							100V	30A（TC）		25.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	30nc @ 10V		1050pf @ 25V	-
IPP60R160P6XKSA1	4.0300	RFQ	443	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R160			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001017068	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	23.8a（TC）	10V	160MOHM @ 9A，10V	4.5V @ 750µA	44 NC @ 10 V	±20V	2080 pf @ 100 V	-	176W（TC）
DF400R07W2S5FB77BPSA1	73.3647	RFQ	2639	Infineon技术	-	托盘	积极的												-	rohs3符合条件			448-DF400R07W2S5FB77BPSA1			15
RFP23N06LE	0.4100	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的												-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定				1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²