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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
dtc114yebtl	0.0488	RFQ	1526年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-89，SOT-490	DTC114				150兆		EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	70 MA							500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
AC847BWQ-7	0.2200	RFQ	3	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	AC847				200兆		SOT-323	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				45 v	100 ma							20NA（ICBO）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
IRF7805pbf	-	RFQ	5450	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		n通道						30 V	13A（TA）	4.5V	11MOHM @ 7A，4.5V	3V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±12V		-	2.5W（TA）
BUK9Y7R6-40E/GFX	-	RFQ	3908	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					buk9							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,500
IPI45N06S3-16	-	RFQ	2954	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI45N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						55 v	45A（TC）	10V	15.7MOHM @ 23A，10V	4V @ 30µA	57 NC @ 10 V	±20V	2980 pf @ 25 V	-	65W（TC）
FP50R06W2E3B11BOMA1	62.6193	RFQ	7960	Infineon技术	EasyPim™2B	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FP50R06				175 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																		沟渠场停止	600 v	65 a		1.9V @ 15V，50a					1 MA	是的	3.1 NF @ 25 V
M8550-B-AP	-	RFQ	3722	微商业公司	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	M8550				625兆		到92	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	2,000																				25 v	800 MA							100NA			PNP	500mv @ 80mA，800mA	80 @ 100mA，1V	150MHz
IRG4PC30UPBF	1.0000	RFQ	3660	国际整流器	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			100 W		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1				480V，12a，23ohm，15V															-	600 v	23 a	92 a	2.1V @ 15V，12A	160µJ（在）上，200µJ（200µJ）	75 NC	17NS/78NS
2N5550/D26Z	0.0200	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆		TO-92-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	15,000																				140 v	600 MA							100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
BFG590/X，215	-	RFQ	4324	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFG59				400MW		SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							-													15V	200mA										NPN		60 @ 70mA，8v	5GHz			-
R6024ENZC17	6.3700	RFQ	300	Rohm半导体	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	R6024			MOSFET （金属 o化物）			to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6024ENZC17	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	24A（TC）	10V	165mohm @ 11.3a，10v	4V @ 1mA	70 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	120W（TC）
FJP3305	-	RFQ	5085	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP3305				75 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																				400 v	4 a							1µA（ICBO）			NPN	1V @ 1A，4A	19 @ 1a，5v	4MHz
GSFD1550	1.9800	RFQ	2	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	2,500		n通道						150 v	50A（TC）	10V	22mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	3450 PF @ 75 V	-	133W（TC）
BLF10M6LS135U	-	RFQ	3732	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B			871.5MHz〜891.5MHz	ldmos			SOT502B	下载		（1 （无限）	到达不受影响	93406792112	过时的	0000.00.0000	20			-		950 MA	26.5W	21dB											-									28 V
TSM250N02CX RFG	0.8000	RFQ	409	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM250			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						20 v	5.8A（TC）	1.8V，4.5V	25mohm @ 4A，4.5V	800MV @ 250µA	7.7 NC @ 4.5 V	±10V	535 pf @ 10 V	-	1.56W（TC）
FDW2501NZ	-	RFQ	8759	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25			MOSFET （金属 o化物）	600MW		8-tssop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3	2 n 通道（双）							20V	5.5a		18mohm @ 5.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		1286pf @ 10V	逻辑级别门
IRG8CH37K10F	-	RFQ	1659年	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产					IRG8CH37	标准						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001532998	Ear99	8541.29.0095	1				600V，35A，5OHM，15V															-	1200 v			2V @ 15V，35a	-	210 NC	35NS/190NS
MJD50T4	-	RFQ	3325	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD50				15 W		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																				400 v	1 a							100µA			NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
SI3420A-TP-HF	-	RFQ	3103	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI3420			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23	下载				353-SI3420A-TP-HF	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						20 v	6a	2.5V，4.5V	28mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±10V	515 pf @ 10 V	-	1.25W
BD243-S	-	RFQ	2969	Bourns Inc.	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD243				2 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	6,000																				45 v	6 a							700µA			NPN	1.5V @ 1a，6a	15 @ 3a，4V	-
DF600R12IP4DBOSA1	520.1267	RFQ	7364	Infineon技术	PrimePack™2	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	DF600R12				3350 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	单身的																		沟渠场停止	1200 v	600 a		2.05V @ 15V，600A					5 ma	是的	37 NF @ 25 V
IPD096N08N3GATMA1	1.4000	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD096			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						80 V	73A（TC）	6V，10V	9.6mohm @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2410 PF @ 40 V	-	100W（TC）
TIP127TU	-	RFQ	9185	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP127				2 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	TIP127TU-NDR	Ear99	8541.29.0095	1,000																				100 v	5 a							2mA			pnp-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
MRF6S27015GNR1	27.6600	RFQ	793	自由度半导体	-	大部分	积极的	68 v			TO-270BA	MRF6		2.6GHz	ldmos			TO-270-2鸥	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	500			-		160 MA	3W	14dB											-									28 V
IRF7822PBF	-	RFQ	5853	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7822			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001572268	Ear99	8541.29.0095	95		n通道						30 V	18A（18A）	4.5V	6.5MOHM @ 15A，4.5V	1V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±12V	5500 pf @ 16 V	-	3.1W（TA）
PJS6421-AU_S1_000A1	0.4100	RFQ	1	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	PJS6421			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJS6421-AU_S1_000A1DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						20 v	7.4a（ta）	1.8V，4.5V	26mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	16.5 NC @ 4.5 V	±10V	1620 pf @ 15 V	-	2W（TA）
BC858BW	0.0317	RFQ	9303	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323					200兆		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-BC858BWTR		8541.21.0000	3,000																				30 V	100 ma							15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
FQPF6N25	-	RFQ	2541	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF6			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						250 v	4A（TC）	10V	1欧姆 @ 2A，10V	5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±30V	300 pf @ 25 V	-	37W（TC）
MMRF1009HR5	594.7988	RFQ	8031	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	110 v		底盘安装	SOT-957A	MMRF1009		1.03GHz	ldmos			NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-		200 ma	500W	19.7db											-									50 V
PMP5201V/S711115	-	RFQ	5537	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-PMP5201V/S711115-954			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²