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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
AOTF11C60_001	-	RFQ	5511	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF11		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	11A（TC）	10V	440MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	2000 pf @ 100 V	-	50W（TC）
BUK7Y28-75B，115	1.2100	RFQ	9938	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	BUK7Y28		MOSFET （金属 o化物）			LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					75 v	35.5A（TC）	10V	28mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	21.2 NC @ 10 V	±20V	1417 PF @ 25 V	-	85W（TC）
C3M0025065K	28.1500	RFQ	1094	Wolfspeed，Inc。	C3M™	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	C3M0025065		sicfet （碳化硅）			TO-247-4L	下载					Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	97A（TC）	15V	34mohm @ 33.5a，15v	3.6V @ 9.22mA	112 NC @ 15 V	+19V，-8V	2980 pf @ 600 V	-	326W（TC）
IRL2910pbf	2.9900	RFQ	4	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL2910		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道					100 v	55A（TC）	4V，10V	26mohm @ 29a，10v	2V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±16V	3700 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRF6894MTR1PBF	-	RFQ	1055	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					25 v	32A（TA），160A （TC）	4.5V，10V	1.3MOHM @ 33A，10V	2.1V @ 100µA	39 NC @ 4.5 V	±16V	4160 pf @ 13 V	（（（）	2.1W（ta），54W（tc）
AO5803E	-	RFQ	5544	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	AO580		MOSFET （金属 o化物）	400MW		SC-89-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）						20V	-		800MOHM @ 600mA，4.5V	900mv @ 250µA	-		100pf @ 10V	逻辑级别门
NXH300B100H4Q2F2SG-R	265.1700	RFQ	4026	Onmi	-	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH300			194 w	标准	53-pim/q2pack（93x47）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH300B100H4Q2F2SG-R	Ear99	8541.29.0095	12	半桥逆变器																	沟渠场停止	1000 v	73 a	2.25V @ 15V，100a		800 µA	是的	6.323 NF @ 20 V
BUK9640-100A，118	-	RFQ	8854	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk96						-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
BLF1046	73.2400	RFQ	1	Rochester Electronics，LLC	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BLF1046-2156			1
TQM032NH04CR RLG	4.0300	RFQ	1619年	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			8-pdfnu（4.9x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					40 V	23A（23A），81A （TC）	7V，10V	3.2MOHM @ 40a，10v	3.6V @ 250µA	67.5 NC @ 10 V	±20V	4344 PF @ 25 V	-	115W（TC）
PBRN123YS，126	-	RFQ	4755	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PBRN123			700兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																			40 V	800 MA			500NA			npn-预先偏见	1.15V @ 8mA，800mA	500 @ 300mA，5V		2.2 kohms	10 kohms
TSM7ND65CI	3.3700	RFQ	4	台湾半导体公司	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM7		MOSFET （金属 o化物）			ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	7A（TC）	10V	1.35OHM @ 1.8A，10V	3.8V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	1124 PF @ 50 V	-	50W（TC）
AOTF2146L	1.1619	RFQ	4981	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF2146		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOTF2146LTR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					40 V	42A（ta），80a tc（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3830 PF @ 20 V	-	8.3W（29.5W）（29.5W（tc）
BC850BW，115	-	RFQ	3870	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC85						-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
VS-ENW30S120T	130.3500	RFQ	10	Vishay通用半导体 -二极管部门	*	盒子	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-ENW30S120T	Ear99	8541.29.0095	100
PSMN7R5-25YLC，115	-	RFQ	9686	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN7		MOSFET （金属 o化物）			LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					25 v	56A（TC）	4.5V，10V	7.4mohm @ 15a，10v	1.95V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	921 PF @ 12 V	-	42W（TC）
CMSDDF40H60T1G	-	RFQ	3978	微芯片技术	*	托盘	过时的											-				150-CMSDDF40H60T1G	过时的		1
SSM6K781G，LF	0.5100	RFQ	850	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，WLCSP	SSM6K781		MOSFET （金属 o化物）			6-WCSPC（1.5x1.0）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					12 v	7a（ta）	1.5V，4.5V	18mohm @ 1.5A，4.5V	1V @ 250µA	5.4 NC @ 4.5 V	±8V	600 pf @ 6 V	-	1.6W（TA）
BC807-40小时	0.2800	RFQ	32	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TA）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807			320兆W		TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			45 v	500 MA			100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	80MHz
BCX6825QTA	0.1756	RFQ	7854	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX6825			1 w		SOT-89-3	下载			到达不受影响	31-BCX6825QTATR	Ear99	8541.29.0075	1,000																			20 v	1 a			100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	160 @ 500mA，1V	100MHz
FCI7N60	-	RFQ	5391	Fairchild半导体	SuperFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 25 V	-	83W（TC）
MG200HF12MRC2	77.0650	RFQ	400	Yangjie技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				1150 w	标准	C2	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-MG200HF12MRC2	Ear99		4	单个开关																	-	1200 v	300 a	2V @ 15V，150a		1 MA	不	12.5 nf @ 25 V
FCH077N65F-F085	6.1300	RFQ	148	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	49		n通道					650 v	54A（TC）	10V	77mohm @ 27a，10v	5V @ 250µA	164 NC @ 10 V	±20V	7162 PF @ 25 V	-	481W（TC）
DF14MR12W1M1HFB67BPSA1	158.8800	RFQ	24	Infineon技术	COOLSIC™	托盘	积极的		-	底盘安装	模块	DF14MR12		MOSFET （金属 o化物）	-		ag-easy1b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	-						1200V（1.2kV）	-		-	-	-		-	-
BLF878,112	-	RFQ	7290	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	89 v		底盘安装	SOT-979A		860MHz	ldmos			CDFM2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60	双重，共同来源		-	1.4 a	300W	21dB											-					40 V
RRS100P03TB1	-	RFQ	7588	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-sop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					30 V	10a（10a）		-	-				-	-
PJP45N06A_T0_00001	0.9200	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PJP45		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJP45N06A_T0_00001	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	55A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	2256 pf @ 25 V	-	96W（TC）
CMAVC60VRM99T3AMG	-	RFQ	2479	微芯片技术	*	托盘	过时的											-				150-CMAVC60VRM99T3AMG	过时的		1
CGHV60170D-GP4	167.1810	RFQ	50	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	150 v			死	CGHV60170	6GHz	hemt			死	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			光盘3A001B3	8541.29.0075	10			-	260 MA	170W	17dB											-					50 V
PTF080101M V1	-	RFQ	1174	Infineon技术	Goldmos®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v		表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）		960MHz	ldmos			PG-RFP-10	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			1µA	180 MA	10W	16dB											-					28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²