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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PBSS2515E，115	-	RFQ	5287	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	PBSS2			250兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		15 v	500 MA		100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 50mA，500mA	150 @ 100mA，2V	420MHz
FDG6317NZ	0.4600	RFQ	6666	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG6317		MOSFET （金属 o化物）	300MW	SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	700mA		400mohm @ 700mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.1NC @ 4.5V		66.5pf @ 10V	逻辑级别门
MRF8P20165WHSR5	117.6600	RFQ	39	自由度半导体	-	大部分	过时的	65 v		底盘安装	NI-780S-4		1.88GHZ〜2.025GHz	ldmos		NI-780S-4	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	50	双重的		10µA	550 MA	37W	14.8db											-			28 V
IRLB4132PBF	-	RFQ	4652	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	78A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 40a，10v	2.35V @ 100µA	54 NC @ 4.5 V	±20V	5110 PF @ 15 V	-	140W（TC）
BD1386STU	-	RFQ	8533	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD138			1.25 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60																		60 V	1.5 a		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
2SC4107M	-	RFQ	6094	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IRFSL3607pbf	-	RFQ	4494	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001565218	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					75 v	80A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
JANSM2N222222AUA/TR	156.9608	RFQ	5223	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C	表面安装	4-SMD，没有铅				650兆	UA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSM2N222222AUA/tr	Ear99	8541.21.0095	1																		50 V	800 MA		50NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
IPAN80R360P7XKSA1	2.8400	RFQ	7024	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPAN80		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					800 v	13A（TC）	10V	360MOHM @ 5.6A，10V	3.5V @ 280µA	30 NC @ 10 V	±20V	930 PF @ 500 V	-	30W（TC）
MD2009DFX	-	RFQ	3900	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	MD2009			58 w	to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																		700 v	10 a		200µA	NPN	2.8V @ 1.4a，5.5a	5 @ 5.5A，5V	-
IRFI530N	-	RFQ	1750	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI530N	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	12A（TC）	10V	110MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	41W（TC）
irfr13n20dtrr	-	RFQ	6165	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					200 v	13A（TC）	10V	235mohm @ 8a，10v	5.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	830 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRF6623Tr1pbf	-	RFQ	9338	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距St			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™st	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					20 v	16a（16A），55a（tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1360 pf @ 10 V	-	1.4W（ta），42W（（（（（（（
NE3503M04-T2B-A	-	RFQ	3127	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	4 V			4-SMD，平坦的铅		12GHz	GAAS HJ-FET		M04	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000			70mA	10 MA	-	12DB											0.45dB			2 v
BC846A-TP	0.1300	RFQ	8	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC846			225兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		65 v	100 ma		100NA	NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
IPB010N06NATMA1	7.9800	RFQ	1428	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB010		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					60 V	45a（ta），180a （TC）	6V，10V	1MOHM @ 100A，10V	4V @ 280µA	208 NC @ 10 V	±20V	15000 PF @ 30 V	-	300W（TC）
ABC857A-HF	0.0506	RFQ	5420	comchip技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-ABC857A-HFTR	Ear99	8541.21.0095	3,000																		45 v	100 ma		15NA（icbo）		650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
RJK0331DPB-01＃j0	1.0000	RFQ	7253	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	40a（ta）		3.4mohm @ 20a，10v	-	22 NC @ 4.5 V		3380 pf @ 10 V	-	50W（TC）
BUK662R7-55C	-	RFQ	6957	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-						0000.00.0000	1
IRLBA1304P	-	RFQ	5106	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-273AA			MOSFET （金属 o化物）		SUPER-220™to-273AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irlba1304p	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	185a（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 110a，10v	1V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	7660 pf @ 25 V	-	300W（TC）
SI5913DC-T1-E3	-	RFQ	1184	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5913		MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	4A（TC）	2.5V，10V	84MOHM @ 3.7A，10V	1.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±12V	330 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.7W（TA），3.1W（TC）
FZT493ATA	0.6000	RFQ	30	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FZT493			2 w	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																		60 V	1 a		100NA	NPN	500mv @ 100mA，1a	300 @ 250mA，10V	150MHz
RN1407，LXHF	0.3400	RFQ	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1407			200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
BSD235NH6327XTSA1	0.4200	RFQ	21	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BSD235		MOSFET （金属 o化物）	500MW	PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	950mA		350MOHM @ 950mA，4.5V	1.2V @ 1.6µA	0.32NC @ 4.5V		63pf @ 10V	逻辑级别门
BC338TFR	-	RFQ	1759年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC338			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		25 v	800 MA		100NA	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
Stu60N3LH5	-	RFQ	3426	Stmicroelectronics	StripFet™v	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu60n		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					30 V	48A（TC）	5V，10V	8.4MOHM @ 24A，10V	3V @ 250µA	8.8 NC @ 5 V	±20V	1620 PF @ 25 V	-	60W（TC）
2N3904TF	0.3700	RFQ	22	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N3904			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		40 V	200 ma		-	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
IXKP35N60C5	-	RFQ	9487	ixys	coolmos™	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixkp35		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	35A（TC）	10V	100mohm @ 18a，10v	3.9V @ 1.2mA	70 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 100 V	-	-
IRF7316PBF	-	RFQ	7164	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF731		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001559786	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）						30V	4.9a		58MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA	34NC @ 10V		710pf @ 25V	逻辑级别门
IPP80CN10NGXKSA1	0.4600	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™2	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO220-3-123	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	13A（TC）	10V	80Mohm @ 13A，10V	4V @ 12µA	11 NC @ 10 V	±20V	716 PF @ 50 V	-	31W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²