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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FJN3304RTA	0.0200	RFQ	4788	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	FJN330				300兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																				50 V	100 ma										100NA（ICBO）				npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
ZXMN3A04KTC	0.9087	RFQ	7303	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	ZXMN3			MOSFET （金属 o化物）			U-DFN2020-6（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	12a（12a）	4.5V，10V	20mohm @ 12a，10v	1V @ 250mA	36.8 NC @ 10 V	±20V	1890 pf @ 15 V	-	2.15W（TA）
FMMT591-TP	0.3800	RFQ	2	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FMMT591				500兆		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				60 V	1 a										100NA（ICBO）				PNP	600mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，5V	150MHz
2N7002DWKX-7	-	RFQ	7686	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					2N7002			-				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2N7002DWKX-7DI	Ear99	8541.21.0095	3,000																-
YJG25GP10AQ	0.7810	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的												-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJG25GP10AQTR	Ear99		5,000
DMN6069SFVW-13	0.1885	RFQ	9300	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMN6069			MOSFET （金属 o化物）			PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载			到达不受影响	31-DMN6069SFVW-13TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						60 V	（4A）（14A）（14A （TC）	4.5V，10V	69mohm @ 3a，10v	3V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 30 V	-	2.5W（TA）
RJK022222DNS-00＃j5	1.0600	RFQ	340	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	RJK0222			MOSFET （金属 o化物）	8W，10W		8-DFN（5x6）	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	2 n 通道（半桥）							25V	14a，16a		9.2MOHM @ 7A，10V	-	6.2nc @ 4.5V		810pf @ 10V	逻辑级别门，4.5V驱动器
IPD25N06S240ATMA1	-	RFQ	4099	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD25N			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						55 v	29A（TC）	10V	40mohm @ 13a，10v	4V @ 26µA	18 nc @ 10 V	±20V	513 PF @ 25 V	-	68W（TC）
DMN2710UVQ-13	0.3400	RFQ	8960	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMN2710			MOSFET （金属 o化物）	500MW（TA）		SOT-563	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	10,000	2 n 通道（双）							20V	920mA（ta）		450MOHM @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	0.6NC @ 4.5V		42pf @ 16V	标准
DTC143EE3HZGTL	0.4100	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	DTC143				150兆		EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma										500NA				npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
NTMFS4707NT1G	-	RFQ	4557	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4			MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						30 V	6.9a（ta）	4.5V，10V	13mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	735 PF @ 24 V	-	1W（ta）
FGPF4565	1.2000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准			30 W		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1				400V，30a，5ohm，15V															沟渠场停止	650 v		170 a	1.88V @ 15V，30a	-	40.3 NC	11.2NS/40.8NS
APTM10DAM05TG	126.6100	RFQ	3900	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM10			MOSFET （金属 o化物）			SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						100 v	278a（TC）	10V	5mohm @ 125a，10v	4V @ 5mA	700 NC @ 10 V	±30V	20000 PF @ 25 V	-	780W（TC）
DIW085N06	4.5997	RFQ	5286	diotec半导体	-	大部分	积极的			通过洞								TO-247-3L	下载	rohs3符合条件	不适用	供应商不确定	2796-DIW085N06		8541.29.0000	450		n通道							85a								240W
F4100R06KL4BOSA1	-	RFQ	5490	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	F4100R				430 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																		-	600 v	130 a		2.55V @ 15V，100A								5 ma	是的	4.3 NF @ 25 V
AON6884L_002	-	RFQ	7479	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AON688			MOSFET （金属 o化物）	21W		8-DFN（5x6）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							40V	34A（TC）		11.3mohm @ 10a，10v	2.7V @ 250µA	16nc @ 4.5V		1950pf @ 20V	-
DNLS320E-13	0.5500	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	DNLS320				1 w		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																				20 v	3 a										100NA（ICBO）				NPN	450mv @ 20mA，3a	400 @ 2a，2v	150MHz
CSD18542KTTT	3.0200	RFQ	10	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD18542			MOSFET （金属 o化物）			DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	200a（200a）（170a tc）（TC）	4.5V，10V	4MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	5070 pf @ 30 V	-	250W（TC）
IPB120N04S4L02ATMA1	3.4000	RFQ	1	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB120			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						40 V	120A（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 110µA	190 NC @ 10 V	+20V，-16V	14560 pf @ 25 V	-	158W（TC）
IRFZ46ZPBF	-	RFQ	5188	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						55 v	51A（TC）	10V	13.6mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	82W（TC）
MMBF4392	-	RFQ	1075	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		n通道													14pf @ 20V													30 V	25 ma @ 20 V	2 V @ 1 na				60欧姆
STB12NM50FDT4	-	RFQ	4372	Stmicroelectronics	FDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB12N			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						500 v	12A（TC）	10V	400mohm @ 6a，10v	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	160W（TC）
2N1715S	20.3850	RFQ	4044	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3							TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-2N1715S	Ear99	8541.29.0095	1																				100 v	750 MA										-				NPN	-	-	-
FDMS3606AS	1.0900	RFQ	7	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3606			MOSFET （金属 o化物）	1W		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）							30V	13a，27a		8mohm @ 13a，10v	2.7V @ 250µA	29nc @ 10V		1695pf @ 15V	逻辑级别门
MRFG35002N6AT1	-	RFQ	5235	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	PLD-1.5	MRFG35		3.55GHz	Phemt fet			PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000			-		65 ma	158MW	10dB											-									6 V
2N3597	547.4100	RFQ	9640	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	螺柱坐骑	TO-211MB，TO-63-4，螺柱					100 W		TO-63	-			到达不受影响	150-2N3597	Ear99	8541.29.0095	1																				40 V	20 a										-				PNP	-	-	-
FQPF5N50C	1.0000	RFQ	5408	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道						500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
NVMYS013N08LHTWG	0.6729	RFQ	3826	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK				MOSFET （金属 o化物）			LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						80 V	（11a）（ta），42a（tc）	4.5V，10V	13.1MOHM @ 10A，10V	2V @ 45µA	17 NC @ 10 V	±20V	906 PF @ 40 V	-	3.6W（ta），54W（tc）
BC549B B1G	-	RFQ	7186	台湾半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC549				500兆		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000																				30 V	100 ma										15NA（icbo）				NPN	-	200 @ 2mA，5V	-
SI4354DY-T1-GE3	-	RFQ	4483	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4354			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	9.5A（TA）	4.5V，10V	16.5MOHM @ 9.5A，10V	1.6V @ 250µA	10.5 NC @ 4.5 V	±12V		-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²