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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
ixtk62n25	-	RFQ	4158	ixys	Megamos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk62			MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						250 v	62A（TC）	10V	35mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	390W（TC）
KSA1381ESTU	-	RFQ	8120	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSA1381				7 W		TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,880																				300 v	100 ma										100NA（ICBO）				PNP	600mv @ 2mA，20mA	100 @ 10mA，10v	150MHz
RSR020P03TL	0.2284	RFQ	4358	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-	表面安装	SC-96	RSR020			MOSFET （金属 o化物）			TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						30 V	2A（TA）	4V，10V	120MOHM @ 2A，10V	-	4.3 NC @ 5 V	±20V	370 pf @ 10 V	-	1W（ta）
KSC1507YTU	-	RFQ	2104	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC1507				15 W		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50																				300 v	200 µA										100µA（ICBO）				NPN	2V @ 5mA，50mA	120 @ 10mA，10v	80MHz
JANTX2N1484	214.3960	RFQ	7547	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/180	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-233AA，TO-8-3					1.75 w		TO-8	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				55 v	3 a										15µA				NPN	1.20V @ 75mA，750a	20 @ 750mA，4V	-
BSL806NL6327HTSA1	-	RFQ	4389	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL806			MOSFET （金属 o化物）	500MW		PG-TSOP6-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）							20V	2.3a		57MOHM @ 2.3a，2.5V	750mv @ 11µA	1.7nc @ 2.5V		259pf @ 10V	逻辑级别门
NP80N04NDG-S18-AY	1.8400	RFQ	400	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道						40 V	80A（TC）		4.8mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V		6900 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），115W（tc）
TK090U65Z，RQ	5.5000	RFQ	3	东芝半导体和存储	dtmosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	8-Powersfn				MOSFET （金属 o化物）			收费	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						650 v	30a（TA）	10V	90mohm @ 15a，10v	4V @ 1.27mA	47 NC @ 10 V	±30V	2780 pf @ 300 V	-	230W（TC）
Bul1203e	1.7900	RFQ	7421	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-	通过洞	TO-220-3	Bul1203				100 W		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				550 v	5 a										100µA				NPN	1.5V @ 1a，3a	9 @ 2a，5v	-
2STL2580-AP	-	RFQ	5970	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2stl				1.5 w		to-92mod	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				400 v	1 a										10µA（ICBO）				NPN	1V @ 200mA，1a	60 @ 250mA，5V	-
STD25P03LT4G	-	RFQ	8268	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD25			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						30 V	25A（TC）	4V，5V	80Mohm @ 25a，5v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±15V	1260 pf @ 25 V	-	-
SPD15P10PLGBTMA1	2.2600	RFQ	9	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD15P10			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						100 v	15A（TC）	4.5V，10V	200mohm @ 11.3a，10v	2V @ 1.54mA	62 NC @ 10 V	±20V	1490 pf @ 25 V	-	128W（TC）
IRGBC30UD2	-	RFQ	8046	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准			100 W		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																			-	600 v	23 a		3V @ 15V，12A
IRG4RC10KTRR	-	RFQ	6736	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC10K	标准			38 w		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000				480V，5A，100OHM，15V															-	600 v	9 a	18 a	2.62V @ 15V，5A	160µJ（在）上，100µJ（100µJ）	19 nc	11NS/51NS
SSM3J144TU，LXHF	0.4300	RFQ	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-MOSVI	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅				MOSFET （金属 o化物）			UFM	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						20 v	3.2A（ta）	1.5V，4.5V	93mohm @ 1.5A，4.5V	1V @ 1mA	4.7 NC @ 4.5 V	+6V，-8V	290 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
JANS2N6989U	262.2704	RFQ	9210	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/559	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N6989				1W		6-SMD	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				50V	800mA										10NA（ICBO）				4 pnp（（	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
LET9045C	-	RFQ	3931	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	80 V			M243	LET9045		960MHz	ldmos			M243	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			9a		300 MA	59W	17.7dB											-									28 V
PHX8NQ11T，127	-	RFQ	7652	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PHX8			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						110 v	7.5A（TC）	10V	180mohm @ 6a，10v	4V @ 1mA	14.7 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	27.7W（TC）
JANTXV2N3867P	39.3547	RFQ	6794	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/350	大部分	积极的		-55°C 〜200°C	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					1 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANTXV2N3867P			1																				40 V	3 a										1µA				PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	50 @ 500mA，1V	-
PN4091_D26Z	-	RFQ	9760	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN409				625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道													16pf @ 20V													40 V	30 ma @ 20 V	5 V @ 1 na				30欧姆
SP8M70TB1	-	RFQ	5282	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M7			MOSFET （金属 o化物）	650MW		8-sop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	n和p通道							250V	3a，2.5a		1.63OHM @ 1.5A，10V	4V @ 1mA	5.2nc @ 10V		180pf @ 25V	-
SI7136DP-T1-E3	-	RFQ	3230	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7136			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						20 v	30A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	3380 pf @ 10 V	-	5W（5W），39W（tc）
APTGT35A120T1G	57.4906	RFQ	4889	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTGT35				208 w	标准	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥																		沟渠场停止	1200 v	55 a		2.1V @ 15V，35a								250 µA	是的	2.5 nf @ 25 V
BC847,235	0.0200	RFQ	50	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					250兆		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC847,235-954	Ear99	8541.21.0075	1																				45 v	100 ma										15NA（icbo）				NPN	400mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
BSS119NH6327XTSA1	0.4200	RFQ	61	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS119			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						100 v	（190ma ta）	4.5V，10V	6ohm @ 190mA，10v	2.3V @ 13µA	0.6 NC @ 10 V	±20V	20.9 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
IXTH21N50	7.7060	RFQ	3883	ixys	Megamos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth21			MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						500 v	21a（TC）	10V	250mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
DRA5115T0L	-	RFQ	2705	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-85	DRA5115				150兆		smini3-f2-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																				50 V	100 ma										500NA				pnp-预先偏见	250mv @ 500µA，10mA	160 @ 5mA，10v		100 kohms
SI7326DN-T1-GE3	0.9100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7326			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	19.5mohm @ 10a，10v	1.8V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±25V		-	1.5W（TA）
NVTFS5C453NLTAG	1.5900	RFQ	9000	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS5			MOSFET （金属 o化物）			8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						40 V	107a（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 40a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	68W（TC）
TIP127	-	RFQ	1937年	Onmi	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP127				2 w		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				100 v	5 a										500µA				pnp-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²