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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
APT9F100	-	RFQ	1035	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA		MOSFET （金属 o化物）			d3pa k	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1000 v	9A（TC）	10V	1.6OHM @ 5A，10V	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	2606 pf @ 25 V	-	337W（TC）
EMG5DXV5T1	-	RFQ	2468	Onmi	*		过时的				EMG5DX					-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	4,000
JANTXV2N6251	-	RFQ	5022	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/510	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			5.5 w		TO-3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														350 v	1 MA		1ma			NPN	1.5V @ 1.67a，10a	6 @ 10a，3v	-
IXTA230N04T4	3.5176	RFQ	4167	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta230	MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	230a（TC）	10V	2.9MOHM @ 115A，10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±15V	7400 PF @ 25 V	-	340W（TC）
NSVT1418LT1G	0.6000	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSVT1418		420兆W		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														160 v	1 a		100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 25mA，250mA	100 @ 100mA，5V	120MHz
RN2713JE（TE85L，F）	0.4700	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-553	RN2713		100MW		ESV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	4,000														50V	100mA		100NA（ICBO）			2（PNP- 预偏（双重）（）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200MHz	47kohms	-
NJVMJD127T4G	0.9700	RFQ	3520	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NJVMJD127		20 w		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500														100 v	8 a		10µA			pnp-达灵顿	4V @ 80mA，8a	1000 @ 4A，4V	-
BCW60DT116	-	RFQ	1000	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW60				SST3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000														32 v	200 ma		-			NPN	-	380 @ 2mA，5V	125MHz
DRA9114E0L	-	RFQ	6721	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-89，SOT-490	DRA9114		125 MW		ssmini3-f3-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000														50 V	100 ma		500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 500µA，10mA	35 @ 5mA，10v		10 kohms	10 kohms
2N5416	-	RFQ	3141	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N54		1 w		到39	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100														300 v	1 a		50µA			PNP	2.5V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	15MHz
IRFR1205TRR	-	RFQ	8149	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1205	MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	55 v	44A（TC）	10V	27mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	107W（TC）
IPD30N06S2-15	-	RFQ	7998	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD30N	MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	55 v	30A（TC）	10V	14.7mohm @ 30a，10v	4V @ 80µA	110 NC @ 10 V	±20V	1485 pf @ 25 V	-	136W（TC）
APT84F50L	15.9300	RFQ	4464	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT84F50	MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	84A（TC）	10V	65mohm @ 42a，10v	5V @ 2.5mA	340 NC @ 10 V	±30V	13500 PF @ 25 V	-	1135W（TC）
IRL3215	-	RFQ	7420	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	150 v	12A（TC）	4V，10V	166MOHM @ 7.2A，10V	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±16V	775 PF @ 25 V	-	80W（TC）
BC849B，235	0.2200	RFQ	10	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC849		250兆		TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000														30 V	100 ma		15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
CSD87352Q5D	1.8500	RFQ	15	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87352Q5	MOSFET （金属 o化物）	8.5W		8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	25a		-	1.15V @ 250µA	12.5nc @ 4.5V		1800pf @ 15V	逻辑级别门
IXTR32P60P	20.5440	RFQ	8895	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixtr32	MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道	600 v	18A（TC）	10V	385MOHM @ 16a，10v	4V @ 1mA	196 NC @ 10 V	±20V	11100 PF @ 25 V	-	310W（TC）
FZ2400R12HP4NPSA1	745.7300	RFQ	60	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				标准	AG-IHMB130-2-1	下载					Ear99	8541.29.0095	1	单个开关												沟	1200 v	3460 a	2.05V @ 15V，2.4KA	5 ma	不	150 nf @ 25 V
2SA06840S	-	RFQ	6945	松下电子组件	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA068		1 w		TO-92L-A1	下载		（1 （无限）		2SA06840S-NDR	Ear99	8541.29.0075	200														50 V	1 a		100NA（ICBO）			PNP	400mv @ 50mA，500mA	170 @ 500mA，10v	200MHz
STH2N120K5-2AG	4.5900	RFQ	7007	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH2N120	MOSFET （金属 o化物）			H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STH2N120K5-2AGTR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	1200 v	1.5A（TC）	10V	10ohm @ 500mA，10v	4V @ 100µA	5.3 NC @ 10 V	±30V	124 pf @ 100 V	-	60W（TC）
RN1971FE（TE85L，F）	-	RFQ	2787	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1971		100MW		ES6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	4,000														50V	100mA		100NA（ICBO）			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz	10KOHMS	-
SD1419-06H	-	RFQ	7269	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的									-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1
MPA201HS	-	RFQ	9626	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的									-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1
CPH6350-P-TL-E	0.3202	RFQ	2788	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-	-	CPH635				-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
YJJ2623A	0.0700	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJJ2623ATR	Ear99		3,000
PXT8050-D	0.0820	RFQ	100	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			500兆		SOT-89	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-PXT8050-DTR	Ear99		1,000														25 v	1.5 a		100NA			NPN	500mv @ 80mA，800mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
RFP45N03L	0.6700	RFQ	41	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	30 V	45A（TC）	5V	22mohm @ 45a，5v	2V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±10V	1650 pf @ 25 V	-	90W（TC）
FDZ203N	-	RFQ	6069	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-WFBGA	FDZ20	MOSFET （金属 o化物）			9-BGA （2x2.1）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	7.5A（ta）	2.5V，4.5V	18mohm @ 7.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±12V	1127 PF @ 10 V	-	1.6W（TA）
SUP70N03-09BP-E3	-	RFQ	2489	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP70	MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	19 nc @ 5 V	±20V	1500 pf @ 25 V	-	93W（TC）
BCR112WH6327XTSA1	0.0553	RFQ	5839	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR112		250兆		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														50 V	100 ma		100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	140 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²