RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IRFU120ZPBF	-	RFQ	1739年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						100 v	8.7A（TC）	10V	190MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRFSL7430pbf	1.9800	RFQ	4	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道						40 V	195a（TC）	6V，10V	1.2MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	460 NC @ 10 V	±20V	14240 pf @ 25 V	-	375W（TC）
FDBL9403-F085T6AW	-	RFQ	4614	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn				MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDBL9403-F085T6AWTR	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						40 V	50a（50A），300A （TC）	10V	0.95MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	108 NC @ 10 V	+20V，-16V	6985 PF @ 25 V	-	4.3W（TA），159.6W（TC）
BD680	-	RFQ	3121	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD680				40 W	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																					80 V	4 a							500µA	pnp-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
UNUR521V00L	-	RFQ	4415	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323	UNUR521				150兆	smini3-g1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma							500NA	npn-预先偏见	250mv @ 1.5mA，10mA	6 @ 6mA，10v	150 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
RGCL60TK60GC11	4.9900	RFQ	55	Rohm半导体	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3PFM，SC-93-3	RGCL60	标准			54 w	to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，30a，10ohm，15V																沟渠场停止	600 v	30 a	120 a	1.8V @ 15V，30a	（770µJ）（在），1.11mj（）	68 NC	44NS/186NS
IGW50N60H3FKSA1	6.5000	RFQ	225	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW50N60	标准			333 w	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，50a，7ohm，15V																沟渠场停止	600 v	100 a	200 a	2.3V @ 15V，50a	2.36mj	315 NC	23ns/235ns
EPC2023	7.9500	RFQ	10	EPC	Egan®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	死	EPC20			ganfet（n化岩）		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	500		n通道						30 V	60a（ta）		1.3MOHM @ 40a，5v	2.5V @ 20mA			2300 pf @ 15 V	-
JANTXV2N5151L	15.8403	RFQ	7694	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5151				1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					80 V	2 a							50µA	PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
BUK763R8-80E，118	3.8700	RFQ	5853	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk763			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						80 V	120A（TC）	10V	3.8mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	169 NC @ 10 V	±20V	12030 PF @ 25 V	-	357W（TC）
2N7002	0.3500	RFQ	5307	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						60 V	115ma（ta）	5V，10V	7.5OHM @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	200mw（ta）
PXAC201202FC-V2-R250	-	RFQ	3423	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	H-37248-4	PXAC201202		2.2GHz	ldmos		H-37248-4	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	250			-		240 MA	16W	17dB											-										28 V
DRC9115G0L	-	RFQ	4096	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-89，SOT-490	DRC9115				125 MW	ssmini3-f3-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																					50 V	100 ma							500NA	npn-预先偏见	250mv @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，10v			100 kohms
NP0G3A300A	-	RFQ	7861	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-963	NP0G3A3				125MW	SSSMINI6-F1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	10,000																					50V	80mA							500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	150MHz，80MHz	47kohms	47kohms
Auirgr4045dtrl	-	RFQ	6363	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRGR4045	标准			77 w	TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001511556	Ear99	8541.29.0095	3,000				400V，6A，47OHM，15V															74 ns	沟	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
3LN01SS-TL-E	-	RFQ	3609	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-81	3LN01			MOSFET （金属 o化物）		3-SSFP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		n通道						30 V	150mA（ta）	1.5V，4V	3.7OHM @ 80mA，4V	-	1.58 NC @ 10 V	±10V	7 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
SI5935DC-T1-GE3	-	RFQ	2667	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5935			MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）							20V	3a		86mohm @ 3A，4.5V	1V @ 250µA	8.5nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRG4BC10UPBF	-	RFQ	6174	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRG4BC10	标准			38 w	TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				480V，5A，100OHM，15V															28 ns	-	600 v	8.5 a	34 a	2.6V @ 15V，5A	140µJ（在）上，120µJ（120µJ）	15 NC	40NS/87NS
YJQ20P04A	0.1390	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJQ20P04ATR	Ear99		5,000
MMBT3640_D87Z	-	RFQ	7768	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT3640				225兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																					12 v	200 ma							10NA	PNP	600mv @ 5mA，50mA	30 @ 10mA，300mv	500MHz
BC 846A E6433	-	RFQ	3891	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC 846				330兆	PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																					65 v	100 ma							15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	250MHz
BD243B	-	RFQ	1159	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD243				65 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																					80 V	6 a							700µA	NPN	1.5V @ 1a，6a	15 @ 3a，4V	-
2N5088_D81Z	-	RFQ	9779	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N5088				625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																					30 V	100 ma							50NA（iCBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	300 @ 100µA，5V	50MHz
H5N2305P-E	6.7300	RFQ	310	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
BFG520W，115	-	RFQ	1947年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	SOT-343反向固定	BFG52				500MW	4-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000							-														15V	70mA								NPN		60 @ 20mA，6v	9GHz			1.1db〜2.1dB @ 900MHz
ZXTN19020DZTA	0.7500	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	ZXTN19020				2.4 w	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																					20 v	7.5 a							50NA（iCBO）	NPN	200mv @ 375mA，7.5a	300 @ 100mA，2V	160MHz
MRF7S38075HSR3	132.5300	RFQ	1	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v			NI-780	MRF7		3.4GHz〜3.6GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	250			-		900 MA	12W	14dB											-										30 V
BCR 129T E6327	-	RFQ	8963	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-75，SOT-416	BCR 129				250兆	PG-SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma							100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	150 MHz	10 kohms
DTA023JMT2L	0.2400	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	DTA023				150兆	VMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																					50 V	100 ma							-	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，5mA	80 @ 5mA，10v	250 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
BCP52-16	0.0400	RFQ	7597	Infineon技术	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA					1.4 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	1,128																					60 V	1 a							100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	50MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²