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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
STD6N52K3	1.7000	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD6			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						525 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	4.5V @ 100µA		±30V		-	70W（TC）
NTTS2P03R2	-	RFQ	5663	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	NTTS2P			MOSFET （金属 o化物）			8-msop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTTS2P03R2OS	Ear99	8541.21.0095	4,000		P通道						30 V	2.1a（ta）	4.5V，10V	85MOHM @ 2.48a，10V	3V @ 250µA	22 NC @ 4.5 V	±20V	500 pf @ 24 V	-	600MW（TA）
CXDM1002N TR PBFRE	1.0400	RFQ	2	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	CXDM1002			MOSFET （金属 o化物）			SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	2A（TA）	4.5V，10V	300MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 250µA	6 NC @ 5 V	20V	550 pf @ 25 V	-	1.2W（TA）
ZXMN2AM832TA	0.5200	RFQ	3	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
SIRA50ADP-T1-RE3	1.5900	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira50			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						40 V	54.8A（TA），219a （TC）	4.5V，10V	1.04MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	150 NC @ 10 V	+20V，-16V	7300 PF @ 20 V	-	6.25W（TA），100W（（（（（（（（（（
BTS282Z E3180A	-	RFQ	8612	Infineon技术	tempfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA				MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-7-180	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						49 v	80A（TC）	4.5V，10V	6.5mohm @ 36a，10v	2V @ 240µA	232 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	温度传感二极管	300W（TC）
2SC3912-TB-E	0.1200	RFQ	63	Onmi	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
SQ3419EV-T1_BE3	0.6900	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3419			MOSFET （金属 o化物）			6-TSOP	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						40 V	6.9a（TC）	4.5V，10V	58MOHM @ 2.5A，10V	2.5V @ 250µA	11.3 NC @ 4.5 V	±20V	990 pf @ 20 V	-	5W（TC）
FDC658AP-G	-	RFQ	8803	Fairchild半导体	*	大部分	积极的												下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDC658AP-G-600039	Ear99	8541.29.0095	1
SIGC25T60UNX7SA1	-	RFQ	5193	Infineon技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC25	标准					死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1				400V，30a，1.8Ohm，15V																npt	600 v	30 a	90 a	3.15V @ 15V，30a	-		16ns/122ns
BC32716BU	0.0400	RFQ	44	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	10,000																					45 v	800 MA							100NA		PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
AOT8N65	0.6647	RFQ	1157	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	上次购买		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT8			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	8A（TC）	10V	1.15OHM @ 4A，10V	4.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	208W（TC）
IPA80R310CEXKSA1	-	RFQ	3884	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA80R			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						800 v	6.8A（TC）		310MOHM @ 11a，10v	3.9V @ 1mA	91 NC @ 10 V		2320 PF @ 100 V	-	35W（TC）
AONR32308C	0.1942	RFQ	5518	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					AONR323							-	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AONR32308CTR			5,000
SI3951DV-T1-GE3	-	RFQ	7117	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3951			MOSFET （金属 o化物）	2W		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）							20V	2.7a		115mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	5.1nc @ 5V		250pf @ 10V	逻辑级别门
SI4835DDY-T1-E3	1.2300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4835			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						30 V	13A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±25V	1960 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），5.6W（TC）
TDTC114Y，LM	0.1800	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TDTC114				320兆W		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma							500NA		npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	79 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms
JAN2N333T2	-	RFQ	4800	微芯片技术	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3							TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																					45 v	10 MA							-		NPN	-	-	-
VS-GT75NA60UF	37.4800	RFQ	5221	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GT75				231 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	112-VS-GT75NA60UF			1	单菜器																			沟渠场停止	600 v	81 a		2.26V @ 15V，70a					100 µA	不
RGT30TM65DGC9	2.8400	RFQ	944	Rohm半导体	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RGT30	标准			32 W		TO-220NFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，15a，10ohm，15V															55 ns	沟渠场停止	650 v	14 a	45 a	2.1V @ 15V，15a	-	32 NC	18NS/64NS
BLM9D1822-30BZ	27.4600	RFQ	913	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		表面安装	20 QFN暴露垫	BLM9		1.8GHz〜2.2GHz	ldmos			20-PQFN（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	500	双重的		1.4µA		110 MA	45.9dbm	29.3db											-										28 V
BCW33LT1	-	RFQ	3185	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW33				300兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																					32 v	100 ma							100NA（ICBO）		NPN	250mv @ 500µA，10mA	420 @ 2mA，5V	-
IKD06N60RC2ATMA1	1.1800	RFQ	2	Infineon技术	Trenchstop™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IKD06N60	标准			51.7 w		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				400V，6A，49ONM，15V															98 ns	沟渠场停止	600 v	11.7 a	18 a	2.3V @ 15V，6A	（170µJ）（在），80µj（80µJ）	31 NC	6NS/129NS
NVMFS6B85NLWFT3G	-	RFQ	4715	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6			MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						100 v	5.6A（ta），19a（tc）	4.5V，10V	46mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	7.9 NC @ 10 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	3.5W（ta），42W（tc）
IPT014N08NM5ATMA1	6.8200	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IP5014N			MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						80 V	37A（37A），331A （TC）	6V，10V	1.4mohm @ 150a，10v	3.8V @ 280µA	200 NC @ 10 V	±20V	14000 PF @ 40 V	-	300W（TC）
DMP4010SK3-13	0.4504	RFQ	1743年	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMP4010			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载		（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						40 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.9MOHM @ 9.8A，10V	2.5V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±25V	4234 PF @ 20 V	-	3.3W
DMN2050LQ-7	0.1722	RFQ	3876	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN2050			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN2050LQ-7DI	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						20 v	5.9a（ta）	2V，4.5V	29mohm @ 5A，4.5V	1.4V @ 250µA	6.7 NC @ 4.5 V	±12V	532 PF @ 10 V	-	1.4W
JAN2N3507AU4	-	RFQ	8022	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					1 w		U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					50 V	1 µA							1µA		NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	35 @ 500mA，1V	-
RF5L15030CB2	54.4500	RFQ	5253	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v		底盘安装	GXB	RF5L15030		1.5GHz	ldmos			GXB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L15030CB2			180	-		1µA		200 ma	30W	23.5db											-										50 V
J2A012ZXT/S1AZ312J	-	RFQ	1469	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					J2A0							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²