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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
AOTF600A70FL	0.8511	RFQ	6132	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF600			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOTF600A70FL	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						700 v	8.5A（TJ）	10V	600mohm @ 2.5a，10v	4V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±20V	900 PF @ 100 V	-	26W（TC）
MJD117-HF	0.2784	RFQ	8534	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					1.5 w		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-MJD117-HFTR	Ear99	8541.29.0095	2,500																					100 v	2 a							20µA				3V @ 40mA，4a	1000 @ 2mA，3v	25MHz
IRF3808STRLPBF	3.9000	RFQ	780	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF3808			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						75 v	106a（TC）	10V	7mohm @ 82a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	5310 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRF7702GTRPBF	-	RFQ	2171	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）			8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道						12 v	8a（8a）	1.8V，4.5V	14mohm @ 8a，4.5V	1.2V @ 250µA	81 NC @ 4.5 V	±8V	3470 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
BSB012NE2LX	-	RFQ	1590年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson				MOSFET （金属 o化物）			MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						25 v	37A（TA），170A （TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 30a，10v	2V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	4900 PF @ 12 V	-	2.8W（ta），57W（TC）
NVMFS5C646NLWFT1G	-	RFQ	2207	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5			MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						60 V	20A（20A），93A （TC）	4.5V，10V	4.7MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	33.7 NC @ 10 V	±20V	2164 PF @ 25 V	-	3.7W（ta），79w（tc）
BC847BM3T5G	0.3800	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	BC847				260兆		SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																					45 v	100 ma							15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
IXSH40N60A	-	RFQ	8551	ixys	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXSH40	标准			300 w		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				480V，40a，2.7Ohm，15V																-	600 v	75 a	150 a	3V @ 15V，40a	2.5MJ（）	190 NC	55NS/400NS
NDDP010N25AZT4H	-	RFQ	9918	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NDDP010			MOSFET （金属 o化物）			DPAK/TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	700		n通道						250 v	10a（10a）	10V	420MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±30V	980 pf @ 20 V	-	1W（ta），52W（52W）（TC）
ALD210808ASCL	7.5122	RFQ	5149	高级线性设备公司	EPAD®，零阈值™	管子	积极的		0°C 〜70°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	ALD210808			MOSFET （金属 o化物）	500MW		16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	50	4 n n通道，匹配对							10.6V	80mA		-	20mv @ 10µA	-		-	逻辑级别门
AUIRF1010EZSTRL	1.0000	RFQ	3305	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道						60 V	75A（TC）	10V	8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IXGK35N120CD1	-	RFQ	9486	ixys	HiperFast™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK35	标准			350 w		TO-264（ixgk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25				960V，35A，5OHM，15V															60 ns	-	1200 v	70 a	140 a	4V @ 15V，35a	3MJ（（）	170 NC	50NS/150NS
BSZ050N03LSG	1.0000	RFQ	8626	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道						30 V	16a（16a），80A（tc）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 15 V	-	2.1W（ta），50W（TC）
auirfs3004-7trl	-	RFQ	1736年	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	下载						0000.00.0000	1		n通道						40 V	240a（TC）	10V	1.25MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9130 PF @ 25 V	-	380W（TC）
NTE2351	3.9500	RFQ	751	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		150°C（TJ）	通过洞	3-SIP					1 w		3-SIP	下载	rohs3符合条件			2368-NTE2351	Ear99	8541.29.0095	1																					80 V	4 a							20µA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 6mA，3a	2000 @ 1A，2V	-
MIO600-65E11	-	RFQ	3468	ixys	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E11	mio					标准	E11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																			npt	6500 v	600 a		4.2V @ 15V，600A					120 MA	不	150 nf @ 25 V
FF450R33T3E3BPSA1	1.0000	RFQ	1	Infineon技术	XHP™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF450R33				1000000 w	标准	AG-XHP100-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8541.29.0095	1	半桥																			沟渠场停止	3300 v	450 a		2.75V @ 15V，450a					5 ma	不
SPU04N60S5BKMA1	-	RFQ	9060	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SPU04N			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	5.5V @ 200µA	22.9 NC @ 10 V	±20V	580 pf @ 25 V	-	50W（TC）
BCV47,215	-	RFQ	2332	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCV47							-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
IPP65R310CFDXKSA2	2.7800	RFQ	4861	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R310			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						650 v	11.4A（TC）	10V	310MOHM @ 4.4A，10V	4.5V @ 400µA	41 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104.2W（TC）
BLF8G27LS-100U	-	RFQ	6029	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B	BLF8		2.5GHz〜2.7GHz	ldmos			SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20			-		900 MA	25W	17dB											-										28 V
IRF6722STR1PBF	-	RFQ	5348	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距St				MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™st	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						30 V	（13a）（ta），58a tc）	4.5V，10V	7.3MOHM @ 13A，10V	2.4V @ 50µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1320 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
SIHP085N60EF-GE3	5.9900	RFQ	4348	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP085			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHP085N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	34A（TC）	10V	84mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2733 PF @ 100 V	-	184W（TC）
PJD1NA60A_R2_00001	-	RFQ	8578	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD1NA60			MOSFET （金属 o化物）			TO-252	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						600 v	-	10V	7.9Ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	3.1 NC @ 10 V	±30V	148 pf @ 25 V	-	-
NTS4001NT3G	0.4300	RFQ	1411	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	NTS4001			MOSFET （金属 o化物）			SC-70-3（SOT323）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTS4001NT3GTR	Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道						30 V	270mA（ta）	2.5V，4V	1.5OHM @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	1.3 NC @ 5 V	±20V	33 pf @ 5 V	-	330MW（TA）
TIP126	1.0400	RFQ	192	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					65 w		TO-220-3	下载	Rohs不合规			2368-TIP126	Ear99	8541.29.0095	1																					80 V	5 a							500µA			pnp-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	4MHz
IXGQ85N33PCD1	7.1300	RFQ	5314	ixys	Polar™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ85	标准			150 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				-															250 ns	-	330 v	85 a		3V @ 15V，100a	-	80 NC	-
IXT36N30T	-	RFQ	4597	ixys	沟	管子	积极的		-	通过洞	TO-220-3	ixtp36			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						300 v	36a（TC）		110MOHM @ 500mA，10V	-	70 NC @ 10 V		2250 pf @ 25 V	-	-
C3M0120090J-Tr	11.9200	RFQ	3	Wolfspeed，Inc。	C3M™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	C3M0120090			sicfet （碳化硅）			TO-263-7	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	800		n通道						900 v	22a（TC）	15V	155mohm @ 15a，15v	3.5V @ 3mA	17.3 NC @ 15 V	+18V，-8V	350 pf @ 600 V	-	83W（TC）
PSMB050N10NS2_R2_00601	2.5300	RFQ	800	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PSMB050N10			MOSFET （金属 o化物）			TO-263	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						100 v	120a（TJ）	6V，10V	5mohm @ 50a，10v	3.8V @ 270µA	53 NC @ 10 V	±20V	3910 PF @ 50 V	-	138W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²