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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
AOD4286	0.2360	RFQ	4976	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD42			MOSFET （金属 o化物）			TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						100 v	（4A）（14A）（14A （TC）	4.5V，10V	68mohm @ 5A，10V	2.9V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	390 pf @ 50 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
NTE2987	4.6500	RFQ	188	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件			2368-NTE2987	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						100 v	20a	5V	120mohm @ 10a，5v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 5 V	±15V	1500 pf @ 25 V	逻辑水平门，4V驱动器	105W（TC）
2N6294	30.4200	RFQ	6100	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2					50 W		TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响	150-2N6294	Ear99	8541.29.0095	1																				60 V	4 a							500µA			npn-达灵顿	3V @ 40mA，4a	750 @ 2a，3v	-
IPB05N03LB g	-	RFQ	8533	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB05N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						30 V	80A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 60a，10v	2V @ 40µA	25 NC @ 5 V	±20V	3209 PF @ 15 V	-	94W（TC）
MS2203	-	RFQ	7051	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	底盘安装	M220					5W		M220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1							10.8db〜12.3dB													20V	300mA										NPN		120 @ 100mA，5V	1.09GHz	-
SIHB10N40D-GE3	1.7100	RFQ	7918	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB10			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						400 v	10A（TC）	10V	600MOHM @ 5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	526 pf @ 100 V	-	147W（TC）
FCX1053A-7	-	RFQ	3941	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的												-	Rohs符合条件	（1 （无限）		31-FCX1053A-7TR	过时的		3,000
BC368,126	-	RFQ	8843	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC36				830兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				20 v	1 a							100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	170MHz
FZT757TA	0.8300	RFQ	40	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FZT757				2 w		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																				300 v	500 MA							100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 10mA，100mA	50 @ 100mA，5v	30MHz
FJP3305H1	-	RFQ	3612	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP3305				75 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																				400 v	4 a							1µA（ICBO）			NPN	1V @ 1A，4A	19 @ 1a，5v	4MHz
auxclfz24nstrl	-	RFQ	8412	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						55 v	17a（TC）	10V	70mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
NTMFS4847NAT1G	-	RFQ	6761	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4			MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						30 V	11.5A（ta），85a tc）	4.5V，11.5V	4.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±16V	2614 pf @ 12 V	-	880MW（TA），48.4W（tc）
MMBT4403T-7-F	0.2800	RFQ	23	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	MMBT4403				150兆		SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				40 V	600 MA							-			PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
2SAR553RTL	0.5800	RFQ	178	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-96	2SAR553				1 w		TSMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																				50 V	2 a							1µA（ICBO）			PNP	400mv @ 35mA，700mA	180 @ 50mA，2V	320MHz
2SC4027S-H	-	RFQ	5101	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SC4027				1 w		TP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																				160 v	1.5 a							1µA（ICBO）			NPN	450mv @ 50mA，500mA	140 @ 100mA，5V	120MHz
2N3622	547.4100	RFQ	7452	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱					30 W		TO-61	-			到达不受影响	150-2N3622	Ear99	8541.29.0095	1																				40 V	5 a							-			PNP	-	-	-
APTGT200SK60TG	-	RFQ	8084	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP4					625 w	标准	SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	单身的																		沟渠场停止	600 v	290 a		1.9V @ 15V，200a					250 µA	是的	12.3 NF @ 25 V
PMEM4020APD，115	-	RFQ	8123	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMEM4				500兆		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				40 V	750 MA							100NA			PNP +二极管（隔离）	530mv @ 200mA，2a	250 @ 500mA，5V	150MHz
BUK9605-30A，118	-	RFQ	5263	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						30 V	75A（TC）	5V，10V	4.6mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	8600 PF @ 25 V	-	230W（TC）
ZVP1320ASTOB	-	RFQ	2275	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3				MOSFET （金属 o化物）			to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道						200 v	70mA（ta）	10V	80ohm @ 50mA，10v	3.5V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	625MW（TA）
JANTXV2N6298	39.5675	RFQ	3035	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/540	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N6298				64 W		TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				60 V	8 a							500µA			pnp-达灵顿	2V @ 80mA，8a	750 @ 4A，3V	-
BC857BE6433HTMA1	0.0489	RFQ	7777	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																				45 v	100 ma							15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	250MHz
Aony36302	-	RFQ	3494	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	Aony363			MOSFET （金属 o化物）	3.1W（3.1W），21W（（（（），3.1W（ta），44.5W（（（（ta）		8-DFN（5x6）	下载			到达不受影响	785-AONY36302TR			1	2 n 通道（双）							30V	20a（20a），51a（tc（51a tc），30a ta（85a tc）（TC）		5.2MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	30nc @ 10V		1000pf @ 15V	标准
IXGT60N60B2	-	RFQ	5667	ixys	HiperFast™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT60	标准			500 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，50a，3.3Ohm，15V															pt	600 v	75 a	300 a	1.8V @ 15V，50a	1MJ （关闭）	170 NC	28NS/160NS
SMBT3904E6433HTMA1	0.0523	RFQ	3340	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMBT 3904				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																				40 V	200 ma							50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
SISS30DN-T1-GE3	1.1400	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS30			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						80 V	15.9A（TA），54.7a （TC）	7.5V，10V	8.25mohm @ 10a，10v	3.8V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1666 pf @ 10 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
RF2L36075CF2	127.0500	RFQ	27	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	60 V		表面安装	B2			3.6GHz	ldmos			B2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-RF2L36075CF2TR	Ear99	8541.29.0095	120			1µA		600 MA	75W	12.5db											-									28 V
SST4403HZGT116	0.3400	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST4403				200兆		SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																				40 V	600 MA							100NA（ICBO）				750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V
2SA1806GRL	-	RFQ	7196	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	2SA1806				125 MW		SSMINI3-F3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																				15 v	50 mA							100NA（ICBO）			PNP	200mv @ 1mA，10mA	90 @ 10mA，1V	1.5GHz
PH8906	-	RFQ	6379	MACOM技术解决方案	*	大部分	过时的												-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²