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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PSMB050N10NS2_R2_00601	2.5300	RFQ	800	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PSMB050N10			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						100 v	120a（TJ）	6V，10V	5mohm @ 50a，10v	3.8V @ 270µA	53 NC @ 10 V	±20V	3910 PF @ 50 V	-	138W（TC）
MMST3904	0.1200	RFQ	1488	Yangzhou Yangjie电子技术有限公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323					200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99		3,000																					40 V	200 ma							50NA	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
2N7002KDW-HF	0.0807	RFQ	3	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	2N7002			MOSFET （金属 o化物）	150MW（TA）	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）							60V	340ma（ta）		5ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 1mA	-		40pf @ 10V	-
JANSF2N3810U	342.7018	RFQ	2020	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/336	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N3810				350MW	6-SMD	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																					60V	50mA							10µA（ICBO）	2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
PJD18N20_L2_00001	0.9600	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD18N20			MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJD18N20_L2_00001DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						200 v	18A（TC）	10V	160MOHM @ 9A，10V	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1017 PF @ 25 V	-	83W（TC）
FT150R12KE3B5BDLA1	-	RFQ	5340	Infineon技术	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
IRFIBC40G	-	RFQ	4175	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBC40			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFIBC40G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	3.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.1a，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IXXH50N60C3	8.3921	RFQ	3734	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH50	标准			600 w	TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				360V，36a，5ohm，15V																pt	600 v	100 a	200 a	2.3V @ 15V，36a	（720µJ）（在330µJ上）	64 NC	24ns/62ns
IPB25N06S3-25	-	RFQ	6174	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB25N			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						55 v	25A（TC）	10V	24.8mohm @ 15a，10v	4V @ 20µA	41 NC @ 10 V	±20V	1862 PF @ 25 V	-	48W（TC）
FJD3305H1TM	0.8200	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FJD3305				1.1 w	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																					400 v	4 a							1µA（ICBO）	NPN	1V @ 1A，4A	8 @ 2a，5v	4MHz
NVTFWS014P04M8LTAG	1.0200	RFQ	9734	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFWS014			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		P通道						40 V	11.3a（ta），49A（tc）	4.5V，10V	13.8mohm @ 15a，10v	2.4V @ 420µA	26.5 NC @ 10 V	±20V	1734 PF @ 20 V	-	3.2W（TA），61W（TC）
2N5210TA	0.0200	RFQ	75	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5210				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																					50 V	100 ma							50NA（iCBO）	NPN	700mv @ 1mA，10mA	200 @ 100µA，5V	30MHz
BSO613SPVGXUMA1	1.1300	RFQ	24	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，SIPMOS®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO613			MOSFET （金属 o化物）		PG-DSO-8-6	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						60 V	3.44A（TA）	10V	130MOHM @ 3.44A，10V	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±20V	875 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
SI7317DN-T1-GE3	1.1700	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7317			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						150 v	2.8A（TC）	6V，10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	9.8 NC @ 10 V	±30V	365 PF @ 75 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
SMBTA14E6327	0.1000	RFQ	210	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					330兆	PG-SOT23-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,112																					30 V	300 MA							100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
CTLT5551-M832D TR	-	RFQ	6214	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tdfn暴露垫	CTLT5551				1.65W	TLM832D	下载				1514-CTLT5551-M832DTR	Ear99	8541.29.0075	1																					160V	600mA							50NA（iCBO）	2 NPN （双）	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	100MHz
SI3456BDV-T1-GE3	-	RFQ	2013	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3456			MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	4.5A（ta）	4.5V，10V	35mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V		-	1.1W（TA）
MMRF5016HSR5	-	RFQ	7750	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	48 v		表面安装	NI-400S-2S	MMRF5		1.8GHz〜2.2GHz	hemt		NI-400S-2S	-		（1 （无限）	到达不受影响	935331343528	过时的	0000.00.0000	250			-			32W	-											-
STGW20NB60KD	-	RFQ	2225	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW20	标准			170 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25				480V，20A，10欧姆，15V															80.5 ns	-	600 v	50 a	100 a	2.8V @ 15V，20A	675µJ（在）上，500µJ（（）	85 NC	39NS/105NS
SQP90P06-07L_GE3	-	RFQ	6256	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SQP90			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		P通道						60 V	120A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	14280 pf @ 25 V	-	300W（TC）
FMBA06	0.5300	RFQ	63	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FMBA0				700MW	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					80V	500mA							100NA	2 NPN （双）	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
MMRF1020-04GNR3	266.1723	RFQ	3118	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v		表面安装	OM-780G-4L	MMRF1020		920MHz	ldmos		OM-780G-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935318203528	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-		860 MA	100W	19.5db											-										48 v
STGWT40H65FB	4.3000	RFQ	416	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT40	标准			283 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，40a，5ohm，15V																沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	2.3V @ 15V，40a	（498MJ）（在363mj上）	210 NC	40NS/142NS
SIHD3N50DT4-GE3	0.3563	RFQ	8362	Vishay Siliconix	d	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD3			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						500 v	3A（TC）	10V	3.2OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	175 pf @ 100 V	-	69W（TC）
BC556ABU	0.0400	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	8,435																					65 v	100 ma							15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
IPD60R385CPATMA1	2.9600	RFQ	2096	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r			MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	9A（TC）	10V	385MOHM @ 5.2A，10V	3.5V @ 340µA	22 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 100 V	-	83W（TC）
SISS588DN-T1-GE3	1.3600	RFQ	6289	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8				MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SISS588DN-T1-GE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						80 V	16.9a（ta），58.1a（tc）	7.5V，10V	8mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	28.5 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 40 V	-	4.8W（TA），56.8W（tc）
SN75468NE4	-	RFQ	2682	Texas Instruments	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.29.0095	400
2N4959UB	82.5000	RFQ	7655	微芯片技术	*	大部分	积极的											-			到达不受影响	150-2N4959UB			1
IXGP48N60B3	-	RFQ	5263	ixys	Genx3™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP48	标准			300 w	TO-220	-				238-ixgp48n60b3	Ear99	8541.29.0095	50				480V，30a，5ohm，15V															25 ns	pt	600 v	48 a	280 a	1.8V @ 15V，32a	（840µJ）（在660µJ上）	115 NC	22NS/130NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²