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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
DE150-501N04A	-	RFQ	2682	ixys-rf	de	管子	过时的	500 v			6-SMD，平坦的铅裸垫	DE150	-	MOSFET			DE150	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	40	n通道		4.5a	25 µA	200W	-											-
IRF710	0.3700	RFQ	4	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					400 v	2A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	36W（TC）
STFW2N105K5	2.7600	RFQ	2051	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	STFW2		MOSFET （金属 o化物）			to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					1050 v	2A（TC）	10V	8ohm @ 750mA，10v	5V @ 100µA	10 NC @ 10 V	30V	115 pf @ 100 V	-	30W（TC）
FCPF360N65S3R0L-F154	2.9900	RFQ	5901	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF360		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	10a（TJ）	10V	360MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 200µA	18 nc @ 10 V	±30V	730 PF @ 400 V	-	27W（TC）
BLF872,112	-	RFQ	6379	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-800-1		-	ldmos			最多	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	15			41a	900 MA	300W	-											-					32 v
JANTX2N5339	10.2942	RFQ	6572	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5339			1 w		到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响	JANTX2N5339MS	Ear99	8541.29.0095	1																			100 v	5 a			100µA			NPN	1.2V @ 500mA，5a	60 @ 2a，2v	-
PH3135-20M	290.5800	RFQ	3876	MACOM技术解决方案	-	托盘	积极的		200°C（TJ）	-	-	PH3135			20W		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1465-1205	Ear99	8541.29.0075	20						7.5dB													65V	2.4a						NPN		-	-			-
RF5L051K5CB4	187.5000	RFQ	8349	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v		底盘安装	D4E	RF5L051K5	500MHz	ldmos			D4E	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L051K5CB4			100	-		1µA	200 ma	1500W	22DB											-					50 V
NVMFS4C302NWFT1G	3.0700	RFQ	8127	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS4		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	43a（ta），241a（tc）	4.5V，10V	1.15MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	5780 pf @ 15 V	-	3.75W（ta），115W（tc）
IQE036N08NM6CGSCATMA1	1.2170	RFQ	5164	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IQE036N08NM6CGSCATMA1TR			6,000
IRLR2905TRLPBF	1.5600	RFQ	38	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR2905		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					55 v	42A（TC）	4V，10V	27mohm @ 25a，10v	2V @ 250µA	48 NC @ 5 V	±16V	1700 PF @ 25 V	-	110W（TC）
PJS6461_S1_00001	0.4600	RFQ	48	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	PJS6461		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJS6461_S1_00001TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					60 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	110MOHM @ 3.2A，10V	2.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	785 pf @ 30 V	-	2W（TA）
GTRA362802FC-V1-R0	197.9200	RFQ	50	Wolfspeed，Inc。	甘	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	H-37248C-4	GTRA362802	3.4GHz〜3.6GHz	hemt			H-37248C-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			光盘3A001B3	8541.29.0075	50			-	200 ma	280W	13.5dB											-					48 v
2N5346	287.8650	RFQ	7094	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱				60 W		TO-59	-			到达不受影响	150-2N5346	Ear99	8541.29.0095	1																			80 V	7 a			-			PNP	-	-	-
BCP52-16TF	0.4800	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP52			1.3 w		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																			60 V	1 a			100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	140MHz
DTC115EE3HZGTL	0.4100	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	DTC115			150兆		EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																			50 V	100 ma			500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	82 @ 5mA，5V	250 MHz	100 kohms	100 kohms
SI9426DY	-	RFQ	5109	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					20 v	10.5a（ta）	2.7V，4.5V	13.5MOHM @ 10.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±8V	2150 pf @ 10 V	-	1W（ta）
FDN371N	1.0000	RFQ	3691	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDN371		MOSFET （金属 o化物）			Supersot-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	50mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	10.7 NC @ 4.5 V	±12V	815 PF @ 10 V	-	500MW（TA）
ISC028N04NM5ATMA1	1.5100	RFQ	7591	Infineon技术	Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC028N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8 FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					40 V	24A（24A），121A （TC）	7V，10V	2.8mohm @ 50a，10v	3.4V @ 30µA	38 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 20 V	-	（3W）（75W（ta）（TC）
BC856SHX	-	RFQ	5188	Nexperia USA Inc.	BC856	大部分	过时的		175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BC856			270MW		6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））		1727-BC856SHX	过时的		1																			65V	100mA			15NA（icbo）			2 PNP （双）	300mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
FMS6G10US60	15.4500	RFQ	23	Fairchild半导体	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	25 pm-aa				66 W	三相桥梁整流器	25 pm-aa	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30	三相逆变器																	-	600 v	10 a	2.7V @ 15V，10a		250 µA	是的	710 PF @ 30 V
DMTH10H009LPS-13	0.3849	RFQ	8311	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH10		MOSFET （金属 o化物）			PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMTH10H009LPS-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	（14A）（100a）（100a tc）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	40.2 NC @ 10 V	±20V	2309 PF @ 50 V	-	1.5W（ta），125W（tc）
MMBT5401	0.1200	RFQ	27	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																			150 v	600 MA			50NA（iCBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
RQ1A070ZPTR	1.2200	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	RQ1A070		MOSFET （金属 o化物）			TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					12 v	7a（ta）	1.5V，4.5V	12MOHM @ 7A，4.5V	1V @ 1mA	58 NC @ 4.5 V	±10V	7400 PF @ 6 V	-	700MW（TA）
2SA2044-E	0.4400	RFQ	1	Onmi	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
IPI08CN10N g	-	RFQ	2169	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI08C		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					100 v	95A（TC）	10V	8.5MOHM @ 95A，10V	4V @ 130µA	100 nc @ 10 V	±20V	6660 pf @ 50 V	-	167W（TC）
BSR302KL6327	0.0900	RFQ	4943	Infineon技术	-	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
BUK9608-55A，118	0.7800	RFQ	2	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载			到达不受影响	2156-BUK9608-55A，118-954			1		n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	7.5mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	92 NC @ 5 V	±15V	6021 PF @ 25 V	-	253W（TC）
IXFR21N50Q	-	RFQ	3250	ixys	-	管子	过时的					IXFR21						-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	30								-
FF600R12IP4VBOSA1	573.6367	RFQ	7599	Infineon技术	PrimePack™2	托盘	不适合新设计		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF600R12			3350 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	2独立																	沟渠场停止	1200 v	600 a	2.05V @ 15V，600A		5 ma	是的	37 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²