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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	（ID） - 最大
STI8N65M5	-	RFQ	3632	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	Sti8			MOSFET （金属 o化物）			i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±25V	690 pf @ 100 V	-	70W（TC）
BC33725TFR	0.0400	RFQ	59	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆		TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	7,071																					45 v	800 MA									100NA				NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
NSBC114YPDXV6T5	0.0600	RFQ	176	Onmi	*	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
FDB029N06	7.2400	RFQ	800	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB029			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						60 V	120A（TC）	10V	3.1MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	151 NC @ 10 V	±20V	9815 PF @ 25 V	-	231W（TC）
IPD50P03P4L11ATMA1	1.5700	RFQ	9014	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						30 V	50A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 50a，10v	2V @ 85µA	55 NC @ 10 V	+5V，-16V	3770 pf @ 25 V	-	58W（TC）
FS225R12KE3S1BDSA1	1.0000	RFQ	1672年	Infineon技术	Econopack™ +	大部分	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					1150 w	标准	模块	下载						0000.00.0000	1	完整的桥梁逆变器																			沟渠场停止	1200 v	325 a	2.15V @ 15V，225a								5 ma	是的	16 NF @ 25 V
BLA0912-250R	-	RFQ	8377	Ampleon USA Inc.	-	大部分	积极的	75 v		底盘安装	SOT-502A			960MHz〜1.215GHz	ldmos			SOT502A	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			1µA		150 ma	250W	13DB											-									36 V
NVMFS5C604NLWFAFT3G	2.7714	RFQ	8233	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5			MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						60 V	287a（TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	52 NC @ 4.5 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	200W（TC）
2N5625	74.1300	RFQ	6833	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3					116 W		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N5625	Ear99	8541.29.0095	1																					80 V	10 a									-				PNP	1.5V @ 1mA，5mA	-	-
AOK10N90	-	RFQ	2897	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AOK10			MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道						900 v	10A（TC）	10V	980MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	3160 pf @ 25 V	-	403W（TC）
2SA733（A）-nd-a	1.2900	RFQ	81	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
MRF5S21130HSR5	-	RFQ	8762	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-880S	MRF5		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos			NI-880S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50			-		1.2 a	28W	13.5dB											-									28 V
SN75468DE4	-	RFQ	4930	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	在sic中停产		150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	75468				-		16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40																					100V	500mA									-				7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CLF1G0035-100P	202.5400	RFQ	9	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-CLF1G0035-100P-954			1
RJK5014DPK-00＃t0	-	RFQ	2815	Onmi	*	大部分	积极的					RJK5014							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
BC857BU3HZGT106	0.3700	RFQ	5	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC857				200兆		UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					45 v	100 ma									15NA（icbo）				PNP	650mv @ 5mA，100mA	210 @ 2mA，5V	250MHz
NP80N055KLE-E2-AY	-	RFQ	4564	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的												-	rohs3符合条件	供应商不确定			过时的	0000.00.0000	3,000									80A（TC）
UPA2702TP-E1-AZ	1.7500	RFQ	254	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
SQSA80ENW-T1_GE3	1.1100	RFQ	516	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQSA80			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						80 V	18A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	1358 PF @ 40 V	-	62.5W（TC）
MRFG35002N6T1	11.0600	RFQ	2	自由度半导体	-	大部分	积极的	8 V			PLD-1.5	MRFG35		3.55GHz	Phemt fet			PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1,000			-		65 ma	1.5W	10dB											-									6 V
BLF7G10LS-250	-	RFQ	3834	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B			869MHz〜960MHz	ldmos			SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				100			5µA		1.8 a	250W	19.5db											-									30 V
STGF19NC60WD	2.1800	RFQ	19	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STGF19	标准			32 W		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				390V，12a，10ohm，15V															31 ns	-	600 v	14 a	2.5V @ 15V，12A	（81µJ）（在125µJ上）	53 NC	25NS/90NS
FDBL0240N100	6.3600	RFQ	1	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	FDBL0240			MOSFET （金属 o化物）			8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						100 v	210a（TC）	10V	2.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	111 NC @ 10 V	±20V	8755 pf @ 50 V	-	3.5W（300W），300W tc）
HUFA75637S3S	-	RFQ	6737	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUFA75			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						100 v	44A（TC）	10V	30mohm @ 44a，10v	4V @ 250µA	108 NC @ 20 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	155W（TC）
CP216-2N4393-CT	-	RFQ	7572	中央半导体公司	-	托盘	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	死							死	下载		（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP216-2N4393-CT	过时的		400		n通道						40 V							20pf @ 20V													40 V	5 ma @ 20 V	500 mv @ 1 na				100欧姆					50 mA
MJ11014	5.0000	RFQ	1818年	固态公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3					200 w		TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2383-MJ11014	Ear99	8541.10.0080	10																					90 v	30 a									1ma				npn-达灵顿	4V @ 300mA，30a	1000 @ 20a，5v	-
BC846AS_R1_00001	0.2700	RFQ	3	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BC846				150MW		SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-BC846AS_R1_00001CT	Ear99	8541.21.0075	3,000																					65V	100mA									15NA（icbo）				2 NPN （双）	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
BUK9E3R7-60E，127	-	RFQ	6212	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9			MOSFET （金属 o化物）			i2pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	120A（TC）	5V，10V	3.4mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	95 NC @ 5 V	±10V	13490 pf @ 25 V	-	293W（TC）
BSM200GA120DN2FS	1.0000	RFQ	7509	Infineon技术	*	大部分	积极的					BSM200							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
ALD110802SCL	5.8548	RFQ	7664	高级线性设备公司	epad®	管子	积极的		0°C 〜70°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	ALD110802			MOSFET （金属 o化物）	500MW		16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1014-1021	Ear99	8541.21.0095	50	4 n n通道，匹配对							10.6V	-		500OHM @ 4.2V	220mv @ 1µA	-		2.5pf @ 5V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²