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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRL510SPBF	0.7072	RFQ	4109	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL510			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	5.6A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 3.4A，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
IRLMS1503TRPBF	0.6500	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	IRLMS1503			MOSFET （金属 o化物）			Micro6™tsop-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 2.2a，10v	1V @ 250µA	9.6 NC @ 10 V	±20V	210 pf @ 25 V	-	1.7W（TA）
RDX100N60FU6	-	RFQ	2763	Rohm半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RDX100			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						600 v	10a（10a）	10V	650MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	45W（TC）
BLF7G27L-90P，112	-	RFQ	6726	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-1121A	BLF7G27		2.5GHz〜2.7GHz	ldmos			最多	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934064498112	Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源		18a		720 MA	16W	18.5db											-										28 V
DMN3016LPS-13	0.4600	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMN3016			MOSFET （金属 o化物）			PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	10.8a（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	25.1 NC @ 10 V	±20V	1415 pf @ 15 V	-	1.18W（TA）
BCX53-16-TP	0.4600	RFQ	2	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX53				500兆		SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																					80 V	1 a							100NA（ICBO）		PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	50MHz
J211-D74Z	0.5000	RFQ	2	Onmi	-	（CT）	积极的	25 v		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J211		-	JFET			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道		20mA			-	-											-
BC212_J35Z	-	RFQ	1387	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC212				625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																					50 V	300 MA							15NA（icbo）		PNP	600mv @ 5mA，100mA	60 @ 2mA，5V	-
BUH100	-	RFQ	4380	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的		-60°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BUH10				100 W		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					700 v	10 a							100µA		NPN	750mv @ 1.5a，7a	10 @ 5A，5V	23MHz
MCH3007-TL-H	-	RFQ	6935	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	MCH3007				350MW		3-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-MCH3007-TL-HTR	Ear99	8542.33.0001	3,000							12DB														12V	30mA									NPN		60 @ 5mA，5v	8GHz	1.2db @ 1GHz
SIHA21N60EF-GE3	4.0100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220完整包	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	9A（TC）	10V	176mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±30V	2030 PF @ 100 V	-	35W（TC）
RJK0396DPA-00＃j53	0.6800	RFQ	21	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn				MOSFET （金属 o化物）			8-wpak	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	30a（TA）		9mohm @ 15a，10v	-	9 NC @ 4.5 V		1330 pf @ 10 V	-	28W（TC）
APTC80TDU15PG	164.7513	RFQ	6148	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTC80			MOSFET （金属 o化物）	277W		sp6-p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）							800V	28a		150mohm @ 14a，10v	3.9V @ 2mA	180nc @ 10V		4507pf @ 25V	-
MRFG35010AR1	-	RFQ	3633	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v		底盘安装	NI-360HF	MRFG35		3.55GHz	Phemt fet			NI-360HF	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			-		140 MA	1W	10dB											-										12 v
SI3415C-TP	0.0596	RFQ	1239	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI3415			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23	下载				353-SI3415C-TPTR	Ear99	8541.29.0095	1		P通道						20 v	5A（5A）	1.8V，4.5V	40mohm @ 5A，4.5V	1.25V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±10V	540 pf @ 10 V	-	1W
BLP05H6110XRGY	38.1300	RFQ	10	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	135 v		表面安装	4-Besop （0.173“，4.40mm宽度）	BLP05		108MHz	ldmos			4-HSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100	双重，共同来源		-		20 ma	110W	27dB											-										50 V
FQN1N60CTA	0.1900	RFQ	88	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道						600 v	300mA（TC）	10V	11.5ohm @ 150mA，10v	4V @ 250µA	6.2 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	1W（TA），3W（tc）
FF750R17ME7B11BPSA1	407.9000	RFQ	9194	Infineon技术	EconoDual™，Trenchstop™	托盘	积极的		-	底盘安装	模块						标准	ag-econod	-	rohs3符合条件			448-FF750R17ME7B11BPSA1			10	单身的																			沟渠场停止	1700 v	750 a		-						不
IRFPG50pbf	5.8800	RFQ	1915年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPG50			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPG50pbf	Ear99	8541.29.0095	25		n通道						1000 v	6.1A（TC）	10V	2ohm @ 3.6A，10V	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	190w（TC）
BLM10D3438-35ABX	20.8439	RFQ	9836	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		表面安装	20 QFN暴露垫	BLM10		3.8GHz〜3.4GHz	ldmos			20-PQFN（8x8）	-	rohs3符合条件			1603-BLM10D3438-35ABXTR			2,000	-		1.4µA		45 MA	-	33.4dB											-										32 v
FGA6560WDF	4.8600	RFQ	421	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA6560	标准			306 w		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，60a，6ohm，15V															110 ns	沟渠场停止	650 v	120 a	180 a	2.3V @ 15V，60a	2.46mj（在）上，520µJ off）	84 NC	25.6NS/71NS
STQ3N45K3-AP	-	RFQ	1464	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	STQ3			MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						450 v	600mA（TC）	10V	3.8ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	6 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	3W（TC）
IXTH3N120	6.3785	RFQ	1520	ixys	-	盒子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						1200 v	3A（TC）	10V	4.5OHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	200W（TC）
RP1E075RPTR	-	RFQ	5780	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RP1E075			MOSFET （金属 o化物）			MPT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道						30 V	7.5A（ta）	4V，10V	21MOHM @ 7.5A，10V	2.5V @ 1mA	21 NC @ 5 V	±20V	1900 pf @ 10 V	-	2W（TA）
NTD24N06LT4G	-	RFQ	9924	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD24			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道						60 V	24A（24A）	5V	45mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±15V	1140 pf @ 25 V	-	1.36W（TA），62.5W（tj）
2SB631KF	-	RFQ	3031	Sanyo	*	大部分	过时的												-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SB631KF-600057			1
IRL3714STRRPBF	-	RFQ	5444	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						20 v	36a（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±20V	670 pf @ 10 V	-	47W（TC）
IRFR020	-	RFQ	9106	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR020			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR020	Ear99	8541.29.0095	75		n通道						60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
RTF025N03TL	0.7100	RFQ	20	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	RTF025			MOSFET （金属 o化物）			Tumt3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						30 V	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	67MOHM @ 2.5A，4.5V	1.5V @ 1mA	5.2 NC @ 4.5 V	±12V	270 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
PTVA093002TCV1R250XUMA1	-	RFQ	8324	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v			H-37248G-4/2	PTVA093002		730MHz〜960MHz	ldmos			H-49248H-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001226874	Ear99	8541.29.0095	250	双重，共同来源		10µA		400 MA	300W	18.5db											-										50 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²