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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	（ID） - 最大
jankccl2n5153	-	RFQ	9104	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCL2N5153			100																					80 V	2 a										50µA	PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
FDW2503N	0.4400	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25			MOSFET （金属 o化物）	600MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）							20V	5.5a		21MOHM @ 5.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	17nc @ 4.5V		1082pf @ 10V	逻辑级别门
CAS350M12BM3	838.7800	RFQ	3	Wolfspeed，Inc。	-	盒子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	CAS350			（SIC）	-	-	下载		不适用			Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）公共来源							1200V（1.2kV）	417a（TC）		5.2MOHM @ 350a，15V	3.6V @ 85mA	844NC @ 15V		25700pf @ 800V	-
IXFH150N25X3HV	-	RFQ	4108	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的		-	-	-	IXFH150			-		-	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		-							-	-	-	-		±20V		-	-
SI4488DY-T1-E3	2.2500	RFQ	983	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4488			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						150 v	3.5A（ta）	10V	50mohm @ 5a，10v	2V @ 250µA（）	36 NC @ 10 V	±20V		-	1.56W（TA）
IRFP4227PBFXKMA1	3.3879	RFQ	3103	Infineon技术	-	管子	积极的											-	rohs3符合条件			448-IRFP4227PBFXKMA1			25
MSCM20AM058G	400.8200	RFQ	3	微芯片技术	-	盒子	积极的		-	底盘安装	模块	MSCM20			MOSFET （金属 o化物）	-	LP8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCM20AM058G	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）							200V	280a（TC）		-	-	-		-	-
2SD1694（4）-s2-az	-	RFQ	4175	肾脏	-	大部分	过时的											-				2156-2SD1694（4）-s2-az			1
IXGA48N60C3-TRL	3.1631	RFQ	8261	ixys	Genx3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXGA48	标准			300 w	TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixga48nnnn60c3-trltr	Ear99	8541.29.0095	800				400V，30a，3ohm，15V															26 NS	pt	600 v	75 a	250 a	2.5V @ 15V，30a	410µJ（在）上，230µJ（OFF）	77 NC	19NS/60NS
DMT8030LFDF-7	0.2915	RFQ	6806	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫				MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（f型）	下载			到达不受影响	31-DMT8030LFDF-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						80 V	7.5A（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	641 PF @ 25 V	-	1.2W（TA）
Buk9Y1R6-40H，115	-	RFQ	2475	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的											下载						0000.00.0000	1
DMT3020LFDB-13	0.1948	RFQ	2005	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMT3020			MOSFET （金属 o化物）	700MW	U-DFN2020-6（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	2 n 通道（双）							30V	7.7a（ta）		20mohm @ 9a，10v	3V @ 250µA	7NC @ 10V		393pf @ 15V	-
CA/JCOP/MF4K/4B-UZ	-	RFQ	8812	NXP USA Inc.	*	大部分	过时的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
PMV28UNEA215	-	RFQ	1192	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
IAUS300N08S5N014TATMA1	7.6200	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	16-Powersop模块				MOSFET （金属 o化物）		PG-HDSOP-16-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道						80 V	300A（TJ）	6V，10V	1.4MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 230µA	187 NC @ 10 V	±20V	13178 PF @ 40 V	-	300W（TC）
PJA3415_R1_00001	0.3700	RFQ	22	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PJA3415			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						20 v	4A（ta）	1.8V，4.5V	57MOHM @ 4A，4.5V	1.2V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±12V	756 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
EMX2DXV6T1G	-	RFQ	8867	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	EMX2DXV6				357MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-EMX2DXV6T1GTR	Ear99	8541.21.0095	1																					50V	100mA										500NA（ICBO）	2 NPN （双）	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
IRFB7434GPBF	-	RFQ	8217	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	过时的		-	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						40 V	195a（TC）	6V，10V	1.6MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V	±20V	10820 PF @ 25 V	-	-
PTVA093002ND-V1-R5	59.2799	RFQ	6743	Wolfspeed，Inc。	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					PTVA093002						下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	500
BC858BLT3	0.0200	RFQ	450	Onmi	-	大部分	过时的					BC858						下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000
DRA5143Y0L	-	RFQ	8353	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-85	DRA5143				150兆	smini3-f2-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																					50 V	100 ma										500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	22 KOHMS
FDB8896	0.9100	RFQ	15	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	330		n通道						30 V	19a（19a ta），93a（tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	2525 PF @ 15 V	-	80W（TC）
2N3629	509.6550	RFQ	6682	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱					30 W	TO-61	-			到达不受影响	150-2N3629	Ear99	8541.29.0095	1																					40 V	5 a										-	PNP	-	-	-
IRLH7134TRPBF	-	RFQ	9117	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						40 V	26A（26A），85A （TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 50a，10v	2.5V @ 100µA	58 NC @ 4.5 V	±16V	3720 PF @ 25 V	-	3.6W（ta），104W（tc）
PMF250xNex	0.4100	RFQ	43	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PMF250			MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						30 V	1A（1A）	2.5V，4.5V	254mohm @ 900mA，4.5V	1.25V @ 250µA	1.65 NC @ 4.5 V	±12V	81 pf @ 15 V	-	342MW（TA）
IRF630NSTRRPBF	-	RFQ	4324	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001561818	Ear99	8541.29.0095	800		n通道						200 v	9.3A（TC）	10V	300MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	575 PF @ 25 V	-	82W（TC）
TSM10N60CI C0G	-	RFQ	8807	台湾半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡				MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM10N60CIC0G	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	10A（TC）	10V	750MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	45.8 NC @ 10 V	±30V	1738 PF @ 25 V	-	50W（TC）
KSK596PCWD	-	RFQ	9201	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSK59				100兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		n通道													3.5pf @ 5V														20 v	100 µA @ 5 V	600 mV @ 1 µA								1 MA
BLF6G38-50,112	-	RFQ	8299	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502A	BLF6G38		3.4GHz〜3.6GHz	ldmos		SOT502A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	20			16.5a		450 MA	9W	14dB											-										28 V
IRFH4251DTRPBF	-	RFQ	3738	Infineon技术	Fastirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH4251			MOSFET （金属 o化物）	31W，63W	PG-Tison-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双），肖特基							25V	64a，188a		3.2MOHM @ 30a，10V	2.1V @ 35µA	15nc @ 4.5V		1314pf @ 13V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²