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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BSL215PL6327	-	RFQ	5272	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL215			MOSFET （金属 o化物）	500MW	PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）							20V	1.5a		150MOHM @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 11µA	3.55NC @ 4.5V		346pf @ 15V	逻辑级别门
MJE3055T	1.1600	RFQ	20	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					75 w	TO-220	下载	rohs3符合条件			2368-MJE3055T	Ear99	8541.29.0095	1																				60 V	10 a										700µA		NPN	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
FQN1N60CBU	-	RFQ	2920	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	300mA（TC）	10V	11.5ohm @ 150mA，10v	4V @ 250µA	6.2 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	1W（TA），3W（tc）
HGTP14N36G3VL	-	RFQ	8017	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		逻辑			100 W	TO-220AB	-				2156-HGTP14N36G3VL			1				-															沟	390 v	18 a		2.2V @ 5V，14a	-	24 NC	-
LKK47-06C5	42.0228	RFQ	4502	ixys	coolmos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	LKK47			MOSFET （金属 o化物）	-	ISOPLUS264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	2 n 通道（双）							600V	47a		45mohm @ 44a，10v	3.9V @ 3mA	190nc @ 10V		6800pf @ 100V	超交界处
PMDXB600Unez	0.4800	RFQ	51	Nexperia USA Inc.	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫	PMDXB600			MOSFET （金属 o化物）	265MW	DFN1010B-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000	2 n 通道（双）							20V	600mA		620MOHM @ 600mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.7NC @ 4.5V		21.3pf @ 10V	逻辑级别门
PBHV9050Z/ZLF	-	RFQ	8773	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA					700兆	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934070765135	Ear99	8541.21.0095	1																				500 v	250 MA										100NA		PNP	350mv @ 20mA，100mA	100 @ 10mA，10v	50MHz
FQP9N08L	-	RFQ	2703	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP9			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						80 V	9.3A（TC）	5V，10V	210MOHM @ 4.65a，10V	5V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±20V	280 pf @ 25 V	-	40W（TC）
2SA1370E	-	RFQ	1823年	Onmi	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
J112,126	-	RFQ	2286	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J112				400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道						40 V							6pf @ 10V（vgs）													40 V	5 ma @ 15 V	1 V @ 1 µA		50欧姆
J107	-	RFQ	7283	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	108		n通道													-													25 v	100 ma @ 15 V	500 mV @ 1 µA		8欧姆
IPP032N06N3GHKSA1	-	RFQ	5532	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP032N			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000453612	Ear99	8541.29.0095	500		n通道						60 V	120A（TC）	10V	3.2MOHM @ 100A，10V	4V @ 118µA	165 NC @ 10 V	±20V	13000 PF @ 30 V	-	188W（TC）
BC807-40,235	-	RFQ	2638	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					250兆	SOT-23	下载						0000.00.0000	1																				45 v	500 MA										100NA（ICBO）		PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	80MHz
UPA1981TE-T1-A	0.2400	RFQ	27	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	SC-95	UPA1981			MOSFET （金属 o化物）	1W（ta）	SC-95	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA1981TE-T1-A	Ear99	8542.39.0001	1	n和p通道							8V	2.8A（ta）		70mohm @ 2.8a，5v，105mohm @ 1.9a，2.5V	200mv @ 2.8a，200mv @ 1.9a	-		-	-
SI3476DV-T1-BE3	0.4700	RFQ	2625	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SI3476DV-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						80 V	3.5A（TA），4.6A（TC）	4.5V，10V	93MOHM @ 3.5A，10V	3V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	195 pf @ 40 V	-	2W（TA），3.6W（TC）
IXTP48N20T	4.1800	RFQ	3242	ixys	沟	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp48			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						200 v	48A（TC）	10V	50MOHM @ 24A，10V	4.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 V	-	250W（TC）
FQB46N15TM_AM002	-	RFQ	4376	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB4			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						150 v	45.6A（TC）	10V	42MOHM @ 22.8A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），210W（tc）
AOD2C60	-	RFQ	5320	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD2			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	2A（TC）	10V	3.3ohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	304 pf @ 100 V	-	52W（TC）
IXFT24N90P-TRL	12.9159	RFQ	7968	ixys	Hiperfet™，极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft24			MOSFET （金属 o化物）		TO-268	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixft24n90p-trltr	Ear99	8541.29.0095	400		n通道						900 v	24A（TC）	10V	420MOHM @ 12A，10V	6.5V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	660W（TC）
MRF7S21110HR5	-	RFQ	9377	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7		2.17GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-		1.1 a	33W	17.3db											-									28 V
IXFN80N50Q3	54.4800	RFQ	10	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN80			MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfn80n50q3	Ear99	8541.29.0095	10		n通道						500 v	63A（TC）	10V	65mohm @ 40a，10v	6.5V @ 8mA	200 NC @ 10 V	±30V	10000 PF @ 25 V	-	780W（TC）
NVMFS5C468NLAFT1G	1.1600	RFQ	6310	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						40 V	（13A）（TA），37A （TC）	4.5V，10V	10.3MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	7.3 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	3.5W（ta），28W（28W）TC）
42107HS	-	RFQ	4930	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的											-		不适用			过时的	0000.00.0000	1
SIGC54T60R3EX1SA2	-	RFQ	9263	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC54	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1				-															沟渠场停止	600 v	100 a	300 a	1.85V @ 15V，100a	-		-
2N4416A	74.1300	RFQ	2906	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以					300兆	到72	-		（1 （无限）	到达不受影响	150-2N4416A	Ear99	8541.21.0095	1		n通道						35 v							4pf @ 15V													35 v	5 ma @ 15 V	2.5 V @ 1 na
AUIRF7341QTR	-	RFQ	1975年	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRF7341			MOSFET （金属 o化物）	2.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）							55V	5.1a		50MOHM @ 5.1A，10V	3V @ 250µA	44NC @ 10V		780pf @ 25V	逻辑级别门
MSC017SMA120J	66.3200	RFQ	8076	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）			MSC017			sicfet （碳化硅）			下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-MSC017SMA120J	Ear99	8541.29.0095	10		n通道						1200 v	88A（TC）	20V	22mohm @ 40a，20v	2.7V @ 4.5mA ty（typ）	249 NC @ 20 V	+23V，-10V	5280 pf @ 1000 V		278W（TC）
2N4339-E3	-	RFQ	8037	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4339				300兆	TO-206AA（to-18）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200		n通道													7pf @ 15V													50 V	500 µA @ 15 V	600 mv @ 100 na
pbrp113et-qr	0.0687	RFQ	6544	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PBRP113				250兆	TO-236AB	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-pbrp113et-qrtr	Ear99	8541.21.0095	3,000																				40 V	600 MA										500NA		pnp-预先偏见	750mv @ 6mA，600mA	140 @ 600mA，5V		1 kohms	1 kohms
JASP2N2906AUB	148.2202	RFQ	9783	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C	表面安装	3-SMD，没有铅					500兆	UB	-			到达不受影响	150-JANSP2N2906AUB			1																				60 V	600 MA										50NA		PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²