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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
2SK2943	-	RFQ	9261	桑肯	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SK2943 DK	Ear99	8541.29.0095	3,750		n通道						900 v	3A（3A）	10V	5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 1mA		±30V	600 pf @ 10 V	-	30W（TC）
2N3853	273.7050	RFQ	7492	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱					30 W	TO-59	-			到达不受影响	150-2N3853	Ear99	8541.29.0095	1																					40 V	5 a										-	PNP	-	-	-
PHU101NQ03LT，127	-	RFQ	8691	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	PHU10			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						30 V	75A（TC）	5V，10V	5.5MOHM @ 25A，10V	2.5V @ 1mA	23 NC @ 5 V	±20V	2180 pf @ 25 V	-	166W（TC）
BF999E6812HTSA1	-	RFQ	6494	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	20 v		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300MHz	MOSFET		PG-SOT23	-			到达不受影响				3,000	n通道		16MA		10 MA	-	27dB											2.1db										10 v
SIGC18T60SNCX1SA3	-	RFQ	7979	Infineon技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC18	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1				400V，20a，16ohm，15V																npt	600 v	20 a	60 a	2.5V @ 15V，20A	-		36NS/250NS
HFA3096B	4.3700	RFQ	1	Intersil	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）					150MW	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	480							-														12V，15V	65mA											3 NPN + 2 PNP		40 @ 10mA，2v / 20 @ 10mA，2V	8GHz，5.5GHz			3.5db @ 1GHz
ALD110800SCL	4.5124	RFQ	7900	高级线性设备公司	EPAD®，零阈值™	管子	积极的		0°C 〜70°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	ALD110800			MOSFET （金属 o化物）	500MW	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1014-1019	Ear99	8541.21.0095	50	4 n n通道，匹配对							10.6V	-		500OHM @ 4V	20mv @ 1µA	-		2.5pf @ 5V	-
IRL3714ZSPBF	1.0000	RFQ	9621	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道						20 v	36a（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	7.2 NC @ 4.5 V	±20V	550 pf @ 10 V	-	35W（TC）
NDS8425	0.8200	RFQ	60	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS842			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道						20 v	7.4a（ta）	2.7V，4.5V	22mohm @ 7.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V	1098 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
ALD110808SCL	4.9140	RFQ	1445	高级线性设备公司	epad®	管子	积极的		0°C 〜70°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	ALD110808			MOSFET （金属 o化物）	500MW	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1014-1027	Ear99	8541.21.0095	50	4 n n通道，匹配对							10.6V	12mA，3mA		500OHM @ 4.8V	820mv @ 1µA	-		2.5pf @ 5V	-
BSS138W-7-F	0.3000	RFQ	98	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BSS138			MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						50 V	200ma（ta）	10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
NTE75	29.0200	RFQ	47	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-65°C 〜200°C	底盘，螺柱坐骑	TO-111-4，螺柱					2 w	TO-111	下载	Rohs不合规			2368-NTE75	Ear99	8541.29.0095	1																					80 V	5 a										100µA	NPN	1.5V @ 500mA，5a	40 @ 50mA，5V	120MHz
IXXP12N65B4D1	2.8766	RFQ	4939	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXXP12	标准			160 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				400V，12a，20欧姆，15V															43 ns	-	650 v	38 a	70 a	1.95V @ 15V，12A	440µJ（在）上，220µJ（（）	34 NC	13ns/158ns
irlr024trr	-	RFQ	9098	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR024			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						60 V	14A（TC）	4V，5V	100mohm @ 8.4a，5V	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
TK11A45D（sta4，Q，m）	1.8600	RFQ	50	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK11A45			MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道						450 v	11a（11a）	10V	620MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±30V	1050 pf @ 25 V	-	40W（TC）
BD435STU	-	RFQ	3434	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					36 W	TO-126-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																					32 v	4 a										100µA	NPN	500mv @ 200mA，2a	50 @ 2a，1V	3MHz
FDMS86252L	-	RFQ	9092	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDMS86252L	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						150 v	4.4A（ta），12a （TC）	4.5V，10V	56mohm @ 4.4A，10V	3V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	1335 PF @ 75 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
AUIRFS8408-7P	-	RFQ	7351	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB	IRFS8408			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7-900	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						40 V	240a（TC）	10V	1MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	315 NC @ 10 V	±20V	10250 pf @ 25 V	-	294W（TC）
ECH8607-TL-E	0.4100	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
BUK7Y59-60EX	-	RFQ	7909	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669				MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK7Y59-60EX-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						60 V	17a（TC）	10V	59mohm @ 5a，10v	4V @ 1mA	7.8 NC @ 10 V	±20V	494 pf @ 25 V	-	37W（TC）
RN1970FE（TE85L，F）	-	RFQ	9551	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1970				100MW	ES6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	4,000																					50V	100mA										100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz	4.7kohms	-
APT13003XZTR-G1	-	RFQ	7586	二极管合并	-	（TB）	过时的					APT13003						-	Rohs符合条件	（1 （无限）		31-APT13003XZTR-G1TB	Ear99	8541.29.0095	2,000
FMMT614QTC	0.2087	RFQ	7876	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					500兆	SOT-23-3	下载			到达不受影响	31-FMMT614QTCTR	Ear99	8541.21.0095	10,000																					100 v	500 MA										10µA	npn-达灵顿	1V @ 5mA，500mA	15000 @ 100mA，5v	-
PDTA144EQA147	0.0300	RFQ	19	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000
MNS2N3637UBP	15.3900	RFQ	3069	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					1.5 w	UB	-			到达不受影响	150-MNS2N3637UBP	Ear99	8541.29.0095	1																					175 v	1 a										10µA	PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
ZTX749A	0.1400	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					1 w	TO-226	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	1,500																					35 v	2 a										100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	100 @ 1A，2V	100MHz
NTMFS4C10NAT1G	-	RFQ	3617	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					NTMFS4						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
MMBFJ202	0.5000	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBFJ2				350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道													-														40 V	900 µA @ 20 V	800 mv @ 10 na
NTS4001NT1	-	RFQ	7904	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	NTS400			MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3（SOT323）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTS4001NT1OS	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						30 V	270mA（ta）	2.5V，4V	1.5OHM @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	1.3 NC @ 5 V	±20V	33 pf @ 5 V	-	330MW（TA）
ULS2075H-883	19.9200	RFQ	160	Allegro微型系统	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C（TA）	通过洞	16-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	ULS2075				2.2W	16-Cerdip	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																					50V	1.5a										500µA	4 pnp darlington（四Quad）	1.75V @ 2mA，1.25a	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²