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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
MRF140	111.4650	RFQ	3299	MACOM技术解决方案	-	托盘	积极的	65 v			211-11，样式2			30MHz〜150MHz	MOSFET		211-11，样式2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1465-1149	Ear99	8541.29.0095	20	n通道		16a		250 MA	150W	6DB〜15DB											-										28 V
BDP949H6327XTSA1	0.5094	RFQ	3114	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BDP949				5 w	PG-SOT223-4-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																					60 V	3 a							100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 200mA，2a	100 @ 500mA，1V	100MHz
PMV120ENEAR	0.4200	RFQ	382	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV120			MOSFET （金属 o化物）		TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						60 V	2.1a（ta）	4.5V，10V	123mohm @ 2.1a，10v	2.7V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±20V	275 pf @ 30 V	-	（513MW）（TA），6.4W（TC）
NVD20N03L27T4G	-	RFQ	2456	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD20N			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	20A（TA）	4V，5V	27mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	18.9 NC @ 10 V	±20V	1260 pf @ 25 V	-	1.75W（ta），74W（tc）
2SA1622-6-TL-E	0.0400	RFQ	9	Sanyo	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2SA1622-6-TL-E-600057			1
DTA143Z	0.0200	RFQ	41	Onmi	*	大部分	积极的					DTA143						下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	1
DMN3023L-13	0.0930	RFQ	8065	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN3023			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN3023L-13DI	Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道						30 V	6.2a（ta）	2.5V，10V	25mohm @ 4A，10V	1.8V @ 250µA	18.4 NC @ 10 V	±20V	873 PF @ 15 V	-	900MW（TA）
DRC5124X0L	-	RFQ	6638	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-85	DRC5124				150兆	smini3-f2-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																					50 V	100 ma							500NA	npn-预先偏见	250mv @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，10v		22 KOHMS	47科姆斯
HUFA76629D3	-	RFQ	2028	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	HUFA76			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						100 v	20A（TC）	4.5V，10V	52MOHM @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1285 PF @ 25 V	-	110W（TC）
IRGB4715DPBF	-	RFQ	4365	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准			100 W	TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				400V，8A，50OHM，15V															86 ns	-	650 v	21 a	24 a	2V @ 15V，8a	200µJ（在）上，90µJ（OFF）	30 NC	30n/100n
MRF7S21150HSR3	-	RFQ	1533年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF7		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935309845128	Ear99	8541.29.0075	250			-		1.35 a	44W	17.5db											-										28 V
SIA436DJ-T1-GE3	0.6300	RFQ	1430	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA436			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						8 V	12A（TC）	1.2V，4.5V	9.4mohm @ 15.7A，4.5V	800MV @ 250µA	25.2 NC @ 5 V	±5V	1508 pf @ 4 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
2SC5066-O，LF	-	RFQ	9564	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2SC5066				100MW	SSM	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000							-														12V	30mA								NPN		80 @ 10mA，5V	7GHz			1dB @ 500MHz
FDPF5N50NZF	0.7900	RFQ	552	Fairchild半导体	Unifet-II™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道						500 v	4.2A（TC）	10V	1.75OHM @ 2.1a，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±25V	485 pf @ 25 V	-	30W（TC）
TSM150NB04LCR RLG	1.4100	RFQ	1	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM150			MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						40 V	10a（10a），41A（41A）（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	966 pf @ 20 V	-	3.1W（TA），56W（tc）
RJP3034DPP-90 ＃T2F	2.0500	RFQ	500	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IPW65R019C7FKSA1	2000年2 26日	RFQ	324	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R019			MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	75A（TC）	10V	19mohm @ 58.3a，10V	4V @ 2.92mA	215 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 400 V	-	446W（TC）
FDC6000NZ_F077	-	RFQ	4196	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SSOT平高，Supersot™-6 FLMP	FDC6000			MOSFET （金属 o化物）	1.2W	supersot™-6 flmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							20V	7.3a		20mohm @ 6.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	11NC @ 4.5V		840pf @ 10V	逻辑级别门
IRFH4251DTRPBF	-	RFQ	3738	Infineon技术	Fastirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH4251			MOSFET （金属 o化物）	31W，63W	PG-Tison-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双），肖特基							25V	64a，188a		3.2MOHM @ 30a，10V	2.1V @ 35µA	15nc @ 4.5V		1314pf @ 13V	逻辑级别门
MMIX1T600N04T2	39.4400	RFQ	20	ixys	FRFET®，Supremos®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	24-PowersMD，21个线索	MMIX1T600			MOSFET （金属 o化物）		24-smpd	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道						40 V	600A（TC）	10V	1.3MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 250µA	590 NC @ 10 V	±20V	40000 PF @ 25 V	-	830W（TC）
PMCXB900UEZ	0.4000	RFQ	165	Nexperia USA Inc.	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫	PMCXB900			MOSFET （金属 o化物）	265MW	DFN1010B-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000	n和p通道互补							20V	600mA，500mA		620MOHM @ 600mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.7NC @ 4.5V		21.3pf @ 10V	逻辑级别门
DMT47M2LDVQ-7	1.1000	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT47			MOSFET （金属 o化物）	2.34W（TA），14.8W（tc）	PowerDI3333-8（UXC）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）							40V	11.9a（ta），30.2a tc）		10.8mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	14NC @ 10V		891pf @ 20V	-
FQPF6N80	-	RFQ	8071	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						800 v	3.3A（TC）	10V	1.95OHM @ 1.65A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	51W（TC）
ixtp4n65x2	2.8600	RFQ	236	ixys	Ultra X2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp4			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	4A（TC）	10V	850MOHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±30V	455 pf @ 25 V	-	80W（TC）
YJD180N03A	0.3400	RFQ	250	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJD180N03ATR	Ear99		2,500
PHD16N03LT，118	-	RFQ	5240	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD16			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	16A（TC）	4.5V，10V	67mohm @ 16a，10v	2V @ 1mA	8.5 NC @ 10 V	±15V	210 pf @ 30 V	-	32.6W（TC）
ZXTC2045E6QTA	0.2809	RFQ	4095	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXTC2045				700MW	SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					30V	1.5a							20NA（ICBO）	NPN，PNP	375mv @ 15mA，750mA	180 @ 100mA，2V	265MHz，195MHz
AONS36326	-	RFQ	3418	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					AONS363						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AONS36326TR	过时的		3,000									-
ABC857A-HF	0.0506	RFQ	5420	comchip技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-ABC857A-HFTR	Ear99	8541.21.0095	3,000																					45 v	100 ma							15NA（icbo）		650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
FDI9406	1.8500	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDI940			-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1																-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²