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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RX3G07CGNC16	2.4700	RFQ	602	Rohm半导体	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	RX3G07			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RX3G07CGNC16	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						40 V	70A（TC）		4.7MOHM @ 70A，10V	2.5V @ 500µA	32 NC @ 10 V	±20V	2410 pf @ 20 V	-	78W（TC）
ISC0804NLSATMA1	1.5700	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC0804N			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						100 v	12a（12a），59a（tc）	4.5V，10V	10.9MOHM @ 20a，10v	2.3V @ 28µA	24 NC @ 10 V	±20V	1600 PF @ 50 V	-	2.5W（TA），60W（TC）
MCMNP2065A-TP	0.4200	RFQ	6	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	MCMNP2065			MOSFET （金属 o化物）	2W	DFN2020-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道							20V	6a（6a），4a ta（4a ta）		25mohm @ 5A，4.5V，51MOHM @ 3.4a，4.5V	1V @ 250µA	7.65nc @ 4.5V，5.41NC @ 10V		418pf @ 10V，880pf @ 6v	-
AUIRG4BC30U-S	-	RFQ	5319	国际整流器	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	auirg4	标准			100 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1				480V，12a，23ohm，15V																-	600 v	23 a	92 a	2.1V @ 15V，12A	160µJ（在）上，200µJ（200µJ）	75 NC	17NS/78NS
KSC233333YTU	-	RFQ	5210	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC2333				15 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-KC233333YTU-488	Ear99	8541.29.0095	1,000																					400 v	2 a							10µA（ICBO）	NPN	1V @ 100mA，500mA	40 @ 100mA，5V	-
NTTFS016N06CTAG	0.6525	RFQ	4866	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS016			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTTFS016N06CTAGTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						60 V	8a（8a ta），32a （TC）	10V	16.3mohm @ 5A，10V	4V @ 25µA	6.9 NC @ 10 V	±20V	489 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），36W（tc）
MMDF6N02HDR2	0.4000	RFQ	14	Onmi	*	大部分	积极的											下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
RSD150N06TL	0.5924	RFQ	5921	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RSD150			MOSFET （金属 o化物）		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	15A（TA）	4V，10V	40mohm @ 15a，10v	3V @ 1mA	18 nc @ 10 V	±20V	930 PF @ 10 V	-	20W（TC）
HUFA76439S3S	-	RFQ	6706	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUFA76			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	75A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±16V	2745 PF @ 25 V	-	155W（TC）
SI4684DY-T1-GE3	-	RFQ	8482	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4684			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	16A（TC）	4.5V，10V	9.4mohm @ 16a，10v	1.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±12V	2080 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），4.45W（TC）
SSF2215	0.4100	RFQ	5	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）	1.25W（TA）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000	2个p通道							20V	3A（3A）		85MOHM @ 3A，4.5V	1V @ 250µA	8NC @ 4.5V		510pf @ 15V	标准
SI6924AEDQ-T1-E3	-	RFQ	2812	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6924			MOSFET （金属 o化物）	1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水							28V	4.1a		33mohm @ 4.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
HUFA76429D3ST	0.9200	RFQ	38	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	20A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1480 pf @ 25 V	-	110W（TC）
MRF148A	58.0500	RFQ	327	MACOM技术解决方案	-	托盘	积极的	120 v			211-07	MRF148		30MHz〜175MHz	MOSFET		211-07，样式2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1465-1151	Ear99	8541.29.0075	20	n通道		6a		100 ma	30W	15DB〜18DB											-										50 V
IPT008N06NM5LFATMA1	6.5600	RFQ	9377	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT008N			MOSFET （金属 o化物）		PG-HSOF-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						60 V	454a（TC）	10V	0.8MOHM @ 150A，10V	3.6V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	980 pf @ 30 V	-	278W（TC）
PTFA181001EV4XWSA1	-	RFQ	3051	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍线	PTFA181001		1.88GHz	ldmos		H-36248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			1µA		750 MA	100W	16.5db											-										28 V
FJNS3206RBU	-	RFQ	4954	Onmi	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3	FJNS32				300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																					50 V	100 ma							100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
EMZ1FHAT2R	0.0967	RFQ	1483	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	EMZ1FHAT2				150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																					50V	150mA							100NA（ICBO）	NPN，PNP	400mv @ 5mA，50mA / 500mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz，140MHz
IRFM220BTF_FP001	-	RFQ	5086	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFM2			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						200 v	1.13A（TC）	10V	800MOHM @ 570mA，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	390 pf @ 25 V	-	2.4W（TA）
2SC4942-T1-AZ	1.2500	RFQ	6	肾脏	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					2 w	MP-2	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SC4942-T1-AZ	Ear99	8541.29.0095	1																					600 v	1 a							10µA（ICBO）	NPN	1V @ 80mA，400mA	30 @ 100mA，5V	30MHz
ECH8601M-C-TL-HX	-	RFQ	7990	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8601			-		8-ech	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		-							8a（TJ）		-	-				-	-
GTRA262802FC-V2-R2	119.8668	RFQ	1689年	Wolfspeed，Inc。	甘	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	H-37248C-4	GTRA262802		2.49GHz〜2.69GHz	hemt		H-37248C-4	下载				1697-GTRA262802FC-V2-R2TR	Ear99	8541.29.0075	250			-		200 MA	250W	14dB											-										48 v
IKW20N60TA	-	RFQ	5292	Infineon技术	Trechstop®	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			166 w	pg-to247-3-41	下载					Ear99	8541.29.0095	1				400V，20A，12OHM，15V															41 ns	沟渠场停止	600 v	40 a	60 a	2.05V @ 15V，20A	（310µJ）（在460µJ上）	120 NC	18NS/199N
AUIRFR48Z	-	RFQ	9266	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001522912	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						55 v	42A（TC）	10V	11mohm @ 37a，10v	4V @ 50µA	60 NC @ 10 V	±20V	1720 PF @ 25 V	-	91W（TC）
irfp344pbf	-	RFQ	8743	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP344			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*irfp344pbf	Ear99	8541.29.0095	500		n通道						450 v	9.5A（TC）	10V	630MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
AON4803_001	-	RFQ	3652	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	AON480			MOSFET （金属 o化物）	1.7W（TA）	8-DFN （3x2）	-			到达不受影响	785-AON4803_001	过时的		1	2个p通道							20V	3.4a（ta）		90MOHM @ 3.4A，4.5V	1V @ 250µA	8NC @ 4.5V		745pf @ 10V	标准
SI7114DN-T1-GE3	0.8005	RFQ	8612	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7114			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	11.7a（ta）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 18.3a，10V	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.5W（TA）
APTM50AM19STG	-	RFQ	6793	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM50			（SIC）	1250W	SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）							500V	170a		19mohm @ 85a，10v	5V @ 10mA	492NC @ 10V		22400pf @ 25V	-
PBSS4320X，135	0.4200	RFQ	11	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	PBSS4320				1.6 w	SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																					20 v	3 a							100NA	NPN	310mv @ 300mA，3a	200 @ 2a，2v	100MHz
IRF540ZSTRRPBF	-	RFQ	7867	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001570112	Ear99	8541.29.0095	800		n通道						100 v	36a（TC）	10V	26.5MOHM @ 22a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	92W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²