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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FGAF20S65AQ	-	RFQ	7277	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FGAF20	标准		75 w	TO-3PF-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，10a，23ohm，15V											235 ns	沟渠场停止	650 v	40 a	60 a	2.1V @ 15V，20A	345µJ（在）上，95µj（（）	38 NC	18NS/102NS
SST201 SOT-23 3L ROHS	4.1000	RFQ	6	线性集成系统公司	SST201	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道									4.5pf @ 15V												40 V	200 µA @ 15 V	300 mv @ 10 na
2SC4081-Q	0.0190	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-2SC4081-QTR	Ear99		3,000
LSIC1MO120G0080	-	RFQ	2688	Littelfuse Inc.	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	LSIC1MO120		sicfet （碳化硅）		TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	39A（TC）	20V	100mohm @ 20a，20v	4V @ 10mA	92 NC @ 20 V	+22V，-6V	170 pf @ 800 V	-	214W（TC）
PDTC114EM，315	-	RFQ	8997	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	SC-101，SOT-883				250兆	DFN1006-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDTC114EM，315-954			1																50 V	100 ma									1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	230 MHz	10 kohms	10 kohms
ISL9N303AP3	-	RFQ	6692	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ISL9		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道		30 V	75A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	172 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 15 V	-	215W（TC）
2SA1012R	0.7970	RFQ	9363	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				15 W	TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定			8541.21.0000	3,000																50 V	5 a									1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 150mA，3a	70 @ 1A，1V	60MHz
MMBT4403M3T5G	0.3600	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	MMBT4403			265兆	SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																40 V	600 MA									-	PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
NGTB50N120FL2WG	-	RFQ	2539	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB50	标准		535 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	NGTB50N120FL2WGOS	Ear99	8541.29.0095	30			600V，50a，10ohm，15V											256 ns	沟渠场停止	1200 v	100 a	200 a	2.2V @ 15V，50a	4.4MJ（在）上，1.4MJ off）	311 NC	118NS/282NS
MMBTA92-AQ	0.0539	RFQ	6159	diotec半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-MMBTA92-AQTR		8541.21.0000	3,000																300 v	500 MA									100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 2mA，20mA	80 @ 10mA，10v
IXGP16N60B2	-	RFQ	6315	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP16	标准		150 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，12A，22OHM，15V												pt	600 v	40 a	100 a	1.95V @ 15V，12A	160µJ（在）上，120µJ（120µJ）	24 NC	18NS/73NS
DMN2013UFDEQ-7	0.2465	RFQ	9944	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	DMN2013		MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（e）	下载			到达不受影响	31-DMN2013UFDEQ-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	10.5a（ta）	1.5V，4.5V	11mohm @ 8.5a，4.5V	1.1V @ 250µA	25.8 NC @ 8 V	±8V	2453 PF @ 10 V	-	660MW（TA）
2SC4738-gr，LXHF	0.3300	RFQ	4	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	SC-75，SOT-416				120兆	SSM	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																50 V	150 ma									100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
2SK4066-DL-E	-	RFQ	6752	Sanyo	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SK4066-DL-E-600057			1		n通道		60 V	100A（TA）	4V，10V	4.7MOHM @ 50a，10v	2.6V @ 1mA	220 NC @ 10 V	±20V	12500 PF @ 20 V	-	1.65W（ta），90W（tc）
DMTH6005LK3-13	1.1200	RFQ	3913	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMTH6005		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	90A（TC）	4.5V，10V	5.6mohm @ 50a，10v	3V @ 250µA	47.1 NC @ 10 V	±20V	2962 PF @ 30 V	-	2.1W（TA），100W（TC）
30507-001-xtd	0.1900	RFQ	271	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	2（1年）	供应商不确定		3A991	8542.39.0001	1
PJMF900N60EC_T0_001	3.2400	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PJMF900		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB-F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJMF900N60EC_T0_00001	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		600 v	5A（TC）	10V	900mohm @ 2.3a，10v	4V @ 250µA	8.8 NC @ 10 V	±30V	310 PF @ 400 V	-	22.5W（TC）
IRLR7807ZCPBF	-	RFQ	9788	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		30 V	43A（TC）	4.5V，10V	13.8mohm @ 15a，10v	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	780 pf @ 15 V	-	40W（TC）
HIP2060ase	1.8300	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				HIP2060		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1												-
SH8K32TB1	1.7000	RFQ	10	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8K32		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOP（5.0x6.0）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			60V	4.5a		65mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 1mA	10NC @ 5V		500pf @ 10V	逻辑级别门
IPI65R420CFD	0.8200	RFQ	10	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		650 v	8.7A（TC）	10V	420MOHM @ 3.4A，10V	4.5V @ 300µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 100 V	-	83.3W（TC）
NVMFD024N06CT1G	2.2600	RFQ	2639	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD024		MOSFET （金属 o化物）	3.1W（TA），28W（tc）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）			60V	8a（8a ta），24a （TC）		22.6mohm @ 3a，10v	4V @ 20µA	5.7nc @ 10V		333pf @ 30V	-
SP8J62TB1	-	RFQ	4034	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				SP8J62		-			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-SP8J62TB1TR	过时的		2,500												-
BSC150N03LD	0.4000	RFQ	7	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	BSC150		MOSFET （金属 o化物）	26W	PG-TDSON-8-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）			30V	8a		15mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	6.4NC @ 10V		1100pf @ 15V	逻辑级别门
BSO203P	0.5500	RFQ	5102	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO203		MOSFET （金属 o化物）	2W	PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	421	2（p 通道（双）			20V	8.2a		21mohm @ 8.2a，4.5V	1.2V @ 100µA	48.6NC @ 4.5V		2242pf @ 15V	逻辑级别门
FDW2509NZ	0.4600	RFQ	220	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25		MOSFET （金属 o化物）	1.1W（TA）	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）公共排水			20V	7.1a（ta）		20mohm @ 7.1a，4.5V	1.5V @ 250µA	19nc @ 4.5V		1263pf @ 10V	-
IRFR7746TRPBF	-	RFQ	4126	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR7746		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		75 v	56A（TC）	6V，10V	11.2MOHM @ 35A，10V	3.7V @ 100µA	89 NC @ 10 V	±20V	3107 PF @ 25 V	-	99W（TC）
SGF23N60UFTU	1.4200	RFQ	154	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	SGF23N60	标准		75 w	to-3pf	下载					Ear99	8541.29.0095	1			300V，12a，23ohm，15V												-	600 v	23 a	92 a	2.6V @ 15V，12a	（115µJ）（在），135µJ（（（（）		17NS/60NS
NVTYS007N04CLTWG	0.6142	RFQ	6586	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56			MOSFET （金属 o化物）		8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTYS007N04CLTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	（16a）（ta），54A（tc）	4.5V，10V	7.3mohm @ 10a，10v	2.2V @ 30µA	16 NC @ 10 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），38W（tc）
2N6760TXV	7.7600	RFQ	437	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-204aa			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	800 pf @ 25 V	-	75W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²