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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
KSA643CYBU	-	RFQ	7310	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSA643				500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																				20 v	500 MA										200NA（ICBO）		PNP	400mv @ 50mA，500mA	120 @ 100mA，1V	-
IXA55I1200HJ	18.0700	RFQ	8483	ixys	-	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXA55I1200	标准			290 w	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				600V，50a，15ohm，15V															pt	1200 v	84 a		2.1V @ 15V，50a	4.5MJ（在）上，5.5MJ（OFF）	190 NC	-
FCP165N65S3	4.0600	RFQ	731	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP165			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	19a（tc）	10V	165MOHM @ 9.5A，10V	4.5V @ 1.9mA	39 NC @ 10 V	±30V	1500 PF @ 400 V	-	154W（TC）
IPD5N25S3430ATMA1	1.1400	RFQ	3	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD5N25			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						250 v	5A（TC）	10V	430MOHM @ 5A，10V	4V @ 13µA	6.2 NC @ 10 V	±20V	422 PF @ 25 V	-	41W（TC）
NTMFS4C05NAT1G	0.6331	RFQ	6225	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						30 V	21.7a（ta），78a tc）	4.5V，10V	3.4mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1972 pf @ 15 V	-	2.57W（TA），33W（tc）
R6020YNZ4C13	6.5700	RFQ	600	Rohm半导体	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	R6020			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-R6020YNZ4C13			30		n通道						600 v	20A（TC）	10V，12V	185mohm @ 6a，12v	6V @ 1.65mA	28 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 100 V	-	182W（TC）
mps2907arlrmg	-	RFQ	3054	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS290				625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				60 V	600 MA										10NA（ICBO）		PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
MTY25N60E	6.0000	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的											下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
Jankca2N5238	37.2533	RFQ	2010	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/394	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					1 w	TO-5	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA2N5238	Ear99	8541.29.0095	1																				170 v	10 a										10µA		NPN	2.5V @ 1a，10a	50 @ 1A，5V	-
JANTX2N3499UB/TR	659.0283	RFQ	6192	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					1 w	UB	-			到达不受影响	150-JANTX2N3499UB/TR			100																				100 v	500 MA										10µA（ICBO）		NPN	600mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
BUK953R5-60E，127	0.9000	RFQ	2	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道						60 V	120a（ta）		3.4mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	95 NC @ 5 V	±10V	13490 pf @ 25 V	-	293W（ta）
2SJ653	2.8500	RFQ	37	Onmi	*	大部分	积极的					2SJ65			-			下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																-
BCX52,115	0.0700	RFQ	17	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCX52						-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000
DTA114YCA-TP	0.0331	RFQ	9048	微商业公司	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTA114				200兆	SOT-23	下载				353-DTA114YCA-TP	Ear99	8541.21.0095	1																				50 V	100 ma										500NA		pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms
IRFU220S2497	0.4400	RFQ	900	哈里斯公司	*	大部分	积极的					IRFU220			-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1																-
MQ2N4857UB	80.7975	RFQ	1187	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3					360兆w	TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-MQ2N4857UB			1		n通道						40 V							18pf @ 10V													40 V	20 ma @ 15 V	2 V @ 500 PA		40欧姆
2N4391UBC	53.5950	RFQ	1921年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	表面安装	3-SMD，没有铅						UBC	-			到达不受影响	150-2N4391UBC			1		n通道													-
HAF1004-90STL	1.5900	RFQ	1975年	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3
IXGX120N60C2	-	RFQ	6563	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXGX120	标准			830 w	加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，80a，1ohm，15V															-	600 v	75 a	500 a	2.5V @ 15V，100a	1.7mj（在）上，1MJ（1MJ）	370 NC	40NS/120NS
MMBT4401	-	RFQ	1454	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	15,000																				40 V	600 MA										100NA		NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
TSM60NB099CF	7.8447	RFQ	8224	台湾半导体公司	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM60			MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB099CF	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						600 v	38A（TC）	10V	99MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	2587 PF @ 100 V	-	69W（TC）
SSM6J507NU，LF	0.4600	RFQ	50	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6J507			MOSFET （金属 o化物）		6-udfnb（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						30 V	10a（10a）	4V，10V	20mohm @ 4a，10v	2.2V @ 250µA	20.4 NC @ 4.5 V	+20V，-25V	1150 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
PMV185XN，215	-	RFQ	7131	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV1			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	1.1A（TA）	2.5V，4.5V	250MOHM @ 1.1A，4.5V	1.5V @ 250µA	1.3 NC @ 4.5 V	±12V	76 pf @ 15 V	-	325MW（TA），1.275W（TC）
CGHV40030F	146.4600	RFQ	100	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	125 v			440166	CGHV40030		0Hz〜6GHz	hemt		440166	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	100			4.2a		150 ma	30W	16dB											-									50 V
MMBT6427LT3G	-	RFQ	3065	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT6427				225兆	SOT-23-3（TO-236）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																				40 V	500 MA										1µA		npn-达灵顿	1.5V @ 500µA，500mA	20000 @ 100mA，5V	-
BUK9222-100EE	-	RFQ	7768	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934069877118	Ear99	8541.29.0095	2,500									-
IRF40H233XTMA1	-	RFQ	5323	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	8-POWERTDFN	IRF40H233			MOSFET （金属 o化物）	-	PG-TDSON-8-900	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）							40V	-		-	-	-		-	-
IRFP4310ZPBF	4.8200	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP4310			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道						100 v	120A（TC）	10V	6mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 50 V	-	280W（TC）
2SC4075E	-	RFQ	8163	Sanyo	*	大部分	过时的											-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SC4075E-600057			1
SQ9945AEY-T1-E3	-	RFQ	1369	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ9945			MOSFET （金属 o化物）	2.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）							60V	3.7a		80Mohm @ 3.7A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		-	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²