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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
FS45MR12W1M1B11BOMA1	143.2300	RFQ	114	Infineon技术	COOLSIC™+	托盘	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS45MR12		（SIC）	20MW（TC）	Ag-Easy1bm-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001686600	Ear99	8541.21.0095	24	6 n通道（3相桥）						1200V（1.2kV）	25A（TJ）		45mohm @ 25a，15v（typ（typ））	5.55V @ 10mA	62nc @ 15V		1840pf @ 800V	-
NTMFD4951NFT1G	-	RFQ	5620	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	-	-	NTMFD4		-		-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		-						-		-	-				-	-
NTMFS4C50NT1G	0.5300	RFQ	19	Sanyo	-	大部分	积极的		-	表面安装	8-POWERTDFN	NTMFS4		-		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500		-						21.7a（ta）		-	-				-	-
RJK1054DPB-00＃j5	1.1553	RFQ	3360	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	RJK1054		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	20A（TA）	10V	22mohm @ 10a，10v	-	27 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 10 V	-	55W（TC）
ZVN2110ASTOB	-	RFQ	7279	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3			MOSFET （金属 o化物）		to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道					100 v	320mA（TA）	10V	4ohm @ 1A，10V	2.4V @ 1mA		±20V	75 pf @ 25 V	-	700MW（TA）
IRF9620pbf	1.6800	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9620		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9620pbf	Ear99	8541.29.0095	50		P通道					200 v	3.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
HUFA75332G3	-	RFQ	2178	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HUFA75		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150		n通道					55 v	60a（TC）	10V	19mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	145W（TC）
IXTM10P60	-	RFQ	5151	ixys	-	管子	过时的		-	-	-	ixtm10		-		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		-						-	-	-	-		-		-	-
FS10KMJ-2 ＃B01	1.9200	RFQ	15	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的					FS10km		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1															-
BUK9504-40A，127	0.8200	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					Buk95					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
IRF830ALPBF	2.3800	RFQ	385	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF830		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF830ALPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
IRFB3004GPBF	-	RFQ	7476	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001563908	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	195a（TC）	10V	1.75MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	380W（TC）
NTGS3446T1G	0.6900	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NTGS3446		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	45MOHM @ 5.1A，4.5V	1.2V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±12V	750 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SFR2955TM	0.1900	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					60 V	7.6A（TC）	10V	300MOHM @ 3.8A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），32W（tc）
DMT10H015LPS-13	1.0500	RFQ	4977	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT10		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	7.3A（TA），44A（tc）	4.5V，10V	16mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	33.3 NC @ 10 V	±20V	1871 PF @ 50 V	-	1.3W（TA），46W（tc）
AFT23H200-4S2LR6	-	RFQ	4139	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-1230-4LS2L	AFT23	2.3GHz	ldmos		NI-1230-4LS2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935311216128	5A991G	8541.29.0040	150	双重的		-	500 MA	45W	15.3db											-	28 V
IRFZ48NPBF	1.5900	RFQ	5	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ48		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	64A（TC）	10V	14mohm @ 32a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 25 V	-	130W（TC）
IXTM1630	-	RFQ	6495	ixys	-	管子	过时的		-	-	-	IXTM16		-		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		-						-	-	-	-		-		-	-
IPB120N04S3-02	-	RFQ	9513	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB120N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					40 V	120A（TC）	10V	2mohm @ 80a，10v	4V @ 230µA	210 NC @ 10 V	±20V	14300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRF7301pbf	-	RFQ	1547年	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）						20V	5.2a		50mohm @ 2.6a，4.5V	700MV @ 250µA	20NC @ 4.5V		660pf @ 15V	逻辑级别门
BUK9620-55A，118	-	RFQ	4948	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	54A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	2210 PF @ 25 V	-	118W（TC）
IRF9540L	-	RFQ	5581	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF9540		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF9540L	Ear99	8541.29.0095	50		P通道					100 v	19a（tc）	10V	200mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	-
PMT29en，135	-	RFQ	6350	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PMT2		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					30 V	6a（6a）	4.5V，10V	29mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	492 PF @ 15 V	-	820MW（TA），8.33W（tc）
IRL2203NSTRRPBF	-	RFQ	7063	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001576488	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					30 V	116a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±16V	3290 pf @ 25 V	-	3.8W（180W），180W（tc）
SPD50N06S2L-13	-	RFQ	4233	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD50N		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-11	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					55 v	50A（TC）	4.5V，10V	12.7MOHM @ 34a，10V	2V @ 80µA	69 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 25 V	-	136W（TC）
STC5NF30V	-	RFQ	7815	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	STC5NF		MOSFET （金属 o化物）	1.5W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）						30V	5a		31MOHM @ 2.5a，4.5V	600mv @ 250µA	11.5NC @ 4.5V		460pf @ 15V	逻辑级别门
SIA936EDJ-T1-GE3	-	RFQ	3349	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA936		MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	4.5a		34mohm @ 4A，4.5V	1.3V @ 250µA	17NC @ 10V		-	逻辑级别门
US5U30TR	0.2604	RFQ	4998	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD（5条线），平坦的铅	US5U30		MOSFET （金属 o化物）		Tumt5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	1A（1A）	2.5V，4.5V	390MOHM @ 1A，4.5V	2V @ 1mA	2.1 NC @ 4.5 V	±12V	150 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1W（ta）
STP19NM65N	-	RFQ	9968	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP19N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	15.5A（TC）	10V	270MOHM @ 7.75a，10V	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±25V	1900 pf @ 50 V	-	150W（TC）
EPC2106engrt	-	RFQ	7434	EPC	Egan®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	死	EPC210		ganfet（n化岩）	-	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	2,500	2 n 通道（半桥）						100V	1.7a		70mohm @ 2a，5v	2.5V @ 600µA	0.73NC @ 5V		75pf @ 50V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²