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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
SI7868ADP-T1-E3	4.5100	RFQ	6386	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7868		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	40a（TC）	4.5V，10V	2.25MOHM @ 20A，10V	1.6V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±16V	6110 PF @ 10 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
ZVP2106AS	-	RFQ	9217	二极管合并	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			MOSFET （金属 o化物）		到92	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道					60 V	280mA（TA）	10V	5ohm @ 500mA，10v	3.5V @ 1mA		±20V	100 pf @ 18 V	-	700MW（TA）
AO4490L	-	RFQ	1550	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO44		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	16A（TA）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	2170 pf @ 15 V	-	2.8W（ta）
IRFPE30pbf	5.5600	RFQ	500	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPE30		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道					800 v	4.1A（TC）	10V	3ohm @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SFT1342-TL-E	-	RFQ	2636	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SFT134		MOSFET （金属 o化物）		DPAK/TP-FA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					60 V	12a（12a）	4V，10V	62mohm @ 6a，10v	2.6V @ 1mA	26 NC @ 10 V	±20V	1150 pf @ 20 V	-	1W（1W），15W（tc）
IXFC40N30Q	-	RFQ	5021	ixys	-	管子	过时的		-	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC40N30		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS220™	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					300 v	-		-	-				-	-
IPN70R1K4P7SATMA1	0.6900	RFQ	5	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN70R1		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					700 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 700mA，10V	3.5V @ 40µA	4.7 NC @ 10 V	±16V	158 pf @ 400 V	-	6.2W（TC）
RSS050P03TB	0.4572	RFQ	2115	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RSS050		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					30 V	5A（5A）	4V，10V	42MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	13 NC @ 5 V	±20V	1200 pf @ 10 V	-	2W（TA）
SI4563DY-T1-E3	-	RFQ	6498	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4563		MOSFET （金属 o化物）	3.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道						40V	8a		16mohm @ 5A，10V	2V @ 250µA	85nc @ 10V		2390pf @ 20V	-
DI012N60D1	2.2845	RFQ	3219	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3，DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-DI012N60D1TR		8541.21.0000	2,500		n通道					600 v	12A（TC）	10V	260MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	1210 PF @ 150 V	-	130W（TC）
IRF9530NS	-	RFQ	8727	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道					100 v	14A（TC）	10V	200mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），79w（tc）
MCAC95N06Y-TP	1.8300	RFQ	4	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCAC95N06		MOSFET （金属 o化物）		DFN5060	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-MCAC95N06Y-TPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					60 V	95A（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±20V	5950 pf @ 25 V	-	120W（TJ）
IRF6626TR1	-	RFQ	7993	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距St			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™st	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					30 V	16a（16a），72a（tc）	4.5V，10V	5.4mohm @ 16a，10v	2.35V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	±20V	2380 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
NTD32N06G	-	RFQ	9355	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD32		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					60 V	32a（ta）	10V	26mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1725 PF @ 25 V	-	1.5W（TA），93.75W（tj）
YJG100N04A	0.2840	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-yJG100N04ATR	Ear99		5,000
ZVN0545ASTOB	-	RFQ	4125	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3			MOSFET （金属 o化物）		to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道					450 v	90mA（ta）	10V	50ohm @ 100mA，10v	3V @ 1mA		±20V	70 pf @ 25 V	-	700MW（TA）
PD57060-E	53.9100	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	65 v			Powerso-10裸露的底部垫	PD57060	945MHz	ldmos		10-Powerso	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			7a	100 ma	60W	14.3db											-	28 V
MSCSM120DUM08T3AG	395.6500	RFQ	1707年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120		（SIC）	1409W（TC）	SP3F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120DUM08T3AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）公共来源						1200V（1.2kV）	337a（TC）		7.8mohm @ 80a，20v	2.8V @ 4mA	928nc @ 20V		12100pf @ 1000V	-
1irf3710pbf	1.0000	RFQ	4010	Infineon技术	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载						0000.00.0000	1		n通道					100 v	57A（TC）	10V	23mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRFZ46ZSPBF	-	RFQ	2792	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	51A（TC）	10V	13.6mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	82W（TC）
NTMFS4C027NT1G	1.2000	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	16.4a（ta），52a （TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 18a，10v	2.1V @ 250µA	18.2 NC @ 10 V	±20V	1670 pf @ 15 V	-	2.51W（TA），25.5W（tc）
IPG20N06S4L26AATMA1	1.1700	RFQ	5277	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	IPG20N		MOSFET （金属 o化物）	33W	PG-TDSON-8-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）						60V	20a		26mohm @ 17a，10v	2.2V @ 10µA	20NC @ 10V		1430pf @ 25V	逻辑级别门
IPS09N03LA g	-	RFQ	6451	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	IPS09N		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO251-3-11	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					25 v	50A（TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 30a，10v	2V @ 20µA	13 NC @ 5 V	±20V	1642 PF @ 15 V	-	63W（TC）
IPB05N03LA g	-	RFQ	1929年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB05N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					25 v	80A（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 55a，10v	2V @ 50µA	25 NC @ 5 V	±20V	3110 PF @ 15 V	-	94W（TC）
STD170N4F7AG	-	RFQ	7319	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD17		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	80A（TC）	10V	2.8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	4350 pf @ 25 V	-	172W（TC）
Ste53NC50	43.4200	RFQ	328	Stmicroelectronics	PowerMesh™II	管子	积极的		150°C（TJ）	底盘安装	同位素	Ste53		MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道					500 v	53A（TC）	10V	80mohm @ 27a，10v	4V @ 250µA	434 NC @ 10 V	±30V	11200 PF @ 25 V	-	460W（TC）
FDPF10N50UT	-	RFQ	2949	Onmi	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					500 v	8A（TC）	10V	1.05OHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1130 PF @ 25 V	-	42W（TC）
IRFI1310N	-	RFQ	7393	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI1310N	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	24A（TC）	10V	36mohm @ 13a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	56W（TC）
PHB225NQ04T，118	-	RFQ	4245	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB22		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	75A（TC）	10V	3.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	300W（TC）
NP110N055PUG-E1-AY	-	RFQ	3593	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	110A（TC）	10V	2.4MOHM @ 55A，10V	4V @ 250µA	380 NC @ 10 V	±20V	25700 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），288W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²