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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFR120NPBF	-	RFQ	4484	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	9.4A（TC）	10V	210MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	48W（TC）
AOTF4185	0.5103	RFQ	9536	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF41	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	40 V	34A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2550 pf @ 20 V	-	33W（TC）
IPP023N04NGHKSA1	-	RFQ	9010	Infineon技术	Optimos™3	管子	积极的				IPP023				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000359167	Ear99	8541.29.0095	500				-
AO4813L	-	RFQ	6773	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO481	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	7.1a（ta）		25mohm @ 7.1a，10v	2.7V @ 250µA	30.9nc @ 10V		1573pf @ 15V	-
GA05JT03-46	-	RFQ	4907	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C〜225°C（TJ）	通过洞	TO-46-3	GA05JT03	SIC （硅碳化物交界晶体管）		TO-46	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1252	Ear99	8541.29.0095	200		-	300 v	9A（TC）	-	240MOHM @ 5A	-		-		-	20W（TC）
STB18NF30	2.6700	RFQ	8577	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB18	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	330 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	150W（TC）
FDMS9408-F085	-	RFQ	9814	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	FDMS94	MOSFET （金属 o化物）		Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	80A（TC）	10V	1.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	5120 PF @ 25 V	-	214W（TJ）
APT18F60B	4.3226	RFQ	7832	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT18F60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	19a（tc）	10V	390MOHM @ 9A，10V	5V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±30V	3550 pf @ 25 V	-	335W（TC）
IRFL214pbf	-	RFQ	3606	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL214	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	250 v	790mA（tc）	10V	2ohm @ 470mA，10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
STW21NM50N	-	RFQ	8794	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stw21n	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4806-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	500 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±25V	1950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRFS4310ZPBF	-	RFQ	4513	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	120A（TC）	10V	6mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 50 V	-	250W（TC）
IRFBC20L	-	RFQ	9270	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFBC20	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC20L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	2.2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
STW32N65M5	9.6200	RFQ	506	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW32N	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	24A（TC）	10V	119mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±25V	3320 PF @ 100 V	-	150W（TC）
SIAA00DJ-T1-GE3	0.6800	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIAA00	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	20.1a（ta），40a tc）	4.5V，10V	5.6mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	+16V，-12V	1090 pf @ 12.5 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
IPL60R125P7AUMA1	4.1000	RFQ	5	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL60R	MOSFET （金属 o化物）		PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	27a（TC）	10V	125mohm @ 8.2a，10v	4V @ 410µA	36 NC @ 10 V	±20V	1544 PF @ 400 V	-	111W（TC）
STP16NK65Z	-	RFQ	3938	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP16N	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	13A（TC）	10V	500mohm @ 6.5a，10v	4.5V @ 100µA	89 NC @ 10 V	±30V	2750 pf @ 25 V	-	190w（TC）
IRFS750A	-	RFQ	6278	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IRFS7	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	8.4A（TC）	10V	300MOHM @ 4.2A，10V	4V @ 250µA	131 NC @ 10 V	±30V	2780 pf @ 25 V	-	49W（TC）
IPL65R340CFDAUMA1	1.5121	RFQ	9374	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL65R340	MOSFET （金属 o化物）		PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	650 v	10.9a（TC）	10V	340MOHM @ 4.4A，10V	4.5V @ 400µA	41 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104.2W（TC）
SQJ158EP-T1_GE3	0.7300	RFQ	4045	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ158	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	23A（TC）	4.5V，10V	33mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	45W（TC）
YJG18N04A	0.1770	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-yJG18N04ATR	Ear99		5,000
IRF7207Tr	-	RFQ	1013	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道	20 v	5.4A（TC）	2.7V，4.5V	60mohm @ 5.4a，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	22 NC @ 4.5 V	±12V	780 pf @ 15 V	-	2.5W（TC）
STFI26N60M2	3.1800	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI26N	MOSFET （金属 o化物）		I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	20A（TC）	10V	165mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA		±25V		-	30W（TC）
NVMFS5C460NLAFT3G	0.6511	RFQ	9079	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	21a（21A），78a tc（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 35A，10V	2V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.6W（TA），50W（TC）
STMFS5C609NLT1G	4.3826	RFQ	4526	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	-	STMFS5	-		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		-		-	-	-	-		-		-	-
IRF634STRR	-	RFQ	4361	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF634	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	250 v	8.1A（TC）	10V	450MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
NTMFS5C404NLT3G	3.3250	RFQ	1644年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	52A（TA），370A （TC）	4.5V，10V	0.75MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	181 NC @ 10 V	±20V	12168 PF @ 25 V	-	3.2W（TA），167W（tc）
AON6403L	-	RFQ	7984	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AON640	MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	21a（21A），85a（tc）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	196 NC @ 10 V	±20V	9120 PF @ 15 V	-	2.3W（TA），83W（tc）
STW80NF06	-	RFQ	7755	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stw80n	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-3266-5	Ear99	8541.29.0095	600		n通道	60 V	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	3850 pf @ 25 V	-	300W（TC）
FDMS8860AS	0.2900	RFQ	6	Fairchild半导体	*	大部分	积极的				FDMS8860	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000											-
IRF644PBF	1.7300	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF644PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²