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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
AON6590A	2.7300	RFQ	7167	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AON659		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					40 V	67A（TA），100A（tc）	4.5V，10V	0.99mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	8320 PF @ 20 V	-	7.3W（ta），208W（tc）
BUK9M5R2-30E115	-	RFQ	8277	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500
SQ7002K-T1-GE3	-	RFQ	2030	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ7002		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					60 V	320mA（TC）	4.5V，10V	1.3OHM @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA	1.4 NC @ 4.5 V	±20V	24 pf @ 30 V	-	500MW（TC）
PMZ290Nuneyl	-	RFQ	7246	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			MOSFET （金属 o化物）		SOT-883	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道					20 v	1A（1A）	1.8V，4.5V	380MOHM @ 500mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.68 NC @ 4.5 V	±8V	83 pf @ 10 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
PSMN3R5-25MLDX	0.9200	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）	PSMN3R5		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					25 v	70A（TC）	4.5V，10V	3.72mohm @ 25a，10v	2.2V @ 1mA	18.9 NC @ 10 V	±20V	1334 pf @ 12 V	（（（）	65W（TC）
FDS2670	1.9000	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS26		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					200 v	3A（3A）	10V	130MOHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1228 PF @ 100 V	-	2.5W（TA）
IRL1404ZPBF	2.5300	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL1404		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 75A，10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 pf @ 25 V	-	230W（TC）
AO3419L_101	-	RFQ	4483	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	3.5A（ta）	2.5V，10V	75MOHM @ 3.5A，10V	1.4V @ 250µA	6.6 NC @ 4.5 V	±12V	620 pf @ 10 V	-	1.4W（TA）
NP90N03VLG-E1-AY	-	RFQ	4154	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 45A，10V	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	1.2W（ta），105W（（（（（（（）
SI1069X-T1-E3	-	RFQ	4696	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1069		MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	970ma（ta）	2.5V，4.5V	184mohm @ 940mA，4.5V	1.5V @ 250µA	6.86 NC @ 5 V	±12V	308 pf @ 10 V	-	236MW（TA）
CSD87502Q2	0.5900	RFQ	76	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD87502		MOSFET （金属 o化物）	2.3W	6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						30V	5a		32.4MOHM @ 4A，10V	2V @ 250µA	6NC @ 10V		353pf @ 15V	-
IRF7241pbf	-	RFQ	7248	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001551208	Ear99	8541.29.0095	3,800		P通道					40 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	41MOHM @ 6.2A，10V	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3220 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
TSM60NB190CZ C0G	7.4900	RFQ	3	台湾半导体公司	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM60		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1273 PF @ 100 V	-	33.8W（TC）
BLL9G1214L-600U	298.7800	RFQ	7209	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的	65 v		底盘安装	SOT-502A	Bll9	1.2GHz〜1.4GHz	ldmos		SOT502A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20			5µA	400 MA	600W	19db											-	32 v
FDPF041N06BL1	1.1500	RFQ	755	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	283		n通道					60 V	77A（TC）	10V	4.1MOHM @ 77A，10V	4V @ 250µA	69 NC @ 10 V	±20V	5690 pf @ 30 V	-	44.1W（TC）
irfu110pbf	1.1700	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU110		MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu110pbf	Ear99	8541.29.0095	75		n通道					100 v	4.3A（TC）	10V	540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	25W（TC）
2SJ499-TL-E	1.0100	RFQ	4	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	700
SI7382DP-T1-GE3	-	RFQ	1071	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7382		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	14A（TA）	4.5V，10V	4.7MOHM @ 24A，10V	3V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.8W（TA）
SIHB28N60EF-T5-GE3	6.2000	RFQ	6563	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		742-SIHB28N60EF-T5-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					600 v	28a（TC）	10V	123mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	2714 PF @ 100 V	-	250W（TC）
EFC2K102NUZTDG	-	RFQ	9325	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	10-SMD，没有铅	EFC2K102		MOSFET （金属 o化物）	3.1W（TA）	10-WLCSP （2.98x1.49）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）公共排水						12V	33A（TA）		2.65MOHM @ 5A，4.5V	1.3V @ 1mA	42nc @ 3.8V		-	逻辑水平门，2.5V
AO4454	-	RFQ	8390	Alpha＆欧米茄半导体公司	SDMOS™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO44		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					100 v	6.5A（TA）	7V，10V	36mohm @ 6.5a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±25V	1450 pf @ 50 V	-	3.1W（TA）
MSCMC90AM12C3AG	-	RFQ	4091	微芯片技术	-	管子	积极的		-	底盘安装	模块	MSCMC90		（SIC）	-	SP3F	下载			到达不受影响	150-MSCMC90AM12C3AG	Ear99	8541.29.0095	1	-						900V	110A（TC）		-	-	-		-	-
IRFS3006TRLPBF	-	RFQ	9240	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载						0000.00.0000	1		n通道					60 V	195a（TC）	10V	2.5MOHM @ 170A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	8970 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRFBC30SPBF	1.6155	RFQ	1175	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC30		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC30SPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
PJQ4414P_R2_00001	0.4900	RFQ	4	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ4414		MOSFET （金属 o化物）		DFN3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ4414P_R2_00001DKR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					30 V	8a（8a ta），25a tc）（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	4.3 NC @ 4.5 V	±20V	392 PF @ 25 V	-	（2W）（21W）（21W）TC）
PSMN057-200B，118	2.9300	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PSMN057		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					200 v	39A（TC）	10V	57mohm @ 17a，10v	4V @ 1mA	96 NC @ 10 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	250W（TC）
AOC3870	0.3439	RFQ	6123	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					AOC387					-	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOC3870STR			8,000
Auirls4030trl	-	RFQ	9910	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	180a（TC）	4.5V，10V	4.3MOHM @ 110A，10V	2.5V @ 250µA	130 NC @ 4.5 V	±16V	11360 pf @ 50 V	-	370W（TC）
BSO4420T	-	RFQ	5349	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		PG-DSO-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	13A（TA）	4.5V，10V	7.8mohm @ 13a，10v	2V @ 80µA	33.7 NC @ 5 V	±20V	2213 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
ARF521	-	RFQ	6682	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	500 v			M174		81MHz	MOSFET		M174	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1	n通道		10a	50 mA	150W	15DB											-	125 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²