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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
IRLR7807ZCTRRP	-	RFQ	4811	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	43A（TC）	4.5V，10V	13.8mohm @ 15a，10v	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	780 pf @ 15 V	-	40W（TC）
IRL1404ZPBF	2.5300	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL1404		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 75A，10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IRFS610BFP001	-	RFQ	4251	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					200 v	3.3a（TJ）	10V	1.5OHM @ 1.65a，10V	4V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±30V	225 pf @ 25 V	-	22W（TC）
SI7196DP-T1-GE3	-	RFQ	1331	Vishay Siliconix	WFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7196		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	16A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1577 PF @ 15 V	-	5W（5W），41.6W（TC）
NVMJS0D8N04CLTWG	2.1332	RFQ	5512	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	NVMJS0		MOSFET （金属 o化物）		8-lfpak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMJS0D8N04CLTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					40 V	56A（ta），368a（tc）	4.5V，10V	0.72MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	162 NC @ 10 V	±20V	9600 PF @ 25 V	-	4.2W（ta），180W（（（（（（）
SQJQ410EL-T1_GE3	3.0300	RFQ	780	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8	SQJQ410		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					100 v	135a（TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	7350 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IRF1405STRR	-	RFQ	7863	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001564256	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	131a（TC）	10V	5.3MOHM @ 101A，10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 pf @ 25 V	-	200W（TC）
FDB3502	1.7600	RFQ	872	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB350		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					75 v	6A（6A），14A （TC）	10V	47MOHM @ 6A，10V	4.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	815 PF @ 40 V	-	3.1W（ta），41W（TC）
R6020ENZC8	-	RFQ	6975	Rohm半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360		n通道					600 v	20A（TC）	10V	196mohm @ 9.5a，10V	4V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	120W（TC）
IRL3715LPBF	-	RFQ	9541	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1	359.1000	RFQ	2746	Infineon技术	COOLSIC™	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF08MR12		（SIC）	20MW（TC）	Ag-Easy1bm-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	2 n 通道（双）						1200V（1.2kV）	150a（TJ）		9.8mohm @ 150a，15v	5.55V @ 90mA	450NC @ 15V		16000pf @ 600V	-
FS45MR12W1M1B11BOMA1	143.2300	RFQ	114	Infineon技术	COOLSIC™+	托盘	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS45MR12		（SIC）	20MW（TC）	Ag-Easy1bm-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001686600	Ear99	8541.21.0095	24	6 n通道（3相桥）						1200V（1.2kV）	25A（TJ）		45mohm @ 25a，15v（typ（typ））	5.55V @ 10mA	62nc @ 15V		1840pf @ 800V	-
NTMFD4951NFT1G	-	RFQ	5620	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	-	-	NTMFD4		-		-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		-						-		-	-				-	-
NTMFS4C50NT1G	0.5300	RFQ	19	Sanyo	-	大部分	积极的		-	表面安装	8-POWERTDFN	NTMFS4		-		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500		-						21.7a（ta）		-	-				-	-
RJK1054DPB-00＃j5	1.1553	RFQ	3360	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	RJK1054		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	20A（TA）	10V	22mohm @ 10a，10v	-	27 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 10 V	-	55W（TC）
ZVN2110ASTOB	-	RFQ	7279	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3			MOSFET （金属 o化物）		to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道					100 v	320mA（TA）	10V	4ohm @ 1A，10V	2.4V @ 1mA		±20V	75 pf @ 25 V	-	700MW（TA）
IRF9620pbf	1.6800	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9620		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9620pbf	Ear99	8541.29.0095	50		P通道					200 v	3.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
HUFA75332G3	-	RFQ	2178	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HUFA75		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150		n通道					55 v	60a（TC）	10V	19mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	145W（TC）
IXTM10P60	-	RFQ	5151	ixys	-	管子	过时的		-	-	-	ixtm10		-		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		-						-	-	-	-		-		-	-
FS10KMJ-2 ＃B01	1.9200	RFQ	15	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的					FS10km		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1															-
BUK9504-40A，127	0.8200	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					Buk95					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
IRF830ALPBF	2.3800	RFQ	385	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF830		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF830ALPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
IRFB3004GPBF	-	RFQ	7476	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001563908	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	195a（TC）	10V	1.75MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	380W（TC）
NTGS3446T1G	0.6900	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NTGS3446		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	45MOHM @ 5.1A，4.5V	1.2V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±12V	750 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SFR2955TM	0.1900	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					60 V	7.6A（TC）	10V	300MOHM @ 3.8A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），32W（tc）
DMT10H015LPS-13	1.0500	RFQ	4977	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT10		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	7.3A（TA），44A（tc）	4.5V，10V	16mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	33.3 NC @ 10 V	±20V	1871 PF @ 50 V	-	1.3W（TA），46W（tc）
AFT23H200-4S2LR6	-	RFQ	4139	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-1230-4LS2L	AFT23	2.3GHz	ldmos		NI-1230-4LS2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935311216128	5A991G	8541.29.0040	150	双重的		-	500 MA	45W	15.3db											-	28 V
IRFZ48NPBF	1.5900	RFQ	5	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ48		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	64A（TC）	10V	14mohm @ 32a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 25 V	-	130W（TC）
IXTM1630	-	RFQ	6495	ixys	-	管子	过时的		-	-	-	IXTM16		-		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		-						-	-	-	-		-		-	-
IPB120N04S3-02	-	RFQ	9513	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB120N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					40 V	120A（TC）	10V	2mohm @ 80a，10v	4V @ 230µA	210 NC @ 10 V	±20V	14300 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²