RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
IXFP7N100P	6.2500	RFQ	9609	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP7N100		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp7n100p	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					1000 v	7A（TC）	10V	1.9OHM @ 3.5A，10V	6V @ 1mA	47 NC @ 10 V	±30V	2590 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IPN70R2K1CEATMA1	0.2707	RFQ	6640	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN70R2		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					700 v	4A（TC）	10V	2.1OHM @ 1A，10V	3.5V @ 70µA	7.8 NC @ 10 V	±20V	163 pf @ 100 V	-	5W（TC）
BLF278/01,112	-	RFQ	4918	Ampleon USA Inc.	-	管子	过时的	125 v		底盘安装	SOT-262A1		108MHz	MOSFET		CDFM4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934031850112	Ear99	8541.29.0075	20	2 n 通道（双）公共来源		18a	100 ma	300W	22DB											-	50 V
SI9410BDY-T1-GE3	-	RFQ	8970	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9410		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	24mohm @ 8.1a，10v	3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SUD50N02-09P-E3	-	RFQ	9366	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					20 v	20A（TA）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1300 pf @ 10 V	-	6.5W（TA），39.5W（TC）
IXTY01N100	2.8600	RFQ	27	ixys	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXTY01		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道					1000 v	100mA（TC）	10V	80ohm @ 100mA，10v	4.5V @ 25µA	6.9 NC @ 10 V	±20V	54 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRF5305STRR	-	RFQ	7326	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF5305		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Q971401A	Ear99	8541.29.0095	800		P通道					55 v	31a（TC）	10V	60mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
IRF6621TRPBF	-	RFQ	1547年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™SQ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道					30 V	（12a）（ta），55a（tc（TC）	4.5V，10V	9.1MOHM @ 12A，10V	2.25V @ 250µA	17.5 NC @ 4.5 V	±20V	1460 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
FDB24AN06LA0	-	RFQ	3189	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB24		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					60 V	7.8A（ta），40a tc（TC）	5V，10V	19mohm @ 40a，10v	3V @ 250µA	21 NC @ 5 V	±20V	1850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
ixta86n20t-trl	4.0483	RFQ	5397	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta86		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta86n20t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					200 v	86A（TC）	10V	33MOHM @ 43A，10V	5V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	550W（TC）
IRFB3306GPBF	1.8300	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB3306		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	120A（TC）	10V	4.2MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4520 PF @ 50 V	-	230W（TC）
SPB100N03S203T	2.1400	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB100N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					30 V	100A（TC）	10V	3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	7020 PF @ 25 V	-	300W（TC）
RCJ450N20TL	3.3900	RFQ	67	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RCJ450		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					200 v	45A（TC）	10V	55mohm @ 22.5a，10v	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	4200 PF @ 25 V	-	1.56W（ta），40W（TC）
2SJ545-E	0.9200	RFQ	5048	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	321
NTMFS4701NT3G	-	RFQ	3509	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000		n通道					30 V	7.7a（ta）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1280 pf @ 24 V	-	900MW（TA）
PH4030Al，115	-	RFQ	1809年	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	SC-100，SOT-669	PH4030		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934063087115	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	100A（TC）		4mohm @ 15a，10v	2.15V @ 1mA	36.6 NC @ 10 V		2090 pf @ 12 V	-	-
FQB17P10TM	-	RFQ	3680	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB1		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道					100 v	16.5A（TC）	10V	190MOHM @ 8.25a，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），100W（TC）
IPB180N04S4LH0ATMA1	2.4917	RFQ	3963	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB180		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					40 V	180a（TC）	4.5V，10V	1MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 180µA	310 NC @ 10 V	+20V，-16V	24440 pf @ 25 V	-	250W（TC）
SQJ123ELP-T1_GE3	1.5800	RFQ	7998	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ123ELP-T1_GE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					12 v	238a（TC）	1.8V，4.5V	4mohm @ 10a，4.5V	1.5V @ 250µA	180 NC @ 4.5 V	±8V	11680 pf @ 6 V	-	375W（TC）
FQI4N80TU	-	RFQ	7227	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI4N80		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					800 v	3.9a（TC）	10V	3.6OHM @ 1.95a，10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	880 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），130W（tc）
IPP65R110CFDAAKSA1	8.2500	RFQ	3176	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R110		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	31.2A（TC）	10V	110mohm @ 12.7a，10v	4.5V @ 1.3mA	118 NC @ 10 V	±20V	3240 pf @ 100 V	-	277.8W（TC）
SD2931-10W	79.6700	RFQ	8	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的	125 v			M174	SD2931	175MHz	MOSFET		M174	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		20a	250 MA	150W	15DB											-	50 V
SIHG33N65EF-GE3	6.9500	RFQ	3945	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG33		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道					650 v	31.6a（TC）	10V	109MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	171 NC @ 10 V	±30V	4026 PF @ 100 V	-	313W（TC）
TSM60NB900CP ROG	2.9000	RFQ	2	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					600 v	4A（TC）	10V	900MOHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	9.6 NC @ 10 V	±30V	315 pf @ 100 V	-	36.8W（TC）
A2T21H360-23NR6	-	RFQ	7885	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			OM-1230-4L2L	A2T21	2.11GHz〜2.2GHz	ldmos		OM-1230-4L2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的		10µA	500 MA	373W	16.8db											-	28 V
IRF7750TR	-	RFQ	6590	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IRF7750		MOSFET （金属 o化物）	1W	8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）						20V	4.7a		30mohm @ 4.7A，4.5V	1.2V @ 250µA	39nc @ 5V		1700pf @ 15V	逻辑级别门
tpca8052-h（T2L1，VM	1.1300	RFQ	19	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8052		MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）		264-TPCA8052-H t2l1vmtr	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					40 V	20A（TA）	4.5V，10V	11.3mohm @ 10a，10v	2.3V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	2110 PF @ 10 V	-	1.6W（TA），30W（TC）
AO4294	1.1900	RFQ	13	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO42		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					100 v	11.5A（TA）	4.5V，10V	12mohm @ 11.5a，10v	2.4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2420 PF @ 50 V	-	3.1W（TA）
IRF3808SPBF	-	RFQ	3106	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					75 v	106a（TC）	10V	7mohm @ 82a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	5310 PF @ 25 V	-	200W（TC）
FD6M016N03	-	RFQ	7343	Onmi	Power-SPM™	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	EPM15	FD6M016		MOSFET （金属 o化物）	-	EPM15	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	19	2 n 通道（双）						30V	80a		1.6mohm @ 40a，10v	3V @ 250µA	295nc @ 10V		11535pf @ 15V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²