RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
IRFH4257DTRPBF	-	RFQ	3737	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH4257		MOSFET （金属 o化物）	25W，28W	PQFN（5x4）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）						25V	25a		3.4mohm @ 25a，10v	2.1V @ 35µA	15nc @ 4.5V		1321pf @ 13V	逻辑级别门
HUFA76629D3S	0.3900	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道					100 v	20A（TC）	4.5V，10V	52MOHM @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1285 PF @ 25 V	-	110W（TC）
AO4826	-	RFQ	3205	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO482		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						60V	-		25mohm @ 6.3a，10v	3V @ 250µA	58nc @ 10V		2300pf @ 30V	逻辑级别门
5HN02C-TB-E	0.1000	RFQ	45	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
2SK3105-T1B-A	0.5000	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
CSD17313Q2T	1.1900	RFQ	26	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD17313		MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道					30 V	5A（5A）	3V，8V	30mohm @ 4a，8v	1.8V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	340 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），17W（tc）
DMP2021UFDE-13	0.1685	RFQ	7862	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	DMP2021		MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（e）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		P通道					20 v	11.1a（ta）	1.5V，4.5V	16mohm @ 7a，4.5V	1V @ 250µA	59 NC @ 8 V	±10V	2760 pf @ 15 V	-	1.9W（TA）
SQJQ960EL-T1_GE3	2.4400	RFQ	5774	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8x8二元	SQJQ960		MOSFET （金属 o化物）	71W	PowerPak®8x8二元	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）						60V	63A（TC）		9mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	24NC @ 10V		1950pf @ 25V	-
2SK2963（TE12L，F）	-	RFQ	5608	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SK2963		MOSFET （金属 o化物）		PW-Mini	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道					100 v	1A（1A）	4V，10V	700mohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA	6.3 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD18535KC	3.1400	RFQ	1074	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18535		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	200a（200a）	4.5V，10V	2MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	6620 PF @ 30 V	-	300W（TC）
PJP6NA70_T0_00001	-	RFQ	8016	Panjit International Inc.	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PJP6		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		3757-PJP6NA70_T0_001	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					700 v	6a（6a）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	16.5 NC @ 10 V	±30V	831 PF @ 25 V	-	142W（TC）
NVTFS4C08NWFTAG	0.7425	RFQ	4927	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS4		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	17A（TA）	4.5V，10V	5.9MOHM @ 30a，10V	2.2V @ 250µA	18.2 NC @ 10 V	±20V	1113 PF @ 15 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
IRFZ46ZSPBF	-	RFQ	2792	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	51A（TC）	10V	13.6mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	82W（TC）
IXTP200N055T2	4.0600	RFQ	122	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp200		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	200a（TC）	10V	4.2MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	109 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	360W（TC）
AOT8N80L_001	-	RFQ	5533	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT8		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					800 v	7.4A（TC）	10V	1.63OHM @ 4A，10V	4.5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	1650 pf @ 25 V	-	245W（TC）
IPG20N06S4L26AATMA1	1.1700	RFQ	5277	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	IPG20N		MOSFET （金属 o化物）	33W	PG-TDSON-8-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）						60V	20a		26mohm @ 17a，10v	2.2V @ 10µA	20NC @ 10V		1430pf @ 25V	逻辑级别门
SI7866ADP-T1-E3	-	RFQ	5378	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7866		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	40a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	5415 pf @ 10 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
IPL65R725CFDAUMA1	-	RFQ	9683	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL65R		MOSFET （金属 o化物）		PG-VSON-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000949266	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					650 v	5.8A（TC）	10V	725MOHM @ 2.1a，10V	4.5V @ 200µA	20 nc @ 10 V	±20V	615 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
Ste53NC50	43.4200	RFQ	328	Stmicroelectronics	PowerMesh™II	管子	积极的		150°C（TJ）	底盘安装	同位素	Ste53		MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道					500 v	53A（TC）	10V	80mohm @ 27a，10v	4V @ 250µA	434 NC @ 10 V	±30V	11200 PF @ 25 V	-	460W（TC）
STW70N60DM2	11.7600	RFQ	4646	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW70		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16345-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	66A（TC）	10V	42mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	121 NC @ 10 V	±25V	5508 PF @ 100 V	-	446W（TC）
FDFM2P110	0.3900	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		Microfet 3x3mm	下载					Ear99	8542.39.0001	825		P通道					20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	140MOHM @ 3.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	4 NC @ 4.5 V	±12V	280 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
NP55N055（1）-E1-ay	-	RFQ	9489	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的										-	rohs3符合条件	供应商不确定			过时的	0000.00.0000	3,000								55A（TC）
IRF644NS	-	RFQ	3708	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF644		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF644NS	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					250 v	14A（TC）	10V	240MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	150W（TC）
RF1S22N10	0.8800	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
MRF21030LR3	49.0300	RFQ	200	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v			NI-400	MRF21	2.14GHz	ldmos		NI-400	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	250			-	250 MA	30W	13DB											-	28 V
auirfs4115-7trl	-	RFQ	9583	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	AUIRFS4115		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001521180	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					150 v	105A（TC）	10V	11.8mohm @ 63a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	5320 PF @ 50 V	-	380W（TC）
PJA3409-AU_R1_000A1	0.4300	RFQ	2	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PJA3409		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJA3409-AU_R1_000A1TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					30 V	2.9a（ta）	4.5V，10V	110MOHM @ 2.9a，10V	2.1V @ 250µA	9.8 NC @ 10 V	±20V	396 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
DI7A5N65D2K	-	RFQ	1542	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	不适用	不适用	供应商不确定	2796-DI7A5N65D2KTR	Ear99	8541.29.0000	1		n通道					650 v	7.5A（TC）	10V	430MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	18.4 NC @ 10 V	±30V	722 PF @ 325 V	-	62.5W（TC）
BSD816SNH6327	0.0400	RFQ	7250	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT363-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	6,000		n通道					20 v	1.4a（ta）		160MOHM @ 1.4A，2.5V	950mv @ 3.7µA	0.6 NC @ 2.5 V	±8V	180 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
BSC0906NSATMA1	0.7000	RFQ	15	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC0906		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					30 V	18A（18A），63A（tc）	4.5V，10V	4.5mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），30W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²