RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IPD90R1K2C3BTMA1	-	RFQ	2606	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	900 v	5.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.8A，10V	3.5V @ 310µA	28 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 100 V	-	83W（TC）
IRF5305STRR	-	RFQ	7326	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF5305	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Q971401A	Ear99	8541.29.0095	800		P通道	55 v	31a（TC）	10V	60mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
AO4706	-	RFQ	9301	Alpha＆欧米茄半导体公司	SRFET™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO47	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	16.5A（TA）	4.5V，10V	6.8mohm @ 16.5a，10v	2.4V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±12V	5000 pf @ 15 V	（（（）	3.1W（TA）
PJA7002H_R1_00001	0.2200	RFQ	74	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PJA7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJA7002H_R1_001DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	300mA（TA）	5V，10V	5ohm @ 300mA，10v	3V @ 250µA	1.3 NC @ 4.5 V	±20V	22 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
MMFT2406T1G	-	RFQ	5744	Onmi	*		过时的				mmft24				-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000
IXFM11N80	-	RFQ	6690	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	IXFM11	MOSFET （金属 o化物）		to-204aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道	800 v	11A（TC）	10V	950MOHM @ 5.5A，10V	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPW65R145CFD7AXKSA1	6.4300	RFQ	4517	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R145	MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	17a（TC）		145mohm @ 8.5a，10v	4.5V @ 420µA	36 NC @ 10 V	±20V	1694 PF @ 400 V	-	98W（TC）
DMN2710UFB-7	0.0467	RFQ	2316	二极管合并	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-UFDFN	DMN2710	MOSFET （金属 o化物）		X1-DFN1006-3	下载				31-DMN2710UFB-7	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	1.3a（ta）	1.8V，4.5V	450MOHM @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±6V	42 pf @ 16 V	-	720MW（TA）
IXFR16N120P	21.0490	RFQ	8927	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR16	MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1200 v	9A（TC）	10V	1.04OHM @ 8A，10V	6.5V @ 1mA	120 NC @ 10 V	±30V	6900 PF @ 25 V	-	230W（TC）
PJQ2460_R1_00001	0.4300	RFQ	6	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	PJQ2460	MOSFET （金属 o化物）		DFN2020B-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ2460_R1_001DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	75MOHM @ 3.2A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	509 pf @ 15 V	-	2W（TA）
GSFQ2305	0.5000	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000		P通道	20 v	11a（11a）	1.8V，10V	16mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±10V	3370 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IXTP24N65X2	6.1300	RFQ	300	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	2060 pf @ 25 V	-	390W（TC）
PJQ4402P_R2_00001	0.6400	RFQ	4	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ4402	MOSFET （金属 o化物）		DFN3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ4402P_R2_00001DKR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	16A（16A），70A （TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±20V	2436 pf @ 25 V	-	2W（TA），39W（tc）
NTNS0K8NNN021ZTCG	0.6800	RFQ	19	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	NTNS0	MOSFET （金属 o化物）		3-XDFN（0.42x0.62）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		n通道	20 v	220mA（ta）	1.5V，4.5V	1.5OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA		±8V	12.3 pf @ 15 V	-	125MW（TA）
TK40P03M1（T6RDS-Q）	-	RFQ	6022	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK40P03	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		TK40P03M1T6RDSQ	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	40a（ta）	4.5V，10V	10.8mohm @ 20a，10v	2.3V @ 100µA	17.5 NC @ 10 V	±20V	1150 pf @ 10 V	-	-
IRF7401TRPBF	-	RFQ	8522	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7401	MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	20 v	8.7a（ta）	2.7V，4.5V	22mohm @ 4.1a，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	48 NC @ 4.5 V	±12V	1600 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IPD220N06L3GBTMA1	-	RFQ	1293	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD220	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 30a，10v	2.2V @ 11µA	10 NC @ 4.5 V	±20V	1600 pf @ 30 V	-	36W（TC）
BUK7K29-100EX	1.7600	RFQ	21	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	BUK7K29	MOSFET （金属 o化物）	68W	LFPAK56D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）		100V	29.5a		24.5mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	38.1NC @ 10V		2436pf @ 25V	-
IPB90N04S402ATMA1	3.1900	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB90N04	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	40 V	90A（TC）	10V	2.1MOHM @ 90A，10V	4V @ 95µA	118 NC @ 10 V	±20V	9430 PF @ 25 V	-	150W（TC）
BUK9520-55,127	-	RFQ	9391	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	55 v	52A（TC）	5V	20mohm @ 25a，5v	2V @ 1mA		±10V	2400 PF @ 25 V	-	116W（TC）
AOK27S60L	4.0093	RFQ	3879	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS™	管子	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AOK27S60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	27a（TC）	10V	160MOHM @ 13.5A，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	1294 pf @ 100 V	-	357W（TC）
NTMYS4D1N06CLTWG	5.1600	RFQ	9765	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NTMYS4	MOSFET （金属 o化物）		LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	22a（22A），100A（tc）	4.5V，10V	4mohm @ 50a，10v	2V @ 80µA	34 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	3.7W（ta），79w（tc）
IXFR70N15	-	RFQ	2907	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR70	MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	150 v	67A（TC）	10V	28mohm @ 35a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	250W（TC）
NTMFD024N06CT1G	1.3418	RFQ	8505	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMFD024	MOSFET （金属 o化物）	3.1W（TA），28W（tc）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMFD024N06CT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）		60V	8a（8a ta），24a （TC）		22.6mohm @ 3a，10v	4V @ 20µA	5.7nc @ 10V		333pf @ 30V	-
IRF720	-	RFQ	4275	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF720	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF720	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	3.3A（TC）	10V	1.8Ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	50W（TC）
STH400N4F6-6	-	RFQ	5436	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Deepgate™，StripFet™VI	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH400	MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	40 V	180a（TC）	10V	1.15MOHM @ 60a，10V	4.5V @ 250µA	404 NC @ 10 V	±20V	20500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STP140NF55	2.7900	RFQ	6818	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP140	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	55 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	142 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPT65R195G7XTMA1	3.9400	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT65R195	MOSFET （金属 o化物）		PG-HSOF-8-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	650 v	14A（TC）	10V	195MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	97W（TC）
NVMFS5C612NLWFT3G	-	RFQ	4516	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	36a（TA），235a （TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±20V	6660 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），167W（TC）
IXFH35N30Q	-	RFQ	2373	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH35	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道	300 v	35A（TC）	10V	100mohm @ 17.5A，10V	4V @ 4mA	200 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²