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---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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![]() | SI2304BDS-T1-BE3 | 0.4700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | (1 (无限) | 742-SI2304BDS-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 2.6a(ta) | 4.5V,10V | 70MOHM @ 2.5A,10V | 3V @ 250µA | 7 NC @ 10 V | ±20V | 225 pf @ 15 V | - | 750MW(TA) | ||||
![]() | IRF7416QTRPBF | - | ![]() | 8989 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | (CT) | 过时的 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-so | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | P通道 | 30 V | 10a(10a) | 20mohm @ 5.6a,10v | 1V @ 250µA | 92 NC @ 10 V | 1700 PF @ 25 V | - | ||||||||
![]() | IRFH7936TRPBF | - | ![]() | 5321 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-pqfn(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n通道 | 30 V | 20A(20A),54A (TC) | 4.5V,10V | 4.8mohm @ 20a,10v | 2.35V @ 50µA | 26 NC @ 4.5 V | ±20V | 2360 pf @ 15 V | - | 3.1W(TA) | |||
PSMN3R7-30YLC,115 | - | ![]() | 6856 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SC-100,SOT-669 | PSMN3 | MOSFET (金属 o化物) | LFPAK56,Power-SO8 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 30 V | 100A(TC) | 4.5V,10V | 3.95MOHM @ 20A,10V | 1.95V @ 1mA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 1848 pf @ 15 V | - | 79W(TC) | |||
![]() | IRF3315SPBF | - | ![]() | 4629 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 在sic中停产 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 150 v | 21a(TC) | 10V | 82MOHM @ 12A,10V | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.8W(ta),94W(tc) | |||
![]() | FQU6N40CTU | - | ![]() | 6824 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | MOSFET (金属 o化物) | 我帕克 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,040 | n通道 | 400 v | 4.5A(TC) | 10V | 1欧姆 @ 2.25a,10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±30V | 625 pf @ 25 V | - | 2.5W(ta),48W(tc) | |||||
![]() | IRFS4310TRLPBF | 4.8200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRFS4310 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 100 v | 130a(TC) | 10V | 7mohm @ 75a,10v | 4V @ 250µA | 250 NC @ 10 V | ±20V | 7670 pf @ 50 V | - | 300W(TC) | ||
![]() | IXTF1R4N450 | 85.0500 | ![]() | 3328 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | I4-PAC™-5 (3个线索) | ixtf1 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS I4-PAC™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixtf1R4N450 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 4500 v | 1.4A(TC) | 10V | 40 ohm @ 50mA,10v | 6V @ 250µA | 88 NC @ 10 V | ±20V | 3300 PF @ 25 V | - | 190w(TC) | |
![]() | MCAC16N03-TP | - | ![]() | 1724年 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MCAC16 | MOSFET (金属 o化物) | DFN5060 | 下载 | 353-MCAC16N03-TP | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 30 V | 16A(TC) | 4.5V,10V | 9mohm @ 10a,10v | 3V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 1530 pf @ 15 V | - | 30W | ||||
![]() | FDS7082N3 | - | ![]() | 1190 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FDS70 | MOSFET (金属 o化物) | 8-so flmp | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 17.5A(TA) | 4.5V,10V | 6mohm @ 17.5a,10v | 3V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ±20V | 2271 PF @ 15 V | - | (3W)(TA) | |||
![]() | NTMYS4D1N06CLTWG | 5.1600 | ![]() | 9765 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SOT-1023,4-LFPAK | NTMYS4 | MOSFET (金属 o化物) | LFPAK4(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 22a(22A),100A(tc) | 4.5V,10V | 4mohm @ 50a,10v | 2V @ 80µA | 34 NC @ 10 V | ±20V | 2200 PF @ 25 V | - | 3.7W(ta),79w(tc) | ||
![]() | SI4406DY-T1-E3 | - | ![]() | 4191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4406 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 13A(TA) | 4.5V,10V | 4.5MOHM @ 20A,10V | 3V @ 250µA | 50 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.6W(TA) | |||
![]() | MCB40P10Y-TP | 2.1300 | ![]() | 488 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MCB40P10 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P通道 | 100 v | 40a | 4.5V,10V | 56mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 2100 PF @ 50 V | - | 125W(TJ) | ||
![]() | FQPF12N60T | - | ![]() | 6385 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | FQPF1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 5.8A(TC) | 10V | 700mohm @ 2.9a,10v | 5V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ±30V | 1900 pf @ 25 V | - | 55W(TC) | |||
![]() | SSM3J65CTC,L3F | 0.3900 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvii | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | SSM3J65 | MOSFET (金属 o化物) | CST3C | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | P通道 | 20 v | 700mA(TA) | 1.2V,4.5V | 500MOHM @ 500mA,4.5V | 1V @ 1mA | ±10V | 48 pf @ 10 V | - | 500MW(TA) | ||||
![]() | IXTY1N120P | 2.9900 | ![]() | 6691 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | - | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | ixty1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | n通道 | 1200 v | 1A(TC) | - | - | - | - | ||||||
![]() | NVMFS4C05NWFT1G | 0.9200 | ![]() | 8418 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powertdfn,5个线索 | NVMFS4 | MOSFET (金属 o化物) | 5-DFN (5x6)(8-SOFL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 30 V | 24.7a(TA),116a (TC) | 4.5V,10V | 3.4mohm @ 30a,10v | 2.2V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 1972 pf @ 15 V | - | 3.61W(TA),79W(tc) | ||
![]() | IRFR15N20DTRRP | - | ![]() | 7769 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 200 v | 17a(TC) | 10V | 165mohm @ 10a,10v | 5.5V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±30V | 910 PF @ 25 V | - | (3W)(140W)(TC) | ||||
![]() | IRL40T209ATMA1 | - | ![]() | 4592 | 0.00000000 | Infineon技术 | strongirfet™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powersfn | IRL40T209 | MOSFET (金属 o化物) | PG-HSOF-8-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 40 V | 300A(TC) | 4.5V,10V | 0.72MOHM @ 100A,10V | 2.4V @ 250µA | 269 NC @ 4.5 V | ±20V | 16000 PF @ 20 V | - | 500W(TC) | ||
![]() | R6012JNXC7G | 4.0000 | ![]() | 8804 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R6012 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-R6012JNXC7G | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 12A(TC) | 15V | 390MOHM @ 6A,15V | 7V @ 2.5mA | 28 NC @ 15 V | ±30V | 900 PF @ 100 V | - | 60W(TC) | |
![]() | Stuled623 | - | ![]() | 4951 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | Stuled623 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251(IPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 620 v | 3A(TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.1a,10v | 4.5V @ 50µA | 15.5 NC @ 10 V | ±30V | 350 pf @ 50 V | - | 45W(TC) | ||
STP12NM50N | - | ![]() | 5445 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™II | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-4818-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 11A(TC) | 10V | 380MOHM @ 5.5A,10V | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±25V | 940 pf @ 50 V | - | 100W(TC) | ||
![]() | apt10026jfll | 99.4100 | ![]() | 4769 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMos7® | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | APT10026 | MOSFET (金属 o化物) | isotop® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 1000 v | 30A(TC) | 260mohm @ 15a,10v | 5V @ 5mA | 267 NC @ 10 V | 7114 PF @ 25 V | - | ||||||
![]() | SI4114DY-T1-GE3 | 1.3400 | ![]() | 8737 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4114 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 20 v | 20A(TC) | 4.5V,10V | 6mohm @ 10a,10v | 2.1V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ±16V | 3700 PF @ 10 V | - | 2.5W(ta),5.7W(TC) | |||
2N7002CK,215 | - | ![]() | 5621 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (金属 o化物) | TO-236AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 300mA(TA) | 10V | 1.6ohm @ 500mA,10v | 2.5V @ 250µA | 1.3 NC @ 4.5 V | ±20V | 55 pf @ 25 V | - | 350MW(TA) | |||
![]() | IRF630STRLPBF | 1.6900 | ![]() | 94 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF630 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 200 v | 9A(TC) | 10V | 400MOHM @ 5.4A,10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ±20V | 800 pf @ 25 V | - | (3W(ta),74w tc(TC) | |||
![]() | FDD6670AS | - | ![]() | 6521 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | FDD667 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 76A(ta) | 4.5V,10V | 8mohm @ 13.8a,10v | 3V @ 1mA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1580 pf @ 15 V | - | 70W(TA) | |||
![]() | BSZ010NE2LS5ATMA1 | 2.7900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™5 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | BSZ010 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TSDSON-8-FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 25 v | 32A(ta),40a tc) | 4.5V,10V | 1MOHM @ 20a,10v | 2V @ 250µA | 29 NC @ 4.5 V | ±16V | 3900 PF @ 12 V | - | 2.1W(ta),69W(tc) | ||
![]() | SUP40012EL-GE3 | 2.3400 | ![]() | 7391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SUP40012 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 40 V | 150a(TC) | 4.5V,10V | 1.79MOHM @ 30a,10V | 2.5V @ 250µA | 195 NC @ 10 V | ±20V | 10930 PF @ 20 V | - | 150W(TC) |
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