SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
EPC2044 EPC EPC2044 2.0400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 EPC - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 EPC20 ganfet(n化岩) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 2,500 n通道 100 v 9.4A(TA) 5V 10.5MOHM @ 10a,5v 2.5V @ 3mA 5.5 NC @ 5 V +6V,-4V 664 pf @ 50 V - -
SI2304BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2304BDS-T1-BE3 0.4700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 (1 (无限) 742-SI2304BDS-T1-BE3TR Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 2.6a(ta) 4.5V,10V 70MOHM @ 2.5A,10V 3V @ 250µA 7 NC @ 10 V ±20V 225 pf @ 15 V - 750MW(TA)
IRF7416QTRPBF Infineon Technologies IRF7416QTRPBF -
RFQ
ECAD 8989 0.00000000 Infineon技术 - (CT) 过时的 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MOSFET (金属 o化物) 8-so 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 P通道 30 V 10a(10a) 20mohm @ 5.6a,10v 1V @ 250µA 92 NC @ 10 V 1700 PF @ 25 V -
IRFH7936TRPBF Infineon Technologies IRFH7936TRPBF -
RFQ
ECAD 5321 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET (金属 o化物) 8-pqfn(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 30 V 20A(20A),54A (TC) 4.5V,10V 4.8mohm @ 20a,10v 2.35V @ 50µA 26 NC @ 4.5 V ±20V 2360 pf @ 15 V - 3.1W(TA)
PSMN3R7-30YLC,115 NXP USA Inc. PSMN3R7-30YLC,115 -
RFQ
ECAD 6856 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 PSMN3 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 100A(TC) 4.5V,10V 3.95MOHM @ 20A,10V 1.95V @ 1mA 29 NC @ 10 V ±20V 1848 pf @ 15 V - 79W(TC)
IRF3315SPBF Infineon Technologies IRF3315SPBF -
RFQ
ECAD 4629 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 21a(TC) 10V 82MOHM @ 12A,10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 3.8W(ta),94W(tc)
FQU6N40CTU Fairchild Semiconductor FQU6N40CTU -
RFQ
ECAD 6824 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 5,040 n通道 400 v 4.5A(TC) 10V 1欧姆 @ 2.25a,10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±30V 625 pf @ 25 V - 2.5W(ta),48W(tc)
IRFS4310TRLPBF Infineon Technologies IRFS4310TRLPBF 4.8200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRFS4310 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 130a(TC) 10V 7mohm @ 75a,10v 4V @ 250µA 250 NC @ 10 V ±20V 7670 pf @ 50 V - 300W(TC)
IXTF1R4N450 IXYS IXTF1R4N450 85.0500
RFQ
ECAD 3328 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 I4-PAC™-5 (3个线索) ixtf1 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixtf1R4N450 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 4500 v 1.4A(TC) 10V 40 ohm @ 50mA,10v 6V @ 250µA 88 NC @ 10 V ±20V 3300 PF @ 25 V - 190w(TC)
MCAC16N03-TP Micro Commercial Co MCAC16N03-TP -
RFQ
ECAD 1724年 0.00000000 微商业公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN MCAC16 MOSFET (金属 o化物) DFN5060 下载 353-MCAC16N03-TP Ear99 8541.29.0095 1 n通道 30 V 16A(TC) 4.5V,10V 9mohm @ 10a,10v 3V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±20V 1530 pf @ 15 V - 30W
FDS7082N3 onsemi FDS7082N3 -
RFQ
ECAD 1190 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FDS70 MOSFET (金属 o化物) 8-so flmp 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 17.5A(TA) 4.5V,10V 6mohm @ 17.5a,10v 3V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±20V 2271 PF @ 15 V - (3W)(TA)
NTMYS4D1N06CLTWG onsemi NTMYS4D1N06CLTWG 5.1600
RFQ
ECAD 9765 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SOT-1023,4-LFPAK NTMYS4 MOSFET (金属 o化物) LFPAK4(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 22a(22A),100A(tc) 4.5V,10V 4mohm @ 50a,10v 2V @ 80µA 34 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 25 V - 3.7W(ta),79w(tc)
SI4406DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4406DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4191 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4406 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 13A(TA) 4.5V,10V 4.5MOHM @ 20A,10V 3V @ 250µA 50 NC @ 4.5 V ±20V - 1.6W(TA)
MCB40P10Y-TP Micro Commercial Co MCB40P10Y-TP 2.1300
RFQ
ECAD 488 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MCB40P10 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 P通道 100 v 40a 4.5V,10V 56mohm @ 15a,10v 2.5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 50 V - 125W(TJ)
FQPF12N60T onsemi FQPF12N60T -
RFQ
ECAD 6385 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF1 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 5.8A(TC) 10V 700mohm @ 2.9a,10v 5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±30V 1900 pf @ 25 V - 55W(TC)
SSM3J65CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J65CTC,L3F 0.3900
RFQ
ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C 表面安装 SC-101,SOT-883 SSM3J65 MOSFET (金属 o化物) CST3C 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 10,000 P通道 20 v 700mA(TA) 1.2V,4.5V 500MOHM @ 500mA,4.5V 1V @ 1mA ±10V 48 pf @ 10 V - 500MW(TA)
IXTY1N120P IXYS IXTY1N120P 2.9900
RFQ
ECAD 6691 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 - 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ixty1 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 1200 v 1A(TC) - - - -
NVMFS4C05NWFT1G onsemi NVMFS4C05NWFT1G 0.9200
RFQ
ECAD 8418 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NVMFS4 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 24.7a(TA),116a (TC) 4.5V,10V 3.4mohm @ 30a,10v 2.2V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 1972 pf @ 15 V - 3.61W(TA),79W(tc)
IRFR15N20DTRRP Infineon Technologies IRFR15N20DTRRP -
RFQ
ECAD 7769 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 200 v 17a(TC) 10V 165mohm @ 10a,10v 5.5V @ 250µA 41 NC @ 10 V ±30V 910 PF @ 25 V - (3W)(140W)(TC)
IRL40T209ATMA1 Infineon Technologies IRL40T209ATMA1 -
RFQ
ECAD 4592 0.00000000 Infineon技术 strongirfet™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powersfn IRL40T209 MOSFET (金属 o化物) PG-HSOF-8-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 40 V 300A(TC) 4.5V,10V 0.72MOHM @ 100A,10V 2.4V @ 250µA 269 NC @ 4.5 V ±20V 16000 PF @ 20 V - 500W(TC)
R6012JNXC7G Rohm Semiconductor R6012JNXC7G 4.0000
RFQ
ECAD 8804 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 R6012 MOSFET (金属 o化物) TO-220FM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-R6012JNXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 12A(TC) 15V 390MOHM @ 6A,15V 7V @ 2.5mA 28 NC @ 15 V ±30V 900 PF @ 100 V - 60W(TC)
STULED623 STMicroelectronics Stuled623 -
RFQ
ECAD 4951 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA Stuled623 MOSFET (金属 o化物) TO-251(IPAK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 620 v 3A(TC) 10V 3.6ohm @ 1.1a,10v 4.5V @ 50µA 15.5 NC @ 10 V ±30V 350 pf @ 50 V - 45W(TC)
STP12NM50N STMicroelectronics STP12NM50N -
RFQ
ECAD 5445 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP12 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-4818-5 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 11A(TC) 10V 380MOHM @ 5.5A,10V 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±25V 940 pf @ 50 V - 100W(TC)
APT10026JFLL Microchip Technology apt10026jfll 99.4100
RFQ
ECAD 4769 0.00000000 微芯片技术 PowerMos7® 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 APT10026 MOSFET (金属 o化物) isotop® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 1000 v 30A(TC) 260mohm @ 15a,10v 5V @ 5mA 267 NC @ 10 V 7114 PF @ 25 V -
SI4114DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4114DY-T1-GE3 1.3400
RFQ
ECAD 8737 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4114 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 20 v 20A(TC) 4.5V,10V 6mohm @ 10a,10v 2.1V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±16V 3700 PF @ 10 V - 2.5W(ta),5.7W(TC)
2N7002CK,215 Nexperia USA Inc. 2N7002CK,215 -
RFQ
ECAD 5621 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2N7002 MOSFET (金属 o化物) TO-236AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 300mA(TA) 10V 1.6ohm @ 500mA,10v 2.5V @ 250µA 1.3 NC @ 4.5 V ±20V 55 pf @ 25 V - 350MW(TA)
IRF630STRLPBF Vishay Siliconix IRF630STRLPBF 1.6900
RFQ
ECAD 94 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF630 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 200 v 9A(TC) 10V 400MOHM @ 5.4A,10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 V ±20V 800 pf @ 25 V - (3W(ta),74w tc(TC)
FDD6670AS onsemi FDD6670AS -
RFQ
ECAD 6521 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FDD667 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 76A(ta) 4.5V,10V 8mohm @ 13.8a,10v 3V @ 1mA 40 NC @ 10 V ±20V 1580 pf @ 15 V - 70W(TA)
BSZ010NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies BSZ010NE2LS5ATMA1 2.7900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon技术 Optimos™5 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN BSZ010 MOSFET (金属 o化物) PG-TSDSON-8-FL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 25 v 32A(ta),40a tc) 4.5V,10V 1MOHM @ 20a,10v 2V @ 250µA 29 NC @ 4.5 V ±16V 3900 PF @ 12 V - 2.1W(ta),69W(tc)
SUP40012EL-GE3 Vishay Siliconix SUP40012EL-GE3 2.3400
RFQ
ECAD 7391 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SUP40012 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 150a(TC) 4.5V,10V 1.79MOHM @ 30a,10V 2.5V @ 250µA 195 NC @ 10 V ±20V 10930 PF @ 20 V - 150W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库