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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
BUK9E3R2-40E，127	-	RFQ	8556	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9	MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	100A（TC）	5V，10V	2.8mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	69.5 NC @ 5 V	±10V	9150 PF @ 25 V	-	234W（TC）
IRFB4321GPBF	-	RFQ	7850	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001556020	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	150 v	83A（TC）	10V	15mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 pf @ 25 V	-	330W（TC）
FDS2170N3	2.0700	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	200 v	3A（3A）	10V	128mohm @ 3a，10v	4.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1292 PF @ 100 V	-	（3W）（TA）
MTD2N40E	0.3300	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
PJA3472B_R1_00001	0.0565	RFQ	4400	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PJA3472	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJA3472B_R1_00001TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	300mA（TA）	4.5V，10V	3ohm @ 600mA，10v	2.5V @ 250µA	0.82 NC @ 4.5 V	±30V	34 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
SIHFBE30STRL-GE3	1.8400	RFQ	800	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		742-SIHFBE30STRL-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	800 v	4.1A（TC）	10V	3ohm @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
FCH072N60F-F085	-	RFQ	2056	Onmi	汽车，AEC-Q101，SuperFet®II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH072	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	n通道	600 v	52A（TC）	10V	72MOHM @ 26a，10V	5V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	6330 PF @ 100 V	-	481W（TC）
AOB9N70L	1.1925	RFQ	6112	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AOB9N70	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	700 v	9A（TC）	10V	1.2OHM @ 4.5A，10V	4.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1630 PF @ 25 V	-	236W（TC）
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PHX9NQ20T，127	-	RFQ	9179	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PHX9	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	5.2A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA	24 NC @ 10 V	±20V	959 pf @ 25 V	-	25W（TC）
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IRL3715Z	-	RFQ	2628	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3715Z	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	20 v	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	870 pf @ 10 V	-	45W（TC）
BSP135L6906HTSA1	-	RFQ	6730	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	120mA（ta）	0V，10V	45ohm @ 120mA，10v	1V @ 94µA	4.9 NC @ 5 V	±20V	146 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
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CMS23P04D-HF	-	RFQ	2360	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak（TO-252）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-CMS23P04D-HFTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	40 V	23A（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 18a，10v	2.5V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±20V	1004 pf @ 15 V	-	2W（ta），31.3w（tc）
IXFH4N100Q	-	RFQ	3313	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH4	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1000 v	4A（TC）	10V	3ohm @ 2a，10v	5V @ 1.5mA	39 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IPP65R190CFDXKSA2	4.0800	RFQ	8052	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R190	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	17.5A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	4.5V @ 700µA	68 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 100 V	-	151W（TC）
RM10N100LD	0.1480	RFQ	2964	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM10N100LDTR		8541.10.0080	25,000	n通道	100 v	10A（TC）	4.5V，10V	130mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA		±20V	730 PF @ 50 V	-	40W（TC）
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IPLK70R900P7ATMA1	1.2300	RFQ	6959	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-POWERTDFN	IPLK70	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	700 v	-	-	-	-		-		-	-
IXTY1R6N50D2	3.0700	RFQ	16	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty1	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70	n通道	500 v	1.6A（TC）	-	2.3OHM @ 800mA，0v	-	23.7 NC @ 5 V	±20V	645 pf @ 25 V	耗尽模式	100W（TC）
AOD403L	-	RFQ	6702	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD40	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	P通道	30 V	（15a）（ta），70a（tc）	10V，20V	6mohm @ 20a，20v	3.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±25V	5300 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），90w（tc）
YJB110G10B	0.8920	RFQ	80	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJB110G10BTR	Ear99		800
TK065Z65Z，S1F	7.8900	RFQ	4529	东芝半导体和存储	dtmosvi	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-247-4		MOSFET （金属 o化物）	TO-247-4L（t）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25	n通道	650 v	38a（ta）	10V	65mohm @ 19a，10v	4V @ 1.69mA	62 NC @ 10 V	±30V	3650 PF @ 300 V	-	270W（TC）
SI4431BDY-T1-E3	1.0000	RFQ	31	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4431	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	30 V	5.7A（ta）	4.5V，10V	30mohm @ 7.5A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V		-	1.5W（TA）
IRF730APBF-BE3	1.9200	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF730	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF730APBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	5.5A（TC）		1欧姆 @ 3.3a，10V	4.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IPQC60R040S7XTMA1	11.4400	RFQ	8678	Infineon技术	CoolMos™S7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	22-Powerbsop模块		MOSFET （金属 o化物）	PG-HDSOP-22	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	750	n通道	600 v	14A（TC）	12V	40mohm @ 13a，12v	4.5V @ 790µA	83 NC @ 12 V	±20V		-	272W（TC）
FQPF19N10L	0.5700	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	13.6A（TC）	5V，10V	100mohm @ 6.8a，10v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±20V	870 pf @ 25 V	-	38W（TC）
FQP58N08	-	RFQ	3113	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP5	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	57.5A（TC）	10V	24mohm @ 28.75a，10V	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±25V	1900 pf @ 25 V	-	146W（TC）
IST007N04NM6AUMA1	3.7300	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn	IST007	MOSFET （金属 o化物）	PG-HSOF-5-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	40 V	54A（TA），440A （TC）	6V，10V	0.7MOHM @ 100A，10V	3.3V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	7900 PF @ 20 V	-	3.8W（TA），250W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²