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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
MRF7S21210HSR5	-	RFQ	3408	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780	MRF7	2.17GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	1.4 a	63W	18.5db	-	28 V
A5G37H110NT4	13.0217	RFQ	4843	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v	表面安装	6-dlfn暴露垫		3.6GHz〜3.8GHz	-	6-PDFN （7x6.5）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	2,500	-	-	70 MA	13.5W	15.1db	-	48 v
MRF6V14300HR5	401.0580	RFQ	2382	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	100 v	底盘安装	SOT-957A	MRF6V14300	1.4GHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935313404178	Ear99	8541.29.0075	50		-	150 ma	330W	18db	-	50 V
BLF6G22LS-180RN	-	RFQ	4998	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v	表面安装	SOT-502B		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	SOT502B	-				2156-BLF6G22LS-180RN			1	n通道	5µA	1.4 a	40W	16dB	-	30 V
BLP27M810Z	21.0300	RFQ	390	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	16-vdfn暴露垫	BLP27	2.14GHz	ldmos	16-HVSON（6x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500	双重，共同来源	-	110 MA	2W	17dB	-	28 V
MMRF1018NBR1	-	RFQ	7181	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	120 v	底盘安装	TO-272BB	MMRF1	860MHz	ldmos	TO-272 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935324763528	Ear99	8541.29.0075	500		-	350 MA	18W	22DB	-	50 V
FDMF5808	1.0000	RFQ	4017	Fairchild半导体	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定				3,000
MRF6S19060MBR1	-	RFQ	7325	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		TO-272-4	MRF6	1.93GHz	ldmos	TO-272 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	610 MA	12W	16dB	-	28 V
MRF8P23160WHSR3	-	RFQ	8104	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		NI-780-4	MRF8	2.32GHz	MOSFET	NI-780-4	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道	-	600 MA	30W	14.1db	-	28 V
MRF6S27015NR1	-	RFQ	7637	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	表面安装	TO-270AA	MRF6	2.6GHz	ldmos	TO-270-2	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	935309659528	Ear99	8541.21.0075	500		-	160 MA	3W	14dB	-	28 V
MRF19045LSR3	-	RFQ	5336	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		Ni-400s	MRF19	1.93GHz	ldmos	NI-400S-240	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	250		-	550 MA	9.5W	14.5db	-	26 V
BLS8G2731L-400PU	-	RFQ	4367	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-539A	BLS8	3.1GHz	ldmos	SOT539A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		光盘3A001B3	8541.29.0075	20	双重，共同来源	-	200 ma	400W	13DB	-	32 v
MRF6VP41KHSR7	-	RFQ	4695	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	110 v	底盘安装	NI-1230S	MRF6	450MHz	ldmos	NI-1230S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	25	双重的	-	150 ma	1000W	20dB	-	50 V
2N5485	-	RFQ	8402	中央半导体公司	-	盒子	过时的	25 v	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		-	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）		2N5485CS	Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	10mA	4 mA	-	20dB	2.5dB	15 v
BLF8G10LS-270V，112	-	RFQ	2971	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1244B	BLF8	871.5MHz〜891.5MHz	ldmos	CDFM6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934066761112	Ear99	8541.29.0075	20		-	2 a	67W	19.5db	-	28 V
PTFA190451EV4R250XTMA1	-	RFQ	5286	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	H-36265-2	PTFA190451	1.96GHz	ldmos	H-36265-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		10µA	450 MA	11W	17.5db	-	28 V
PD85035Tr-E	-	RFQ	7204	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40 V		Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	PD85035	870MHz	ldmos	Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		8a	350 MA	15W	17dB	-	13.6 v
BLF573S，112	140.9000	RFQ	7	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的	110 v	底盘安装	SOT-502B	BLF573	225MHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		42a	900 MA	300W	27.2db	-	50 V
VRF2933	164.9500	RFQ	1	微芯片技术	-	大部分	积极的	170 v		M177	VRF2933	150MHz	MOSFET	M177	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q6240326	Ear99	8541.29.0075	1	n通道	2mA	250 MA	300W	25DB	-	50 V
MRF6S9130HSR5	72.8200	RFQ	50	自由度半导体	-	大部分	积极的	68 v		NI-780	MRF6	880MHz	ldmos	NI-780	-	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		-	950 MA	27W	19.2db	-	28 V
MAGX-000245-014000	-	RFQ	3848	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	65 v		-		2.5GHz	hemt	-	下载		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	10		800mA	15 ma	14W	15.2db	-	50 V
BLM7G1822S-40PBY	-	RFQ	8063	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v	表面安装	SOT-1211-1	BLM7	1.81GHz〜2.17GHz	ldmos	16-HSOPF	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100	双重的	-	40 MA	4W	31.5db	-	28 V
CLF1G0035-100R	-	RFQ	7758	Ampleon USA Inc.	-	大部分	过时的	150 v	底盘安装	SOT-467C		3.5GHz	hemt	SOT467C	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-CLF1G0035-100R	Ear99	8541.29.0095	1		-	330 MA	100W	12DB	-	50 V
MDSGN-750ELMV	-	RFQ	3528	微芯片技术	-	大部分	积极的	150 v	表面安装	55 kr		1.03GHz〜1.09GHz	hemt	55 kr	下载			到达不受影响	150-MDSGN-750ELMV	Ear99	8541.29.0095	5		-	100 ma	800W	19.1db	-	50 V
MRF281ZR1	-	RFQ	5168	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-200Z	MRF28	1.93GHz	ldmos	NI-200Z	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500		-	25 ma	4W	12.5db	-	26 V
PTVA030121EAV1XWSA1	-	RFQ	2935	Infineon技术	-	托盘	过时的	105 v	表面安装	H-36265-2		390MHz〜450MHz	ldmos	H-36265-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000894020	Ear99	8541.29.0095	50	双重的	-		12W	-	-
VRF141MP	142.7700	RFQ	3576	微芯片技术	-	管子	积极的	80 V	底盘安装	SOT-123A	VRF141	175MHz	MOSFET	M174	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道	20a	4 a	150W	23dB	-	28 V
STMFS4834NST1G	0.4900	RFQ	210	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0040	1,500
SAV-331+	14.5600	RFQ	574	迷你电路	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	5 v	表面安装	SC-82A，SOT-343		10MHz〜4GHz	d-phemt	MMM1362	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.33.0001	1,000		-	60 ma	21.1dbm	24.6db	0.9dB	4 V
CGHV96130F	806.5300	RFQ	9	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	120 v	底盘安装	440217		8.4GHz〜9.6GHz	hemt	440217	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			光盘3A001B3	8541.29.0075	50		-	1 a	130W	13.8db	-	40 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²