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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
AFT09H310-04GSR6	-	RFQ	8114	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v	底盘安装	NI-1230S-4 GW	AFT09	920MHz	MOSFET	NI-1230S-4	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	n通道	-	680 MA	56W	17.9db	-	28 V
Blu9H0408L-800PU	230.5600	RFQ	1	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的	65 v	底盘安装	SOT-539A	蓝色	800MHz	ldmos	SOT539A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	2.8µA	1.3 a	800W	20.5dB	-	50 V
BLF6G13LS-250PGJ	-	RFQ	5260	Ampleon USA Inc.	-	（CT）	在sic中停产	100 v	底盘安装	SOT-1121E	BLF6	1.3GHz	ldmos	CDFM4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100		-	100 ma	250W	17dB	-	50 V
30C01S-TL-E	-	RFQ	5146	Onmi	*	大部分	过时的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
J305	-	RFQ	5133	Onmi	-	大部分	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	J305	-	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	J305FS	Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道	8mA		-	-	-
blm8d1822s-50pbgy	43.8400	RFQ	44	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v	表面安装	SOT-1212-3	BLM8	1.805GHZ〜2.17GHz	ldmos	16-HSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100		1.4µA	104 MA	5W	26dB	-	28 V
MRF6S9060MBR1	-	RFQ	1009	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		TO-272-2	MRF6	880MHz	ldmos	TO-272-2	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	450 MA	14W	21.4db	-	28 V
MRF8P20160HR5	-	RFQ	9405	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780-4	MRF8	1.92GHz	ldmos	NI-780-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	550 MA	37W	16.5db	-	28 V
FSS132-TL-E	0.7100	RFQ	40	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
BLC10G22XS-602AVTY	90.2550	RFQ	9712	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	SOT-1258-4	BLC10	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	SOT1258-4	-	rohs3符合条件			1603-BLC10G22XS-602AVTYTR			100	2 n 通道（双）公共来源	2.8µA	1.2 a	687W	15.4dB	-	30 V
BLC10G22XS-301AVTZ	73.5000	RFQ	54	Ampleon USA Inc.	BLC	托盘	积极的	65 v	底盘安装	SOT-1275-1	BLC10	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	DFM6	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		1.4µA		350W	15DB	-
IGN1011L1200	914.1400	RFQ	9	Integra Technologies Inc.	-	托盘	积极的	180 v		PL84A1	IGN1011	1.03GHz〜1.09GHz	hemt	PL84A1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2251-ENG1011L1200	Ear99	8541.29.0075	5		-	160 MA	1250W	16.8db	-	50 V
blp9la25sxy	13.8560	RFQ	1970年	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40 V	表面安装	TO-270AA	blp9	941MHz	ldmos	TO-270-2F-1	-	rohs3符合条件			1603-BLP9LA25SXYTR			100	n通道	1.4µA	500 MA	25W	18.4db	-	13.6 v
MRFE6VP8600HR5	298.1700	RFQ	28	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	130 v	底盘安装	NI-1230	MRFE6	860MHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50	双重的	-	1.4 a	125W	19.3db	-	50 V
CPH6413-TL-E	0.0700	RFQ	339	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
AFT09MS031GNR1	19.3600	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40 V	表面安装	TO-270BA	AFT09	870MHz	ldmos	TO-270-2鸥	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		-	500 MA	31W	17.2db	-	13.6 v
BLP05H9S500PY	59.8300	RFQ	67	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	108 v	表面安装	OMP-780-4F-1	BLP05	-	ldmos	OMP-780-4F-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100	双重，共同来源	2.8µA	50 mA	500W	25.2db	-	50 V
PTFA080551E V1	-	RFQ	9302	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产	65 v	表面安装	H-36265-2	PTFA080551	960MHz	ldmos	H-36265-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		10µA	600 MA	55W	18.5db	-	28 V
ASC2979C	1.0000	RFQ	2	放大器解决方案公司	-	盒子	积极的					1.7GHz〜5.9GHz			-	rohs3符合条件	2（1年）	供应商不确定	3841-ASC2979C	Ear99	8542.33.0000	1				12DBM	25DB	3DB
2729GN-300VP	-	RFQ	1735年	微芯片技术	VP	大部分	积极的	125 v	表面安装	55-QP		2.7GHz〜2.9GHz	hemt	55-QP	下载			到达不受影响	150-2729GN-300VP	Ear99	8541.29.0095	5		-	75 MA	335W	15.3db	-	50 V
BLA1011-2,112	-	RFQ	9939	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	75 v	表面安装	SOT-538A	BLA1011	1.03GHz〜1.09GHz	ldmos	2-CSMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		2.2a	50 mA	2W	16dB	-	36 V
ARF1505	338.5510	RFQ	2279	微芯片技术	-	大部分	积极的	1200 v		死	ARF1505	27.12MHz	MOSFET	死	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	ARF1505MS	Ear99	8541.29.0075	1	n通道	25a		750W	17dB	-	300 v
BLS6G3135-120,112	-	RFQ	5835	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	60 V	底盘安装	SOT-502A	BLS6	3.1GHz〜3.5GHz	ldmos	SOT502A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		7.2a	100 ma	120W	11DB	-	32 v
MRF5S9070MR1	-	RFQ	4494	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		TO-270-2	MRF5	880MHz	ldmos	TO-270-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	600 MA	14W	17.8db	-	26 V
MRF8P8300HSR5	-	RFQ	5713	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	70 v	底盘安装	NI-1230S	MRF8	820MHz	ldmos	NI-1230S	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	2 a	96W	20.9db	-	28 V
MRF7S27130HSR5	-	RFQ	1156	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780	MRF7	2.7GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	1.5 a	23W	16.5db	-	28 V
NE3520S03-T1C-A	-	RFQ	5922	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	4 V		4-SMD，平坦的铅		20GHz	GAAS HJ-FET	S03	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000		70mA	10 MA	-	13.5dB	0.65dB	2 v
MRF1535NT1	-	RFQ	3368	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V	底盘安装	TO-272AA	MRF15	520MHz	ldmos	TO-272-6	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500		6a	500 MA	35W	13.5dB	-	12.5 v
MRF6V14300HSR3	-	RFQ	3008	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	100 v	底盘安装	NI-780	MRF6	1.4GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	150 ma	330W	18db	-	50 V
ATF-36163-TR1G	-	RFQ	5706	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	3 V		6-TSSOP，SC-88，SOT-363	ATF-36163	4GHz	Phemt fet	SOT-363	-		（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.21.0075	3,000		40mA	15 ma	5DBM	15.8db	0.6dB	2 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²